一种采用记忆合金高阻尼减隔振垫片的低振动齿轮箱

    公开(公告)号:CN114046348A

    公开(公告)日:2022-02-15

    申请号:CN202111553853.4

    申请日:2021-12-17

    Abstract: 一种采用记忆合金高阻尼减隔振垫片的低振动齿轮箱属于设备隔振技术领域,尤其涉及一种采用记忆合金高阻尼减隔振垫片的低振动齿轮箱。本发明提供一种采用记忆合金高阻尼减隔振垫片的低振动齿轮箱。本发明包括齿轮箱主体和基台,轮箱主体两侧设置有齿轮箱侧壁支架,其特征在于齿轮箱侧壁支架下端外侧向上凹进,基台上端两侧相应于齿轮箱侧壁支架设置有基台支架,基台支架上端内侧向下凹进,基台支架上端内侧与齿轮箱侧壁支架下端外侧之间设置有记忆合金高阻尼减隔振垫片;记忆合金高阻尼减隔振垫片上端内侧与上凹进内侧边相接,记忆合金高阻尼减隔振垫片下端外侧与下凹进内侧边相接;所述记忆合金高阻尼减隔振垫片为多个。

    一种采用记忆合金高阻尼减隔振垫片的低振动齿轮箱

    公开(公告)号:CN114046348B

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202111553853.4

    申请日:2021-12-17

    Abstract: 一种采用记忆合金高阻尼减隔振垫片的低振动齿轮箱属于设备隔振技术领域,尤其涉及一种采用记忆合金高阻尼减隔振垫片的低振动齿轮箱。本发明提供一种采用记忆合金高阻尼减隔振垫片的低振动齿轮箱。本发明包括齿轮箱主体和基台,轮箱主体两侧设置有齿轮箱侧壁支架,其特征在于齿轮箱侧壁支架下端外侧向上凹进,基台上端两侧相应于齿轮箱侧壁支架设置有基台支架,基台支架上端内侧向下凹进,基台支架上端内侧与齿轮箱侧壁支架下端外侧之间设置有记忆合金高阻尼减隔振垫片;记忆合金高阻尼减隔振垫片上端内侧与上凹进内侧边相接,记忆合金高阻尼减隔振垫片下端外侧与下凹进内侧边相接;所述记忆合金高阻尼减隔振垫片为多个。

    基于等温渗氮技术处理金属医疗器械表面的方法

    公开(公告)号:CN117051354A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311321523.1

    申请日:2023-10-13

    Abstract: 本发明公开一种基于等温渗氮技术处理金属医疗器械表面的方法。本发明的方法包括制备合金材料,并加工为所需规格的医疗器械,然后在气体压力为0.005至0.1MPa温度为550‑600℃的含氮混合气环境中保持0.5‑5小时,冷却后,在500‑550℃氩气环境中保持0.5‑5小时,然后炉冷。本发明得到的根管锉的安全性和实用性更优异。制备得到的医疗器械具有优良的耐腐蚀性能,可在使用过程中阻碍Ni离子渗出减少对人体的毒害作用。

    一种活门组件
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112325142B

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202011278589.3

    申请日:2020-11-16

    Abstract: 一种活门组件属于活门装配技术领域,尤其涉及一种活门组件。本发明提供一种使用效果好的活门组件。本发明包括活门壳体4,其特征在于活门壳体4内中部设置有调温活门5,调温活门5前侧的活门壳体4内设置有调压活门2,调温活门5与调压活门2之间设置有弹簧3,调温活门5的后侧的活门壳体4内设置有调温活门座8,调温活门座8与调温活门5之间设置有记忆合金驱动元件7;活门壳体4前部设置有第一壳体孔,活门壳体4中部设置有第二壳体孔,调温活门5的前后运动用于遮挡第一壳体孔、第二壳体孔。

    用于压气轮机叶片的TiN-TiMo复合涂层及制备方法

    公开(公告)号:CN103029372A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN200910220778.2

    申请日:2009-12-15

    Abstract: 一种用于压气轮机叶片的TiN-TiMo复合涂层及制备方法,其特点是用于压气轮机叶片的TiN-TiMo复合涂层由TiMo粘结层和TiN面层组成;该制备方法采用H-MFD200型高真空多功能薄膜沉积系统,在金属表面镀制TiN/TiMo复合涂层,该制备方法包括:粘结层TiMo的制备:采用磁控溅射制备工艺;和TiN面层的制备:采用多弧离子镀制备工艺。本发明制备的涂层致密,与基体结合力良好,涂层厚度可控制,在600℃高温下,具有良好的抗热循环能力、抗热盐腐蚀能力和抗冲刷磨损的能力。

    一种在钛合金表面磁控溅射TiMo薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102115872B

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:CN200910248900.7

    申请日:2009-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种在钛合金表面磁控溅射TiMo薄膜的制备方法,其特点是所述制备方法有溅射前处理、安装基片和溅射成膜等步骤。与现有技术相比,本发明通过磁控溅射工艺实现了在钛合金表面制备Ti-Mo薄膜的目的,通过工艺条件控制可获得厚度1-50μm的薄膜,并且薄膜致密性好,与基体结合力良好,厚度可控,可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。本发明制备的涂层在600℃高温时仍然具有很好的抗盐雾腐蚀能力,并且所用的制备方法可以保证批量生产条件下,制备出高质量产品。

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