一种微通道散热器及由其组成的微机电产品散热系统装置

    公开(公告)号:CN103997880B

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201410223580.0

    申请日:2014-05-26

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明涉及微机电系统,特指一种微通道散热器及由其组成的微机电产品散热系统装置。微机电产品散热系统装置由储液池,微型泵,微过滤器,微通道散热器,回流阀和管路组成;储液池、微型泵、微过滤器、微通道散热器和储液池之间依次通过管路连接,微型泵的管路出口与储液池之间设有旁通回路,旁通回路上设有回流阀。微通道散热器包括左端盖、右端盖和微通道散热器基体,微通道散热器基体左右两端加工出矩形凹槽,然后与左端盖、右端盖之间进行装配,并连接固定,微通道散热器基体开有若干条矩形微通道,左右端盖上分别设有冷却流体进口和冷却流体出口。本发明具有结构简单、体积小、散热性能优良、可用于空间狭小、发热量大的发热面的散热等优点。

    一种在金属表面制备石墨烯/硅烷复合薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103628050B

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201310533443.2

    申请日:2013-11-04

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明涉及金属表面防护,特指涉及一种通过分子自组装方法在金属表面制备石墨烯/硅烷抗腐蚀复合薄膜的方法。本发明克服石墨烯薄膜与金属结合强度弱的缺点,引入含有两种不同化学官能团的硅烷偶联剂作为过渡膜层,制作出一种复合膜,复合膜由石墨烯和硅烷偶联剂组成,借助硅烷偶联剂实现金属与石墨烯间接的化学键连接,进而提高了石墨烯与金属之间的结合强度,制得的复合膜寿命长,有效提高了金属防腐性能。

    一种无基底支撑的导电聚吡咯薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN104164680A

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201310533491.1

    申请日:2013-11-04

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明涉及聚吡咯导电薄膜的制备方法,特指一种无基底支撑的导电聚吡咯薄膜的制备方法。本发明采用三电极系统,以饱和甘汞电极为参比电极,铂片电极为辅助电极,不锈钢为工作电极,采用恒电位模式进行聚合,聚合电位控制在0.6V-0.8V,聚合时间不小于60分钟,开始时聚吡咯薄膜先在不锈钢片工作电极上聚合,当不锈钢片上铺满聚吡咯薄膜后开始以不锈钢片为中心,以液面为支撑,向外铺展生长聚吡咯薄膜。采用该方法制备的聚吡咯导电薄膜,导电性能良好,无需从基底上剥离,可以方便地用于微电子器件的生产。

    一种微通道散热器及由其组成的微机电产品散热系统装置

    公开(公告)号:CN103997880A

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201410223580.0

    申请日:2014-05-26

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明涉及微机电系统,特指一种微通道散热器及由其组成的微机电产品散热系统装置。微机电产品散热系统装置由储液池,微型泵,微过滤器,微通道散热器,回流阀和管路组成;储液池、微型泵、微过滤器、微通道散热器和储液池之间依次通过管路连接,微型泵的管路出口与储液池之间设有旁通回路,旁通回路上设有回流阀。微通道散热器包括左端盖、右端盖和微通道散热器基体,微通道散热器基体左右两端加工出矩形凹槽,然后与左端盖、右端盖之间进行装配,并连接固定,微通道散热器基体开有若干条矩形微通道,左右端盖上分别设有冷却流体进口和冷却流体出口。本发明具有结构简单、体积小、散热性能优良、可用于空间狭小、发热量大的发热面的散热等优点。

    一种金属‑绝缘体层‑半导体太阳能电池

    公开(公告)号:CN104064606B

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201410313634.2

    申请日:2014-07-03

    Applicant: 江苏大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及半导体技术和光伏领域,特指一种新型金属‑绝缘体层‑半导体太阳电池。从顶层至底层依次为:Ag网格栅线、减反射层、金属薄膜、Ga2O3绝缘层、p型硅片、Al背面场;对于MIS太阳电池,少子直接随道电流较大,用Ga2O3薄膜作为绝缘层即可抑制多子电流,较好改善光伏特性,以金属薄膜费米为能级零点,以金属薄膜半导体的电流方向为正向,金属薄膜与绝缘层界面使势垒高度可随金属功函数变化,进而提高势垒高度增加电荷聚集量,提高电池效率。

    一种具有电致变色特性的双层栅介质薄膜晶体管

    公开(公告)号:CN104051543A

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201410313635.7

    申请日:2014-07-03

    Applicant: 江苏大学

    CPC classification number: H01L29/7869 H01L29/511 H01L29/517

    Abstract: 本发明涉及半导体薄膜晶体管及电致变色电子器件技术领域,特指一种电致变色双层栅介质薄膜晶体管及其制作方法。根据电致变色原理,在给晶体管施加电压时,激发晶体管中氧化钨产生变色,使晶体管的光透过特性发生变化的现象设计电致变色器件。其中利用二氧化硅的质子导电特性作为离子存储层,为电致变色提供变色所需的质子;氧化钨和二氧化硅均作为薄膜晶体管的栅介质,实现具有电致变色特性双层栅介质薄膜晶体管的制作。

    一种太阳能选择性吸收膜系及其制备方法

    公开(公告)号:CN102582150B

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201210047108.7

    申请日:2012-02-28

    Applicant: 江苏大学

    CPC classification number: Y02E10/40

    Abstract: 本发明涉及薄膜技术和太阳能技术等新能源开发技术领域,特指一种太阳能选择性吸收膜系及其制备方法。本发明采用双层AlN作为减反射层,采用单层Si作为膜系的吸收层,采用铝板作为膜系的基体,其中基体采用MEMS工艺方法处理成具有微坑结构的形状;为了使膜与基体结合良好和提高红外反射,首先在基体上镀一层铝膜,该膜系从顶层至底层依次为:双层AlN膜减反射层、单层Si吸收层、单层铝膜红外反射层。本发明具有“制备工艺简单,吸收率/发射率高”的优点;基体表面所形成的微坑结构可实现对太阳光的多次反射以增加光吸收;双层AlN膜可有力地减少膜表面对太阳光可见光的反射。

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