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公开(公告)号：CN115046934B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210712285.6
申请日：2022-06-22
Applicant: 武汉大学
Abstract: 公开了一种用于先进纳米半导体技术节点的多过程、实时测量系统，通过光路转换模块，改变光路方向，使同一光源发输出的光线通过光路转换模块后进入散射测量光路或者椭偏测量光路。既能够实时在线测量不同工序下的待测样品，同时可以灵活切换不同的测量模式。充分利用散射测量或者椭偏测量技术的特性，从而实现单波长、多角度和多波长、单角度测量结果之间的切换，使得测量结果多样化。将多种检测方法有机的结合起来，为先进纳米半导体技术节点的检测方案提供一站式解决方案。
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公开(公告)号：CN114963979A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210487425.4
申请日：2022-05-06
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种基于深度学习的3D NAND存储器层叠结构关键尺寸测量方法，包括：基于3D NAND存储器的不同层叠结构的关键尺寸与光谱数据的预设数据集，建立匹配的正向网络模型以及串联网络模型；在正向网络模型中，以关键尺寸P作为输入，输出为光谱数据O；在串联网络模型中，以光谱数据R作为逆向网络模型的输入，再以逆向网络模型输出的关键尺寸P′作为正向网络模型的输入，使串联网络模型输出光谱数据O；测量得到目标3D NAND存储器的实际光谱数据；将该实际光谱数据输入串联网络模型中后，将逆向网络模型输出的关键尺寸作为该目标3D NAND存储器的层叠结构的关键尺寸，通过逆向网络模型串联正向网络模型，使网络顺利收敛，提高模型预测精确度。
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公开(公告)号：CN114485394A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210005296.0
申请日：2022-01-05
Applicant: 武汉大学
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明属于光学测量技术领域，公开了一种双工作台光学散射测量系统，包括从内向外依次同心设置的样品转台、内转台和外转台；样品转台用于放置待测样品，内转台上安装有光源组件和对准装置，光源组件包括光源支架和激光源，激光源安装在光源支架上，对准装置设置在激光源的光路上，用于对待测样品的入射光线进行对准调整；外转台上安装有检测组件，检测组件包括检测装置支架和探测器，探测器安装在检测装置支架上，检测组件用于对待测样品进行测量；样品转台、内转台和外转台分别按照预设的旋转角度进行转动，以调整待测样品的入射光线的入射角和测量角，并调节入射光线的对准角度。本发明可以同时实现光线对准和测量。
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公开(公告)号：CN118668293B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410712478.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种集成原位测量的分子束外延薄膜生长系统，属于半导体薄膜测量技术领域，所述生长系统包括，真空反应腔室，设置有安装口且底端部分或全部由透光材料构成，用于提供反应环境，安装口用于安装炉源；样品台，设置于真空反应腔室内；第一驱动组件，设置于真空反应腔室外且通过连杆与样品台连接，用于驱动样品台和调节样品台的位置；宽光谱监测装置，设置于真空反应腔室的底部，包括第二驱动组件和监测组件；第二驱动组件带动的监测组件与第一驱动组件驱动的样品台上的样品保持同步运动，获取薄膜生长的信息。本发明可实现半导体薄膜厚度非接触式、原位在线监测，在不影响薄膜生长的情况下得到精确的薄膜厚度数据。
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公开(公告)号：CN108412534A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810168445.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超声雾化、凝聚的煤矿除尘装置，包括由鼓风机、真空泵和连接管道形成的负压管路，所述负压管路上依次设置有旋风分离器、超声波雾化器、压力阀、凝聚室，所述旋风分离器与鼓风机连接，所述真空泵还与集尘器连接，其中凝聚室内设置有超声波振荡器，凝聚室出口处还设置有吸音海绵。该装置易于实施且效率较高，有效降低煤矿巷道空气中煤粉含量的目的，避免煤粉爆炸等恶性事故的发生，保证煤矿巷道开采过程的安全进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118758875B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410712484.6
申请日：2024-06-04
Applicant: 武汉大学
IPC: G01N21/25 , G06N3/0442 , G06N3/084 , G06N3/0985 , H01L21/66 , C30B23/00 , G01N21/21 , G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种分子束外延半导体薄膜生长均匀性原位监测方法及系统，方法包括，获取不同分子束外延生长状态下制备的半导体薄膜的光谱信息和反映半导体薄膜生长均匀性的表征数据，并构建数据库；根据数据库训练得到半导体薄膜生长均匀性识别模型；获取样品表面外延生长的半导体薄膜的实时光谱信息，结合半导体薄膜生长均匀性识别模型，得到分子束外延半导体薄膜生长情况。本发明结合原位监测的薄膜光谱信息结合人工智能算法能够实现半导体薄膜掺杂浓度非接触式、原位在线监测。本发明能够实时采集薄膜的光学特性数据，快速处理大量复杂的光学数据，自动提取特征并进行模式识别高效处理和分析能力，实现对薄膜均匀性的高效实时监测。
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公开(公告)号：CN115662479B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202211349887.6
申请日：2022-10-31
Applicant: 武汉大学
IPC: G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B7/243
Abstract: 本发明提供了一种光信息存储方法及读取方法，该存储方法包括：步骤S1、基于待存储的目标数据确定匹配的微纳存储结构的组成，微纳存储结构中包括至少一个存储单元；步骤S2、基于预设编码规则对存储单元进行编码；步骤S3、根据编码后的存储单元对目标数据进行数据转换；步骤S4、通过光刻技术进行存储。通过微纳存储结构的存储单元在平面内旋转不同角度来对目标数据进行编码，即单个存储单元仅以不同旋转角度可以对应出多种编码，实现了平面二维空间内对光信息的高分辨率和高密度存储。进一步建立存储单元不同旋转角度下的光谱信息与编码信息之间的关系构建数据集，深度学习得到数据读取模型，通过输入光谱信息即可高效快速读取数据。
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公开(公告)号：CN112699095B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202011584307.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种基于ANN的光学特性建模数据库生成方法，包括以下步骤：生成ANN的训练数据，训练数据至少包括：光学特征参数以及光栅尺寸参数；基于ANN训练模型对光栅尺寸参数进行训练，从而学习得到光学特征参数与光栅尺寸参数的训练标签之间的映射关系；对步骤S2中的光栅尺寸参数训练的质量进行评价；基于光学测量手段得到的真实的光学特征参数，对步骤S2训练得到的模型产生的光栅尺寸参数进行实验验证；通过步骤S3的反复学习优化和步骤S4的实验验证得到光学特征参数和光栅尺寸参数之间的准确映射关系，以此建立光学特性建模数据库，从而解决了现有的光学特性建模数据库生成方法难以省时高效建立相对准确数据库的缺点。
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公开(公告)号：CN115438065A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210945212.1
申请日：2022-08-08
Applicant: 武汉大学
IPC: G06F16/242 , G06N3/00
Abstract: 本发明公开了一种用于OCD测量匹配的库搜索方法，包括：实验测量目标结构的实验特征光谱数据；确定该目标结构的参数组的范围值与搜索精度值；建立第一数据库和第二数据库，第一数据库内包含根据参数组的范围值仿真生成的多个第一仿真特征光谱数据，第二数据库为空的数据库；初始化搜索模式、搜索位置及搜索速度由第一数据库生成一批粒子群；初始化该粒子群的个体极值和全局极值；基于搜索模式和实验特征光谱数据获取所有粒子的匹配误差；基于匹配误差获取当前的个体极值，并更新全局极值；在满足搜索终止条件时，基于对应的全局极值获得个体最优解，以获取对应粒子的参数作为目标结构的结构参数。本发明避免大量数据冗余，提高了匹配效率和精度。
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公开(公告)号：CN114623777A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210154984.3
申请日：2022-02-21
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于芯片结构测量技术领域，公开了一种堆叠纳米片结构的测量模型构建方法、测量方法。本发明将成分测量值引入至OCD初始模型并作为约束条件，可以减少OCD模型中牺牲层横向刻蚀深度值的迭代范围，减少测量误差，能够有效提高堆叠纳米片结构横向刻蚀深度测量的稳定度，对OCD初始模型中所有牺牲层的刻蚀深度灵敏度进行逐层分析，判断是否存在刻蚀深度灵敏度一致的牺牲层，若存在则进行模型优化，确保所有牺牲层对应不同的刻蚀深度灵敏度，能够防止测量过程中产生信号串扰，提高测量精度。
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