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公开(公告)号：CN102856434A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210322845.3
申请日：2012-09-04
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硅纳米孔阵列，特指一种单面或双面正方形硅纳米孔阵列的制备方法。本发明在较低温度条件下，利用溶液的腐蚀性和金属粒子催化性相结合，在硅表面进行刻蚀得到方形硅纳米孔阵列。具体包括硅表面清洗的步骤、氢钝化硅片表面的步骤、正方形硅纳米孔阵列的制备步骤和多余银纳米颗粒去除的步骤，其特征在于：所述正方形硅纳米孔阵列的制备步骤为：在室温暗室环境下，将已经氢钝化表面的硅片放入到三号腐蚀液中刻蚀10~60min，处理好后用去离子水反复冲洗硅片的两个表面；所述三号溶液为HF酸和AgNO3的混合溶液，其中每升混合溶液中含有的HF酸为2.4~5mol，每升混合溶液中含有的AgNO3为0.01~0.05mol。
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公开(公告)号：CN102556953A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210034487.6
申请日：2012-02-16
Applicant: 江苏大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及硅纳米线，特指一种双面硅纳米线阵列的制备方法。在较低温度条件下，利用溶液的腐蚀性和金属离子催化性相结合，在硅表面进行刻蚀得到硅纳米线阵列；包括硅表面清洗的步骤、氢钝化硅片表面的步骤、用化学镀法在硅片两个表面覆盖一层均匀的银纳米颗粒网络的步骤、双面硅纳米线阵列制备的步骤和多余银纳米颗粒去除的步骤。本发明的优点是其制备过程不需要昂贵设备和高温环境条件，具有操作简单、易控制等明显的优点，且成本低、效率高可应用于大型工业化生产。
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公开(公告)号：CN102856434B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210322845.3
申请日：2012-09-04
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硅纳米孔阵列，特指一种单面或双面正方形硅纳米孔阵列的制备方法。本发明在较低温度条件下，利用溶液的腐蚀性和金属粒子催化性相结合，在硅表面进行刻蚀得到方形硅纳米孔阵列。具体包括硅表面清洗的步骤、氢钝化硅片表面的步骤、正方形硅纳米孔阵列的制备步骤和多余银纳米颗粒去除的步骤，其特征在于：所述正方形硅纳米孔阵列的制备步骤为：在室温暗室环境下，将已经氢钝化表面的硅片放入到三号腐蚀液中刻蚀10～60min，处理好后用去离子水反复冲洗硅片的两个表面；所述三号溶液为HF酸和AgNO3的混合溶液，其中每升混合溶液中含有的HF酸为2.4～5mol，每升混合溶液中含有的AgNO3为0.01～0.05mol。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103594535A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310012321.9
申请日：2013-01-14
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/06 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/035254 , H01L31/028 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种硅纳米线量子阱太阳能电池，沿太阳光入射方向依次为Ti/Pd/Ag栅形电极、透明掺铝氧化锌（AZO）导电层薄膜、n+欧姆接触层、n层、nc-Si:H/SiNx超晶格量子阱、p+欧姆接触层和Al背电极，所述太阳能电池采用p型硅纳米线阵列支撑nc-Si:H/SiNx超晶格量子阱以及所示太阳能电池的制备方法，该新型太阳电池具有“高陷光、高效率，低成本和长寿命”的优点。在硅纳米线阵列表面形成渐变式量子阱材料，大大提高了太阳电池陷光效果，同时拓宽了太阳电池的光吸收谱，形成了一种近似全光谱的nc-Si:H/SiNx超晶格量子阱太阳电池。
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公开(公告)号：CN102582150A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210047108.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: Y02E10/40
Abstract: 本发明涉及薄膜技术和太阳能技术等新能源开发技术领域，特指一种太阳能选择性吸收膜系及其制备方法。本发明采用双层AlN作为减反射层，采用单层Si作为膜系的吸收层，采用铝板作为膜系的基体，其中基体采用MEMS工艺方法处理成具有微坑结构的形状；为了使膜与基体结合良好和提高红外反射，首先在基体上镀一层铝膜，该膜系从顶层至底层依次为：双层AlN膜减反射层、单层Si吸收层、单层铝膜红外反射层。本发明具有“制备工艺简单，吸收率/发射率高”的优点；基体表面所形成的微坑结构可实现对太阳光的多次反射以增加光吸收；双层AlN膜可有力地减少膜表面对太阳光可见光的反射。
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公开(公告)号：CN102544200B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201110429484.8
申请日：2011-12-20
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳电池，特指一种纳米太阳电池陷光结构的制备方法。通过硅片清洗、掩饰网络形成、金属薄膜的溅射制备、纳米阵列结构形成和表面杂质去除等5个步骤制备了可降低入射光反射率的纳米阵列。本发明具有均匀性良好、制备成本低、操作简便、易于大面积生产等优点。
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公开(公告)号：CN102582150B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201210047108.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: Y02E10/40
Abstract: 本发明涉及薄膜技术和太阳能技术等新能源开发技术领域，特指一种太阳能选择性吸收膜系及其制备方法。本发明采用双层AlN作为减反射层，采用单层Si作为膜系的吸收层，采用铝板作为膜系的基体，其中基体采用MEMS工艺方法处理成具有微坑结构的形状；为了使膜与基体结合良好和提高红外反射，首先在基体上镀一层铝膜，该膜系从顶层至底层依次为：双层AlN膜减反射层、单层Si吸收层、单层铝膜红外反射层。本发明具有“制备工艺简单，吸收率/发射率高”的优点；基体表面所形成的微坑结构可实现对太阳光的多次反射以增加光吸收；双层AlN膜可有力地减少膜表面对太阳光可见光的反射。
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公开(公告)号：CN102544200A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110429484.8
申请日：2011-12-20
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳电池，特指一种纳米太阳电池陷光结构的制备方法。通过硅片清洗、掩饰网络形成、金属薄膜的溅射制备、纳米阵列结构形成和表面杂质去除等5个步骤制备了可降低入射光反射率的纳米阵列。本发明具有均匀性良好、制备成本低、操作简便、易于大面积生产等优点。
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