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公开(公告)号:CN1013407B
公开(公告)日:1991-07-31
申请号:CN89103429.3
申请日:1989-05-25
Applicant: 横河电机株式会社
IPC: G01L1/10
CPC classification number: G01H13/00 , G01L9/0019 , Y10T29/49103
Abstract: 本发明涉及一种振动型传感器,其中H型振子与硅基片形成整体,在周围有一个空腔,连同放大器一起,在其固有频率上保持自激振荡;当施加到硅基片上一定物理量,如力、压力、差压等时,振子的固有频率随该物理量而变量,通过变化检测物理量;通过半导体技术制造该振动型传感器的工艺;维持空腔内真空的工艺;给予振子初始应力的结构,以及使自激振荡稳定工作的放大器结构。
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公开(公告)号:CN1038162A
公开(公告)日:1989-12-20
申请号:CN89103429.3
申请日:1989-05-25
Applicant: 横河电机株式会社
IPC: G01L1/10
CPC classification number: G01H13/00 , G01L9/0019 , Y10T29/49103
Abstract: 本发明涉及一种振动型传感器,其中H形振子与硅基片形成整体,在周围有一个空腔,连同放大器一起,在其固有频率上保持自激振荡;当施加到硅基片上一定物理量,如力、压力、差压等时,振子的固有频率随该物理量而变化,通过变化检测物理量;通过半导体技术制造该振动型传感器的工艺;维持空腔内真空的工艺;给予振子初始应力的结构,以及使自激振荡稳定工作的放大器结构。
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