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公开(公告)号：CN103715284B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310742938.6
申请日：2013-12-30
申请人： 沈阳工程学院
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/075 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/03762 , H01L31/03926 , H01L31/075 , H01L31/1848 , H01L31/202 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 本发明属于柔性太阳能电池制造技术领域，特别涉及一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本发明的太阳能电池具体结构是：Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征InxGa1-xN/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底；其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极，然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜、P型nc-Si:H薄膜、GZO基透明导电薄膜，最后制备金属Al电极。本发明的可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池具有优异的柔软性，重量轻，携带方便，具有产业化潜力和市场空间，而且制备工艺简单，能实现规模生产。
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公开(公告)号：CN103352204B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310300499.3
申请日：2013-07-17
申请人： 沈阳工程学院
发明人： 张东 , 鞠振河 , 孙笑雨 , 郑洪 , 李昱材 , 杜士鹏 , 王立杰 , 张晓慧 , 李双美 , 王刚 , 王健 , 刘莉莹 , 郭瑞 , 王帅杰 , 关新 , 高微 , 王宝石 , 衣云龙 , 金月新 , 张玉艳
摘要： 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种电学性能良好、散热性能良好的ECR-PEMOCVD系统对InN/GaN/自支撑金刚石膜结构的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD（电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积）系统，将反应室抽真空，加热基片至400~600℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基镓、氮气；控制气体总压强，电子回旋共振反应得到在自支撑金刚石膜基片的GaN缓冲层薄膜。
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公开(公告)号：CN103014655A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210576471.8
申请日：2012-12-27
申请人： 沈阳工程学院
摘要： 一种ECR-PEMOCVD低温沉积Ga、Al共同掺杂ZnO薄膜的制备方法，属于新材料沉积制备领域。本发明按照以下步骤进行：（1）将基片用丙酮、乙醇以及去离子水用超声波依次清洗后，用氮气吹干送入反应室；（2）将反应室抽真空至1.0×10-3Pa，将基片加热至20~600℃，向反应室内通入氩气携带的二乙基锌、氩气携带的三甲基镓、氩气携带的三甲基铝和氧气，氧气、二乙基锌、三甲基镓和三甲基铝流量比为（100~150）：（4~8）:（1~2）:1，由质量流量计控制；控制气体总压强为0.8~2.0Pa；在电子回旋共振频率为650W，反应30min~3h,得到Ga、Al共同掺杂ZnO光电透明导电薄膜。本发明的镓铝共同的掺杂ZnO的透明光电导电薄膜产品具有电阻率低，透光性能好、廉价、易于实现大面积生产的产业化的优势。
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公开(公告)号：CN103014705A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210576175.8
申请日：2012-12-27
申请人： 沈阳工程学院
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种Cu/ZnO/Al光电透明导电薄膜的沉积方法，属透明导电材料领域。本发明一种按照以下步骤进行：（1）将基片用丙酮、乙醇以及去离子水用超声波依次清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）磁控溅射Al膜的沉积；（3）有机物化学气相沉积制备中间层ZnO薄膜：（4）磁控溅射Cu膜的沉积：（5）对Cu/ZnO/Al的多层结构的透明导电薄膜进行高温退火，退火温度为100~400℃，退火时间为30min，得到Cu、Al共同掺杂的ZnO光电透明导电薄膜。本发明制备工艺简单，沉积过程易于控制。本发明制备的透明导电薄膜均匀性好，光电性能优异，电阻率可低至8.0×10-4Ω·cm，而其透光率可达82%以上。可用于制造太阳能电池、发光二极管、LCD以及手机等光电器件的透明电极。
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公开(公告)号：CN103014676B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210578485.3
申请日：2012-12-27
申请人： 沈阳工程学院
摘要： ECR-PEMOCVD系统低温沉积ZnO透明导电薄膜的制备方法，属于新材料沉积制备领域。本发明按照以下步骤进行：（1）把普通康宁玻璃片清洗基片送入镀膜室；（2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空至1.0×10-3Pa，将基片加热至20~600℃，向反应室内通入氧气、氩气携带的二乙基锌以及氩气携带的三甲基镓或三甲基铝，其中氧气、二乙基锌、三甲基镓的量由质量流量计控制流量比为（90~150）：（4~8）:（1~2）,氧气、二乙基锌、三甲基铝的量由质量流量计控制流量比为（90~150）：（4~8）:1；控制气体总压强为0.8~2.0Pa；在电子回旋共振频率为650W，反应1~30min,得到Ga或Al掺杂ZnO光电透明导电薄膜。本发明的镓掺杂ZnO或者铝掺杂ZnO的透明光电导电薄膜产品具有性能优异、易于实现大面积生产的产业化的优势。
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公开(公告)号：CN103014705B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210576175.8
申请日：2012-12-27
申请人： 沈阳工程学院
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种Cu/ZnO/Al光电透明导电薄膜的沉积方法，属透明导电材料领域。本发明一种按照以下步骤进行：（1）将基片用丙酮、乙醇以及去离子水用超声波依次清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）磁控溅射Al膜的沉积；（3）有机物化学气相沉积制备中间层ZnO薄膜：（4）磁控溅射Cu膜的沉积：（5）对Cu/ZnO/Al的多层结构的透明导电薄膜进行高温退火，退火温度为100~400℃，退火时间为30min，得到Cu、Al共同掺杂的ZnO光电透明导电薄膜。本发明制备工艺简单，沉积过程易于控制。本发明制备的透明导电薄膜均匀性好，光电性能优异，电阻率可低至8.0×10-4Ω·cm，而其透光率可达82%以上。可用于制造太阳能电池、发光二极管、LCD以及手机等光电器件的透明电极。
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公开(公告)号：CN103715284A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310742938.6
申请日：2013-12-30
申请人： 沈阳工程学院
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/03762 , H01L31/03926 , H01L31/075 , H01L31/1848 , H01L31/202 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , H01L31/03529 , H01L31/022483 , H01L31/20
摘要： 本发明属于柔性太阳能电池制造技术领域，特别涉及一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本发明的太阳能电池具体结构是：Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征InxGa1-xN/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底；其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极，然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜、P型nc-Si:H薄膜、GZO基透明导电薄膜，最后制备金属Al电极。本发明的可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池具有优异的柔软性，重量轻，携带方便，具有产业化潜力和市场空间，而且制备工艺简单，能实现规模生产。
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公开(公告)号：CN103352204A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310300499.3
申请日：2013-07-17
申请人： 沈阳工程学院
发明人： 张东 , 鞠振河 , 孙笑雨 , 郑洪 , 李昱材 , 杜士鹏 , 王立杰 , 张晓慧 , 李双美 , 王刚 , 王健 , 刘莉莹 , 郭瑞 , 王帅杰 , 关新 , 高微 , 王宝石 , 衣云龙 , 金月新 , 张玉艳
摘要： 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种电学性能良好、散热性能良好的ECR-PEMOCVD系统对InN/GaN/自支撑金刚石膜结构的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD（电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积）系统，将反应室抽真空，加热基片至400~600℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基镓、氮气；控制气体总压强，电子回旋共振反应得到在自支撑金刚石膜基片的GaN缓冲层薄膜。
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公开(公告)号：CN103014676A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210578485.3
申请日：2012-12-27
申请人： 沈阳工程学院
摘要： ECR-PEMOCVD系统低温沉积ZnO透明导电薄膜的制备方法，属于新材料沉积制备领域。本发明按照以下步骤进行：（1）把普通康宁玻璃片清洗基片送入镀膜室；（2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空至1.0×10-3Pa，将基片加热至20~600℃，向反应室内通入氧气、氩气携带的二乙基锌以及氩气携带的三甲基镓或三甲基铝，其中氧气、二乙基锌、三甲基镓的量由质量流量计控制流量比为（90~150）：（4~8）:（1~2）,氧气、二乙基锌、三甲基铝的量由质量流量计控制流量比为（90~150）：（4~8）:1；控制气体总压强为0.8~2.0Pa；在电子回旋共振频率为650W，反应1~30min,得到Ga或Al掺杂ZnO光电透明导电薄膜。本发明的镓掺杂ZnO或者铝掺杂ZnO的透明光电导电薄膜产品具有性能优异、易于实现大面积生产的产业化的优势。
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公开(公告)号：CN205082980U
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201520863785.5
申请日：2015-10-30
申请人： 沈阳工程学院
发明人： 张东 , 关焕新 , 鞠振河 , 郑洪 , 赵琰 , 李昱材 , 宋世巍 , 王健 , 杜士鹏 , 殷孝雎 , 丁艳波 , 王晗 , 王刚 , 刘莉莹 , 司红代 , 许鉴 , 邓玮 , 王宝石 , 赵丹 , 谢芳 , 柯昀洁
IPC分类号： A47B81/06
摘要： 本实用新型属于光伏应用领域，尤其涉及一种移动式太阳能电视柜。包括柜体，在横向上将柜体依次分割为放置光伏板的第一空间、放置蓄电池的第二空间以及插入薄体电视的第三空间，所述第一空间内设置可抽拉式的基座，所述基座可从柜体的侧面拉出；第二空间内放置蓄电池，所述蓄电池的一侧上设置第一把手，通过第一把手从柜体的侧面拉出；薄体电视从第三空间的顶部向上拉起后，置于柜体上。本实用新型可将光伏板蓄电池以及液晶电视整合在一个柜体内，并且每个单位可方便取出，这样可使得液晶电视的尺寸与柜体的横截面相当，光伏板置于柜体内，得到保护，不容易损坏。
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