公开(公告)号：CN1038162A

公开(公告)日：1989-12-20

申请号：CN89103429.3

申请日：1989-05-25

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 原田谨尔 ,  池田恭一 ,  桑山秀树 ,  小林隆 ,  西川直 ,  渡边哲也 ,  吉田隆司

IPC: G01L1/10

CPC classification number: G01H13/00 ,  G01L9/0019 ,  Y10T29/49103

Abstract: 本发明涉及一种振动型传感器，其中H形振子与硅基片形成整体，在周围有一个空腔，连同放大器一起，在其固有频率上保持自激振荡；当施加到硅基片上一定物理量，如力、压力、差压等时，振子的固有频率随该物理量而变化，通过变化检测物理量；通过半导体技术制造该振动型传感器的工艺；维持空腔内真空的工艺；给予振子初始应力的结构，以及使自激振荡稳定工作的放大器结构。

公开(公告)号：CN1140836A

公开(公告)日：1997-01-22

申请号：CN96107577.5

申请日：1996-05-29

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 池田恭一 ,  渡边哲也 ,  福原聪 ,  吉田隆司 ,  本秀郎

IPC: G01L1/20

CPC classification number: G01L13/025 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/045 ,  G01L15/00

Abstract: 一种半导体差示压力测量装置，包括使用微加工技术安设在半导体基片上的两个测量膜片和两个检测传感器，以及计算这两个传感器之间的输出差的计算电路。此外，计算电路可以被布置成仅仅使用至少一个第一传感器和一个第二传感器(各在一个测量膜片上)来构成所需要的桥式电路，以减少制作成本。

公开(公告)号：CN1052538C

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：CN93117514.3

申请日：1993-09-10

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 池田恭一 ,  渡边哲也 ,  冢本秀郎 ,  工藤贵裕 ,  长井浩二 ,  福原聪

IPC: G01L7/08

Abstract: 一种含有其两侧设有测量室的测量膜片的半导体式差压测量装置，包括第一室与第一室连通的第一连通孔、凹形部分、第二连通孔、应变检出元件，还包括设置在硅基片上的第二室及一个支承基片。该装置在允许的测量检限内检出差压，但当施加过压时，测量膜片直接由测量室的壁支持以防止膜片被过压所损坏。因此，该装置不需要抗过压的附加保护机构。

公开(公告)号：CN1149931A

公开(公告)日：1997-05-14

申请号：CN96190266.3

申请日：1996-03-28

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 渡边哲也 ,  工藤贵裕 ,  池田恭一

IPC: H01L29/84 ,  G01L9/04

CPC classification number: G01L9/0042 ,  G01L9/0054

Abstract: 一种半导体压力传感器，其特征在于具备有：单晶硅衬底；设置在该单晶硅衬底上用以形成由外延生长法制备的测量薄膜，并作为该薄膜在承受过大压力时的背面支撑的具有确定狭小间隙的密闭空腔；以及在由前述单晶硅构成的测量薄膜上制作的应变检测元件。

公开(公告)号：CN1100198A

公开(公告)日：1995-03-15

申请号：CN93117514.3

申请日：1993-09-10

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 池田恭一 ,  渡边哲也 ,  本秀郎 ,  工藤贵裕 ,  长井浩二 ,  福原聪

IPC: G01L13/02

Abstract: 一种半导体式差压测量装置，它含有一个周边固定的测量膜片和两个各有预定间隔的沿所述的测量膜片两表面的测量室。该装置在允许的测量极限内检出差压，但当施加过压时，测量膜片直接由测量室的壁支持以防止膜片被过压所损坏。因此，该装置不需要抗过压的附加保护机构。

公开(公告)号：CN1013407B

公开(公告)日：1991-07-31

申请号：CN89103429.3

申请日：1989-05-25

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 原田谨尔 ,  池田恭一 ,  桑山秀树 ,  小林隆 ,  西川直 ,  渡边哲也 ,  吉田隆司

IPC: G01L1/10

CPC classification number: G01H13/00 ,  G01L9/0019 ,  Y10T29/49103

Abstract: 本发明涉及一种振动型传感器，其中H型振子与硅基片形成整体，在周围有一个空腔，连同放大器一起，在其固有频率上保持自激振荡；当施加到硅基片上一定物理量，如力、压力、差压等时，振子的固有频率随该物理量而变量，通过变化检测物理量；通过半导体技术制造该振动型传感器的工艺；维持空腔内真空的工艺；给予振子初始应力的结构，以及使自激振荡稳定工作的放大器结构。

公开(公告)号：CN1089895C

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：CN96107577.5

申请日：1996-05-29

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 池田恭一 ,  渡边哲也 ,  福原聪 ,  吉田隆司 ,  塚本秀郎

IPC: G01L9/00 ,  G01L13/02

CPC classification number: G01L13/025 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/045 ,  G01L15/00

Abstract: 一种半导体差示压力测量装置，包括使用微加工技术安设在半导体基片上的两个测量膜片和两个检测传感器，以及计算这两个传感器之间的输出差的计算电路。此外，计算电路可以被布置成仅仅使用至少一个第一传感器和一个第二传感器(各在一个测量膜片上)来构成所需要的桥式电路，以减少制作成本。