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公开(公告)号：CN103352204A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310300499.3
申请日：2013-07-17
申请人： 沈阳工程学院
发明人： 张东 , 鞠振河 , 孙笑雨 , 郑洪 , 李昱材 , 杜士鹏 , 王立杰 , 张晓慧 , 李双美 , 王刚 , 王健 , 刘莉莹 , 郭瑞 , 王帅杰 , 关新 , 高微 , 王宝石 , 衣云龙 , 金月新 , 张玉艳
摘要： 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种电学性能良好、散热性能良好的ECR-PEMOCVD系统对InN/GaN/自支撑金刚石膜结构的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD（电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积）系统，将反应室抽真空，加热基片至400~600℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基镓、氮气；控制气体总压强，电子回旋共振反应得到在自支撑金刚石膜基片的GaN缓冲层薄膜。
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公开(公告)号：CN108231910A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810135078.2
申请日：2018-02-09
申请人： 沈阳工程学院
摘要： 一种柔性基片衬底的异质结构薄膜及其制备方法，属于薄膜制备技术领域。该薄膜从下到上依次包括聚酰亚胺柔性衬底层、第一导电薄膜、Ga2O2材料层、VO2材料层、第二导电薄膜及抗腐蚀保护层。本发明采用聚酰亚胺(PI)材料作为衬底基片，采用Ga22O2作为缓冲层，采用AZO作为器件的导电电极，蒸镀TiN材料作为抗腐蚀保护层，可以缓解聚酰亚胺与VO2材料晶格失配大的难题，可以制备出高质量的VO2材料，导电性能大幅度提高、电阻率降低，TiN薄膜与AZO透明导电薄膜的融合度高，有效解决了器件的腐蚀问题，进一步提高了器件的使用寿命。该制备工艺简单，可实现规模生产。
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公开(公告)号：CN103014653A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210576076.X
申请日：2012-12-27
申请人： 沈阳工程学院
摘要： 本发明属于压电薄膜材料领域，具体涉及一种AlN/GAZO/自支撑金刚石膜结构的声表面波滤波器件的制备方法。本发明方法是：以自支撑金刚石膜为衬底基片，清洗后送入气相沉积反应室，向反应室内通入氮气、三甲基铝、三甲基镓和二乙基锌，在衬底基片上沉积厚度为80-120nm的GAZO膜，然后再通入三甲基铝，在载有GAZO膜的衬底基片上沉积800nm厚的AlN薄膜，待气相沉积反应室内降至室温时，打开沉积室，得到AlN/GAZO/自支撑金刚石膜结构的声表面波滤波器件。本发明方法简单，工艺易于控制，本发明制备的压电薄膜器件均匀性好，声速传输性能优异，可用于制造大功率，高频率的声表面波滤波器件。
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公开(公告)号：CN103352204B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310300499.3
申请日：2013-07-17
申请人： 沈阳工程学院
发明人： 张东 , 鞠振河 , 孙笑雨 , 郑洪 , 李昱材 , 杜士鹏 , 王立杰 , 张晓慧 , 李双美 , 王刚 , 王健 , 刘莉莹 , 郭瑞 , 王帅杰 , 关新 , 高微 , 王宝石 , 衣云龙 , 金月新 , 张玉艳
摘要： 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种电学性能良好、散热性能良好的ECR-PEMOCVD系统对InN/GaN/自支撑金刚石膜结构的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD（电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积）系统，将反应室抽真空，加热基片至400~600℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基镓、氮气；控制气体总压强，电子回旋共振反应得到在自支撑金刚石膜基片的GaN缓冲层薄膜。
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公开(公告)号：CN103014653B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210576076.X
申请日：2012-12-27
申请人： 沈阳工程学院
摘要： 本发明属于压电薄膜材料领域，具体涉及一种AlN/GAZO/自支撑金刚石膜结构的声表面波滤波器件的制备方法。本发明方法是：以自支撑金刚石膜为衬底基片，清洗后送入气相沉积反应室，向反应室内通入氮气、三甲基铝、三甲基镓和二乙基锌，在衬底基片上沉积厚度为80-120nm的GAZO膜，然后再通入三甲基铝，在载有GAZO膜的衬底基片上沉积800nm厚的AlN薄膜，待气相沉积反应室内降至室温时，打开沉积室，得到AlN/GAZO/自支撑金刚石膜结构的声表面波滤波器件。本发明方法简单，工艺易于控制，本发明制备的压电薄膜器件均匀性好，声速传输性能优异，可用于制造大功率，高频率的声表面波滤波器件。
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公开(公告)号：CN103014655A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210576471.8
申请日：2012-12-27
申请人： 沈阳工程学院
摘要： 一种ECR-PEMOCVD低温沉积Ga、Al共同掺杂ZnO薄膜的制备方法，属于新材料沉积制备领域。本发明按照以下步骤进行：（1）将基片用丙酮、乙醇以及去离子水用超声波依次清洗后，用氮气吹干送入反应室；（2）将反应室抽真空至1.0×10-3Pa，将基片加热至20~600℃，向反应室内通入氩气携带的二乙基锌、氩气携带的三甲基镓、氩气携带的三甲基铝和氧气，氧气、二乙基锌、三甲基镓和三甲基铝流量比为（100~150）：（4~8）:（1~2）:1，由质量流量计控制；控制气体总压强为0.8~2.0Pa；在电子回旋共振频率为650W，反应30min~3h,得到Ga、Al共同掺杂ZnO光电透明导电薄膜。本发明的镓铝共同的掺杂ZnO的透明光电导电薄膜产品具有电阻率低，透光性能好、廉价、易于实现大面积生产的产业化的优势。
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公开(公告)号：CN208189597U
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201820234722.7
申请日：2018-02-09
申请人： 沈阳工程学院
摘要： 一种柔性基片衬底的异质结构器件，属于电子器件技术领域。该器件从下到上依次包括聚酰亚胺柔性衬底层、第一导电薄膜层、Ga2O3材料层、VO2材料层、第二导电薄膜层及抗腐蚀保护层。本实用新型采用聚酰亚胺(PI)材料作为衬底基片，采用Ga2O3作为缓冲层，采用AZO作为器件的导电电极，蒸镀TiN材料作为抗腐蚀保护层，可以缓解聚酰亚胺(PI)与VO2材料晶格失配大的难题，可以制备出高质量的VO2材料，导电性能大幅度提高、电阻率降低，TiN薄膜与AZO透明导电薄膜的融合度高，有效解决了器件的腐蚀问题，进一步提高了器件的使用寿命。该器件功率大，可实现规模生产。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206161480U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201621043119.8
申请日：2016-09-08
申请人： 沈阳工程学院
IPC分类号： G01N15/06
摘要： 一种测量空气粉尘浓度的装置，涉及一种测量装置，所述装置包括机盒、电池、灯泡、光电感受器、单片机、导线；机盒内侧底部设有固定光源灯泡，对侧设有固定的光电感受器，机盒外侧设有固定的单片机，外侧底部固定有电池盒和开关，导线贴在盒子内壁，机盒侧面设有开门；光源由导线与电源相连，并由5个小灯泡环绕成一个圈，感受器由两部分构成，一部分是光敏部分，另一部分与单片机相连。单片机固定在外部侧面，由显示器和内部电路组成。本实用新型利用粉尘对光的分散作用来测量空气粉尘浓度，电路简单，造价低廉而且可以进行较为精确的测量，适用性强。
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公开(公告)号：CN204191831U
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201420670550.X
申请日：2014-11-11
申请人： 沈阳工程学院
摘要： 本实用新型涉及背包领域，具体地来说为一种可采用太阳能充电的便携式移动充电背包。该背包包括包体以及设置于包体向内一侧面肩带，在包体向外的一侧面通过子母扣固定有柔性光电转换器，所述光电转换器按照从外向包体的方向依次包括柔性透光防水层、多块并行排列的柔性衬底太阳能电池板以及橡胶底层，多块柔性衬底太阳能电池板串联连接后依次连接整流滤波电路以及稳压电路，通过设置在橡胶底层外部的输出端口连接并输出电压。本实用新型可随时充电，并携带方便，采用的柔性不容易损坏的便携式移动充电背包，将柔性将具有防水、防静电太阳能电池采用电学连接安装于背包上，克服了现有移动充电器依靠市电的缺陷，并在外出时，随身背于背上，可随时随地充电，不容易损坏。
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