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公开(公告)号：CN114815053A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210479861.7
申请日：2022-05-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种SOI基锥形结构的边缘耦合器及其制备方法，边缘耦合器是位于SOI基片顶部硅层上的锥形结构；顶部硅层的锥形结构包括入射锥形波导和出光波导，锥形波导从入射端开始在平行于SOI基片的方向和垂直于SOI基片两个方向尺寸缩小渐变。制备时，首先在SOI基片顶部均匀涂覆光刻胶，然后曝光、显影，在光刻胶上得到锥形结构图案，之后利用干法刻蚀技术将光刻胶上的图案转移至顶部硅层，利用聚焦离子束对锥形结构的入射端进行降低粗糙度处理，并沉积二氧化硅作为包覆层；最后对入射端进行抛光处理后完成边缘耦合器的制备。本发明结构简单、使用方便、耦合效率高。
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公开(公告)号：CN117130094A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310903018.1
申请日：2023-07-21
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开一种低损耗传输的三维直角弯曲波导，所述三维直角弯曲波导为波导高度发生变化的三维结构，包括至少一个90°弯曲部；所述90°弯曲部的波导截面为非对称结构，波导截面从内向外的高度为渐变型且波导传输中心外侧大于波导传输中心内侧的高度；该三维高度变化的设计可降低导模在高度固定的二维平面弯曲波导中传输时产生的传输中心内外侧相速度差导致的有效折射率差，提高对光传输时导模的限制，降低弯曲波导的辐射泄漏损耗；还公开对应设计方法及加工工艺；此三维弯曲波导制作工艺简单，可降低弯曲波导的制备成本。
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公开(公告)号：CN114815057A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210479856.6
申请日：2022-05-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种聚焦型垂直光栅耦合器及其制备方法，扇形聚焦光栅结构位于SOI基片顶部的顶硅层，顶硅波导层包括扇形聚焦光栅波导结构和条形波导结构。制备时，先在顶部硅层上沉积一层多晶硅；然后涂覆光刻胶；之后对光刻胶进行曝光和显影，得到光刻胶层聚焦光栅波导结构图形；通过反应离子刻蚀，将光刻胶层聚焦光栅波导结构图形转移到顶部硅层上，得到扇形聚焦光栅波导结构和条形波导结构；并在顶硅波导层上方沉积二氧化硅包覆层；在扇形聚焦光栅波导结构上方的二氧化硅包覆层上蚀刻出聚焦凸透镜，得到带透镜聚焦型垂直光栅耦合器。本发明改变了垂直光栅耦合器的结构，增大了耦合光源，增强了光栅上衍射光的干涉，提高了对准容差和耦合效率。
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公开(公告)号：CN117092749A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310951412.2
申请日：2023-07-31
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开一种高效率光波传输的弯曲波导，其特征在于：包括从下到上依次布置的硅基衬底、氧埋层、顶硅波导层及包覆层；顶硅波导层内设置三维结构的90°直角弯曲波导，90°直角弯曲波导位于顶硅波导层并与其底部的氧埋层和其上方的包覆层接触；所述90°直角弯曲波导的传输中心内外侧的高度不同,内侧高度小于外侧高度,90°直角弯曲波导的截面设计为台阶状六边形截面或非对称半圆截面；可减少弯曲波导向周围包层的辐射损耗，从而有效提高光波的传输效率；还公开对应设计方法及加工工艺；此弯曲波导的制作工艺成本低，易于实现；容易推广到其在模分复用器和模解复用器的工程应用。
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