公开(公告)号：CN104164680A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201310533491.1

申请日：2013-11-04

Applicant: 江苏大学

Inventor： 程广贵 ,  石阳阳 ,  丁建宁 ,  张忠强 ,  郭立强 ,  濮华胜 ,  凌智勇

IPC: C25B3/00

Abstract: 本发明涉及聚吡咯导电薄膜的制备方法，特指一种无基底支撑的导电聚吡咯薄膜的制备方法。本发明采用三电极系统，以饱和甘汞电极为参比电极，铂片电极为辅助电极，不锈钢为工作电极，采用恒电位模式进行聚合，聚合电位控制在0.6V-0.8V，聚合时间不小于60分钟，开始时聚吡咯薄膜先在不锈钢片工作电极上聚合，当不锈钢片上铺满聚吡咯薄膜后开始以不锈钢片为中心，以液面为支撑，向外铺展生长聚吡咯薄膜。采用该方法制备的聚吡咯导电薄膜，导电性能良好，无需从基底上剥离，可以方便地用于微电子器件的生产。

公开(公告)号：CN104164680B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201310533491.1

申请日：2013-11-04

Applicant: 江苏大学

Inventor： 程广贵 ,  石阳阳 ,  丁建宁 ,  张忠强 ,  郭立强 ,  濮华胜 ,  凌智勇

IPC: C25B3/00

Abstract: 本发明涉及聚吡咯导电薄膜的制备方法，特指一种无基底支撑的导电聚吡咯薄膜的制备方法。本发明采用三电极系统，以饱和甘汞电极为参比电极，铂片电极为辅助电极，不锈钢为工作电极，采用恒电位模式进行聚合，聚合电位控制在0.6V‑0.8V，聚合时间不小于60分钟，开始时聚吡咯薄膜先在不锈钢片工作电极上聚合，当不锈钢片上铺满聚吡咯薄膜后开始以不锈钢片为中心，以液面为支撑，向外铺展生长聚吡咯薄膜。采用该方法制备的聚吡咯导电薄膜，导电性能良好，无需从基底上剥离，可以方便地用于微电子器件的生产。