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公开(公告)号：CN118758875B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410712484.6
申请日：2024-06-04
Applicant: 武汉大学
IPC: G01N21/25 , G06N3/0442 , G06N3/084 , G06N3/0985 , H01L21/66 , C30B23/00 , G01N21/21 , G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种分子束外延半导体薄膜生长均匀性原位监测方法及系统，方法包括，获取不同分子束外延生长状态下制备的半导体薄膜的光谱信息和反映半导体薄膜生长均匀性的表征数据，并构建数据库；根据数据库训练得到半导体薄膜生长均匀性识别模型；获取样品表面外延生长的半导体薄膜的实时光谱信息，结合半导体薄膜生长均匀性识别模型，得到分子束外延半导体薄膜生长情况。本发明结合原位监测的薄膜光谱信息结合人工智能算法能够实现半导体薄膜掺杂浓度非接触式、原位在线监测。本发明能够实时采集薄膜的光学特性数据，快速处理大量复杂的光学数据，自动提取特征并进行模式识别高效处理和分析能力，实现对薄膜均匀性的高效实时监测。
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公开(公告)号：CN118668293B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410712478.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种集成原位测量的分子束外延薄膜生长系统，属于半导体薄膜测量技术领域，所述生长系统包括，真空反应腔室，设置有安装口且底端部分或全部由透光材料构成，用于提供反应环境，安装口用于安装炉源；样品台，设置于真空反应腔室内；第一驱动组件，设置于真空反应腔室外且通过连杆与样品台连接，用于驱动样品台和调节样品台的位置；宽光谱监测装置，设置于真空反应腔室的底部，包括第二驱动组件和监测组件；第二驱动组件带动的监测组件与第一驱动组件驱动的样品台上的样品保持同步运动，获取薄膜生长的信息。本发明可实现半导体薄膜厚度非接触式、原位在线监测，在不影响薄膜生长的情况下得到精确的薄膜厚度数据。
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公开(公告)号：CN118758875A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410712484.6
申请日：2024-06-04
Applicant: 武汉大学
IPC: G01N21/25 , G06N3/0442 , G06N3/084 , G06N3/0985 , H01L21/66 , C30B23/00 , G01N21/21 , G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种分子束外延半导体薄膜生长均匀性原位监测方法及系统，方法包括，获取不同分子束外延生长状态下制备的半导体薄膜的光谱信息和反映半导体薄膜生长均匀性的表征数据，并构建数据库；根据数据库训练得到半导体薄膜生长均匀性识别模型；获取样品表面外延生长的半导体薄膜的实时光谱信息，结合半导体薄膜生长均匀性识别模型，得到分子束外延半导体薄膜生长情况。本发明结合原位监测的薄膜光谱信息结合人工智能算法能够实现半导体薄膜掺杂浓度非接触式、原位在线监测。本发明能够实时采集薄膜的光学特性数据，快速处理大量复杂的光学数据，自动提取特征并进行模式识别高效处理和分析能力，实现对薄膜均匀性的高效实时监测。
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公开(公告)号：CN118668293A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410712478.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种集成原位测量的分子束外延薄膜生长系统，属于半导体薄膜测量技术领域，所述生长系统包括，真空反应腔室，设置有安装口且底端部分或全部由透光材料构成，用于提供反应环境，安装口用于安装炉源；样品台，设置于真空反应腔室内；第一驱动组件，设置于真空反应腔室外且通过连杆与样品台连接，用于驱动样品台和调节样品台的位置；宽光谱监测装置，设置于真空反应腔室的底部，包括第二驱动组件和监测组件；第二驱动组件带动的监测组件与第一驱动组件驱动的样品台上的样品保持同步运动，获取薄膜生长的信息。本发明可实现半导体薄膜厚度非接触式、原位在线监测，在不影响薄膜生长的情况下得到精确的薄膜厚度数据。
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