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公开(公告)号：CN118758875B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410712484.6
申请日：2024-06-04
Applicant: 武汉大学
IPC: G01N21/25 , G06N3/0442 , G06N3/084 , G06N3/0985 , H01L21/66 , C30B23/00 , G01N21/21 , G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种分子束外延半导体薄膜生长均匀性原位监测方法及系统，方法包括，获取不同分子束外延生长状态下制备的半导体薄膜的光谱信息和反映半导体薄膜生长均匀性的表征数据，并构建数据库；根据数据库训练得到半导体薄膜生长均匀性识别模型；获取样品表面外延生长的半导体薄膜的实时光谱信息，结合半导体薄膜生长均匀性识别模型，得到分子束外延半导体薄膜生长情况。本发明结合原位监测的薄膜光谱信息结合人工智能算法能够实现半导体薄膜掺杂浓度非接触式、原位在线监测。本发明能够实时采集薄膜的光学特性数据，快速处理大量复杂的光学数据，自动提取特征并进行模式识别高效处理和分析能力，实现对薄膜均匀性的高效实时监测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118410715A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410642638.9
申请日：2024-05-23
Applicant: 武汉大学深圳研究院
IPC: G06F30/27 , G06N3/006 , G06N3/02 , G06F119/14 , G06F111/06
Abstract: 本发明提供一种基于改进粒子群算法的半导体薄膜厚度均匀性优化方法，包括：确定半导体薄膜生长的不同工艺参数与均匀性优化目标；构建半导体薄膜生长模型进行分子动力学仿真，获取样本数据集；基于预设神经网络构建薄膜参数厚度关系模型，利用薄膜参数厚度关系模型对样本数据集进行扩充；采用改进粒子群优化算法对扩充样本数据集的参数寻优过程进行优化，得到多目标优化模型。本发明通过利用分子动力学模拟薄膜生长过程，结合神经网络模型与支持向量回归模型联合预测，扩充样本数据集，并采用改进的粒子群优化算法，将粒子寻优和多任务进化算法相结合对数据进行分析，获取最优厚度均匀性下的工艺参数，从而为高性能高可靠性器件设计提供技术支撑。
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公开(公告)号：CN118758875A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410712484.6
申请日：2024-06-04
Applicant: 武汉大学
IPC: G01N21/25 , G06N3/0442 , G06N3/084 , G06N3/0985 , H01L21/66 , C30B23/00 , G01N21/21 , G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种分子束外延半导体薄膜生长均匀性原位监测方法及系统，方法包括，获取不同分子束外延生长状态下制备的半导体薄膜的光谱信息和反映半导体薄膜生长均匀性的表征数据，并构建数据库；根据数据库训练得到半导体薄膜生长均匀性识别模型；获取样品表面外延生长的半导体薄膜的实时光谱信息，结合半导体薄膜生长均匀性识别模型，得到分子束外延半导体薄膜生长情况。本发明结合原位监测的薄膜光谱信息结合人工智能算法能够实现半导体薄膜掺杂浓度非接触式、原位在线监测。本发明能够实时采集薄膜的光学特性数据，快速处理大量复杂的光学数据，自动提取特征并进行模式识别高效处理和分析能力，实现对薄膜均匀性的高效实时监测。
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公开(公告)号：CN117300169A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311168467.2
申请日：2023-09-08
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种多材料预粘结激光3D打印装置及成形方法，上述打印装置包括加工仓组件、储粉仓组件、储胶仓组件、出料组件、混粉仓组件、压实组件以及激光组件。利用上述装置打印的方法为：1)将零件的三维结构进行切片处理，获得多个切片层和每层切片中零件的内部轮廓和外部轮廓信息及材质；2)由下往上依据每层切片中零件的材质储胶仓组件及对应分仓体放料，混粉仓组件混料后保温释放于基板上；3)压实组件压实物料，以避免因温度梯度导致切片层产生缺陷；4)基板下移对应距离；5)重复2)‑4)进行逐层打印至打印完毕。本发明中对打印物料进行预粘结后再进行打印，以减少飞溅和铺粉层被破坏产生的质量问题。
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公开(公告)号：CN118668293A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410712478.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种集成原位测量的分子束外延薄膜生长系统，属于半导体薄膜测量技术领域，所述生长系统包括，真空反应腔室，设置有安装口且底端部分或全部由透光材料构成，用于提供反应环境，安装口用于安装炉源；样品台，设置于真空反应腔室内；第一驱动组件，设置于真空反应腔室外且通过连杆与样品台连接，用于驱动样品台和调节样品台的位置；宽光谱监测装置，设置于真空反应腔室的底部，包括第二驱动组件和监测组件；第二驱动组件带动的监测组件与第一驱动组件驱动的样品台上的样品保持同步运动，获取薄膜生长的信息。本发明可实现半导体薄膜厚度非接触式、原位在线监测，在不影响薄膜生长的情况下得到精确的薄膜厚度数据。
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公开(公告)号：CN118668293B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410712478.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种集成原位测量的分子束外延薄膜生长系统，属于半导体薄膜测量技术领域，所述生长系统包括，真空反应腔室，设置有安装口且底端部分或全部由透光材料构成，用于提供反应环境，安装口用于安装炉源；样品台，设置于真空反应腔室内；第一驱动组件，设置于真空反应腔室外且通过连杆与样品台连接，用于驱动样品台和调节样品台的位置；宽光谱监测装置，设置于真空反应腔室的底部，包括第二驱动组件和监测组件；第二驱动组件带动的监测组件与第一驱动组件驱动的样品台上的样品保持同步运动，获取薄膜生长的信息。本发明可实现半导体薄膜厚度非接触式、原位在线监测，在不影响薄膜生长的情况下得到精确的薄膜厚度数据。
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