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公开(公告)号：CN114990532B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210913219.5
申请日：2022-08-01
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
IPC: C23C18/16 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种全自动晶圆上下料系统、具有该上下料系统的全自动化学镀工艺系统，以及基于该上下料系统的上下料方法。其中，上下料系统包括第一上下料模块、第二上下料模块、花篮传输组件及工艺工位。第一上下料模块包括第一晶圆盒工位、第一花篮座及第一传输组件，第一花篮座能够绕第一转动中心线相对旋转地设置。第二上下料模块包括第二晶圆盒工位、第二花篮座及第二传输组件，第二花篮座包括翻转座与旋转座，翻转座能够绕第二转动中心线相对旋转地设置，旋转座能够绕第三转动中心线相对旋转地设置在翻转座上。本发明能够高效地对不同尺寸的晶圆进行上下料，减小设备占地面积，符合半导体行业的发展趋势。
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公开(公告)号：CN115020302B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210828946.1
申请日：2022-07-15
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆存放盒的清洗烘干设备及清洗烘干方法，清洗烘干设备包括机架、机械手、上料装置、清洗装置、烘干装置和下料装置，清洗装置和烘干装置上分别设置相应的旋钮机构和定位机构，可以在将晶圆存放盒进行清洗和烘干时，将晶圆存放盒的盖子和盒体分开，使二者相对独立不盖合，可以对盒体和盖子进行充分的清洗和烘干，保证清洁程度，同时晶圆存放盒烘干过程中通过提高氮气环境，并在真空环境下，可以降低液体沸点，提高烘干效率，避免缝隙中水分残留，具有优异的烘干效果。
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公开(公告)号：CN114823431A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210737956.4
申请日：2022-06-28
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于清洗晶圆的喷射装置，包括喷嘴架及喷嘴主体。喷嘴主体具有分别沿上下方向延伸的第一流体通道与第二流体通道，第二流体通道环设于第一流体通道的周部，两者之间通过环形壁间隔开。喷嘴主体还具有位于下端部的第一出口与第二出口，第一出口与第一流体通道相连通，第二出口与第二流体通道相连通，第二出口环设于第一出口的周部。喷射装置还包括一端部与第一流体通道相连通的第一流体管、一端部与第二流体通道相连通第二流体管、一端部与第一流体通道和/或第二流体通道相连通的第三流体管。该喷射装置集成了气液清洗功能，同时具备喷射液体、气体或气液混合体等多种清洗模式，有助于缩短清洗时间，提升工业产能。
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公开(公告)号：CN115020302A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210828946.1
申请日：2022-07-15
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆存放盒的清洗烘干设备及清洗烘干方法，清洗烘干设备包括机架、机械手、上料装置、清洗装置、烘干装置和下料装置，清洗装置和烘干装置上分别设置相应的旋钮机构和定位机构，可以在将晶圆存放盒进行清洗和烘干时，将晶圆存放盒的盖子和盒体分开，使二者相对独立不盖合，可以对盒体和盖子进行充分的清洗和烘干，保证清洁程度，同时晶圆存放盒烘干过程中通过提高氮气环境，并在真空环境下，可以降低液体沸点，提高烘干效率，避免缝隙中水分残留，具有优异的烘干效果。
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公开(公告)号：CN114990532A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210913219.5
申请日：2022-08-01
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
IPC: C23C18/16 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种全自动晶圆上下料系统、具有该上下料系统的全自动化学镀工艺系统，以及基于该上下料系统的上下料方法。其中，上下料系统包括第一上下料模块、第二上下料模块、花篮传输组件及工艺工位。第一上下料模块包括第一晶圆盒工位、第一花篮座及第一传输组件，第一花篮座能够绕第一转动中心线相对旋转地设置。第二上下料模块包括第二晶圆盒工位、第二花篮座及第二传输组件，第二花篮座包括翻转座与旋转座，翻转座能够绕第二转动中心线相对旋转地设置，旋转座能够绕第三转动中心线相对旋转地设置在翻转座上。本发明能够高效地对不同尺寸的晶圆进行上下料，减小设备占地面积，符合半导体行业的发展趋势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111403322B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010331526.3
申请日：2020-04-24
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明揭示了一种晶圆片剥离装置，与外部设备框架固定连接，包括整体可活动地设置于外部设备框架上、用于完成晶圆片剥离操作的剥离执行机构以及整体固定连接于外部设备框架上、用于完成晶圆片输送的传输执行机构；剥离执行机构内包括晶圆片吸取组件以及晶圆片翻转组件；在晶圆片吸取组件及晶圆片翻转组件的配合运作下，外部晶圆片承托机构上所承载的晶圆片被逐一剥离、移动至传输执行机构上。本发明通过机械化、自动化的方式，完成了晶圆片加工过程中的晶圆片剥离下料，在满足操作要求的同时提升了操作的效率、节约了人力资源、减轻了加工企业的负担。
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公开(公告)号：CN114823431B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210737956.4
申请日：2022-06-28
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于清洗晶圆的喷射装置，包括喷嘴架及喷嘴主体。喷嘴主体具有分别沿上下方向延伸的第一流体通道与第二流体通道，第二流体通道环设于第一流体通道的周部，两者之间通过环形壁间隔开。喷嘴主体还具有位于下端部的第一出口与第二出口，第一出口与第一流体通道相连通，第二出口与第二流体通道相连通，第二出口环设于第一出口的周部。喷射装置还包括一端部与第一流体通道相连通的第一流体管、一端部与第二流体通道相连通第二流体管、一端部与第一流体通道和/或第二流体通道相连通的第三流体管。该喷射装置集成了气液清洗功能，同时具备喷射液体、气体或气液混合体等多种清洗模式，有助于缩短清洗时间，提升工业产能。
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公开(公告)号：CN114300384A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111544648.1
申请日：2021-12-16
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种晶圆单面蚀刻设备，包括加工台，加工台上间隔地开设有多个用于水平放置待蚀刻的晶圆的圆形的摆片口，蚀刻设备还包括设于加工台上方的遮挡盖、设于加工台下方且具有封闭的内腔的喷雾槽，以及设于加工台下方的酸雾供给装置，喷雾槽的内腔与所有的摆片口相连通，酸雾供给装置包括用于向上喷雾的喷雾管路，喷雾管路设置在喷雾槽中，遮挡盖具有朝向加工台的遮挡面，遮挡盖具有打开状态与遮挡状态，当遮挡盖处于遮挡状态下，遮挡面覆盖在所有的摆片口的上方，且遮挡面贴合在所有的晶圆的上表面上。该蚀刻设备结构简单、占用空间小，安装便捷、操作方便、运行平稳，能够显著降低生产运行及维护成本。
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公开(公告)号：CN111508873A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010332033.1
申请日：2020-04-24
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明揭示了一种晶圆片腐蚀清洗笼，包括笼体框架及驱动组件两部分组成；笼体框架由多块晶圆片隔板及多根开齿连接轴组成，多块晶圆片隔板上均开设有一条相同的滑动限位槽，多块晶圆片隔板间平行设置并连接形成一个整体，其中一根开齿连接轴可活动地按序依次穿设于多块晶圆片隔板上的滑动限位槽内；驱动组件包括至少一组传动齿轮组，每组传动齿轮组均包括一个主动齿轮及多个从动齿轮，每个从动齿轮均固定设置于一根开齿连接轴的端部，主动齿轮与从动齿轮间啮合传动。本发明通过带动晶圆片整体旋转的方式，完成了对晶圆片的腐蚀清洗，整个操作过程中晶圆片与药液接触充分，产品腐蚀均匀，有效避免了产品的二次返工、提升了产品的良率。
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公开(公告)号：CN115370801B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211308043.7
申请日：2022-10-25
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
Abstract: 本发明提供一种排气装置。该排气装置包括具有排气组件和排气切换机构的气体切换模块，其中，排气组件包括第一通道和第二通道；排气切换机构包括转动地设置在第一通道的开口上的第一叶片、转动地设置在第二通道的开口上的第二叶片，及具有第一配合件、第二配合件和用于驱动第一配合件和第二配合件同步运动的第一驱动件的第一控制组件。本发明的排气装置通过第一驱动件驱动第一配合件和第二配合件同步运动，使第一叶片和第二叶片同时转动，从而使第一叶片和第二叶片中的一者盖设到相应通道的开口上以使相应通道的开口关闭，另一者对应的通道的开口打开，从而实现仅需要一个驱动件即可实现两种气体的排气切换，以及两种气体的分别排放。
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