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公开(公告)号：CN117424060A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311305741.6
申请日：2023-10-08
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于散热技术领域，公开了一种适用于激光器镜片的散热装置及方法。本发明提供的散热装置包括高压电源、绝缘框架和多组离子风发生单元；绝缘框架用于与线光谱共焦传感器中的激光器镜片过盈配合，以固定激光器镜片；离子风发生单元均固定在绝缘框架上；每组离子风发生单元均包括多个针尖电极和一个导电极板，针尖电极的尾端与高压电源的正极连接，导电极板与高压电源的负极连接；每组离子风发生单元中的针尖电极与导电极板相对设置以在其之间形成离子风，实现对激光器镜片的散热。本发明能够对线光谱共焦传感器的激光器镜片进行散热的同时确保线光谱共焦传感器的稳定性和精度基本不受影响。
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公开(公告)号：CN116403927A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310297832.3
申请日：2023-03-24
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/66 , G06F18/241
Abstract: 本发明属于纳米表征技术领域，公开了一种深孔刻蚀缺陷形貌的表征方法及系统。本发明首先通过散射测量选取满足高灵敏度条件的入射角，然后基于此入射角进行椭偏测量，进而利用深度学习判断深孔刻蚀缺陷类型；之后先增大入射角以适用掩膜检测，然后基于增大后的入射角进行椭偏测量、掩膜变形闭环判断，最终得到缺陷类型结论。本发明充分利用散射测量、椭偏测量和深度学习技术的特性，能够在深孔刻蚀过程中实现在线、无损的表征，能够为高深宽比、刻蚀垂直且上下孔径一致的刻蚀通孔的检测提供一站式解决方案。
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公开(公告)号：CN114485394B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210005296.0
申请日：2022-01-05
Applicant: 武汉大学
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明属于光学测量技术领域，公开了一种双工作台光学散射测量系统，包括从内向外依次同心设置的样品转台、内转台和外转台；样品转台用于放置待测样品，内转台上安装有光源组件和对准装置，光源组件包括光源支架和激光源，激光源安装在光源支架上，对准装置设置在激光源的光路上，用于对待测样品的入射光线进行对准调整；外转台上安装有检测组件，检测组件包括检测装置支架和探测器，探测器安装在检测装置支架上，检测组件用于对待测样品进行测量；样品转台、内转台和外转台分别按照预设的旋转角度进行转动，以调整待测样品的入射光线的入射角和测量角，并调节入射光线的对准角度。本发明可以同时实现光线对准和测量。
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公开(公告)号：CN114623777B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210154984.3
申请日：2022-02-21
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于芯片结构测量技术领域，公开了一种堆叠纳米片结构的测量模型构建方法、测量方法。本发明将成分测量值引入至OCD初始模型并作为约束条件，可以减少OCD模型中牺牲层横向刻蚀深度值的迭代范围，减少测量误差，能够有效提高堆叠纳米片结构横向刻蚀深度测量的稳定度，对OCD初始模型中所有牺牲层的刻蚀深度灵敏度进行逐层分析，判断是否存在刻蚀深度灵敏度一致的牺牲层，若存在则进行模型优化，确保所有牺牲层对应不同的刻蚀深度灵敏度，能够防止测量过程中产生信号串扰，提高测量精度。
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公开(公告)号：CN115291306A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210882957.8
申请日：2022-07-26
Applicant: 武汉大学
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明涉及光学仿生的技术领域，具体涉及一种具有变焦性能的仿生复眼结构的制备方法，包括以下步骤：在衬底表面制备具有变焦性能的微透镜阵列；在微透镜阵列表面沉积聚二甲基硅氧烷，固化处理后将将其与微透镜阵列分离，得到聚二甲基硅氧烷的凹透镜阵列；将聚二甲基硅氧烷的凹透镜阵列贴合在曲面基底表面；将固化剂注入聚二甲基硅氧烷的凹透镜阵列的表面，并进行固化；将聚二甲基硅氧烷从曲面基底表面分离，即可得到具有变焦性能的仿生复眼结构。本发明的制备方法制备的仿生复眼结构既具有传统仿生复眼的宽视角感知能力，又具有变焦微透镜阵列的深度感知等能力，还具有信息共享功能，可以实现平面变焦成像与曲面变焦成像及可以对信息进行共享。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115145107A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210879116.1
申请日：2022-07-25
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种基于表面微纳结构产生光学和疏水性能的投影幕布及制备方法，投影幕布包括：PDMS柔性基底；微米级凹形反射镜阵列，形成于PDMS柔性基底的下层，包括多个间隔设置的凹形反射镜；多个纳米级沟槽疏水结构，形成于PDMS柔性基底的上层，每个纳米级沟槽疏水结构均对应于相邻的两个凹形反射镜之间，并且分别包括相间隔设置的多个沟槽和多个凸起。制备方法包括采用激光直写3D光刻技术将投影幕布结构制备到光刻胶上；基于光刻胶的结构制备PDMS模具；将PDMS模具的结构特征转印至PDMS柔性基底上；在柔性基底表面磁控溅射镀银投影幕布。本发明利用微形凹反射镜阵列和纳米级沟槽疏水结构，使投影幕布具有153.7°水滴接触角、2.1°水滴滚动角、增益倍数达到了2.32。
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公开(公告)号：CN114815053A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210479861.7
申请日：2022-05-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种SOI基锥形结构的边缘耦合器及其制备方法，边缘耦合器是位于SOI基片顶部硅层上的锥形结构；顶部硅层的锥形结构包括入射锥形波导和出光波导，锥形波导从入射端开始在平行于SOI基片的方向和垂直于SOI基片两个方向尺寸缩小渐变。制备时，首先在SOI基片顶部均匀涂覆光刻胶，然后曝光、显影，在光刻胶上得到锥形结构图案，之后利用干法刻蚀技术将光刻胶上的图案转移至顶部硅层，利用聚焦离子束对锥形结构的入射端进行降低粗糙度处理，并沉积二氧化硅作为包覆层；最后对入射端进行抛光处理后完成边缘耦合器的制备。本发明结构简单、使用方便、耦合效率高。
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公开(公告)号：CN112685889B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202011573097.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种用于检测系统缺陷的简化测试结构设计方法，包括：步骤S1、模拟计算出实际器件的最终工艺窗口，模拟计算出实际器件工艺窗口以外的系统缺陷；步骤S2、依据实际器件制程仿真的结果提取关键结构；步骤S3、根据提取的关键结构进行简化测试结构的设计；步骤S4、将设计的简化测试结构作为仿真模型的输入，模拟计算出简化测试结构制程最终的系统缺陷；步骤S5、对比实际器件制程仿真与简化测试结构制程仿真在相同工艺窗口下所产生的系统缺陷信息是否一致，本发明采用了仿真手段与实验验证相结合的简化测试结构设计方法，依据两个制程仿真结果进行系统缺陷对比进行简化测试结构设计，并在仿真后进行实验验证，确保仿真设计可靠性。
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公开(公告)号：CN111458985B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010249063.6
申请日：2020-04-01
Applicant: 武汉大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于光学技术领域，公开了一种光刻中颗粒类污染的测量方法，通过光学测量得到颗粒类污染的测量光谱，通过建模仿真得到颗粒类污染的模拟光谱数据库；通过数值拟合，在模拟光谱数据库中寻求与测量光谱相匹配的光谱作为拟合光谱，将拟合光谱对应的物理模型作为匹配物理模型；从匹配物理模型中读取颗粒的参数信息，作为颗粒类污染的测量结果，根据测量结果判断颗粒类污染的类型。本发明解决了现有技术中测量光刻过程中污染的分辨率较低、测量速度较慢的问题。本发明可以对光刻过程中的污染进行实时测量，且测量的分辨率高、测量速度快，能够判断出颗粒类污染的具体类型。
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公开(公告)号：CN112853263A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011628364.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种利用光刻校正补偿精细金属蒸镀网形变误差的方法，采用光刻的校正来补偿精细金属掩膜板形变带来的工艺问题，该方法包括以下步骤：步骤S1、获取精细金属掩膜板样品的形变误差参数；步骤S2、基于获取到的形变误差参数调整光刻参数以使光刻得到的基板的形变误差与所述精细金属掩膜板样品的形变误差相一致。本发明针对OLED制作过程中，由于FMM因应力等原因产生平移、旋转、局部放大等形变缺点，通过获取FMM的形变参数并调整基板的光刻参数来适应FMM的形变误差，从而在蒸镀过程中保证蒸镀图像或图案的准确性。
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