公开(公告)号：CN1052538C

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：CN93117514.3

申请日：1993-09-10

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 池田恭一 ,  渡边哲也 ,  冢本秀郎 ,  工藤贵裕 ,  长井浩二 ,  福原聪

IPC: G01L7/08

Abstract: 一种含有其两侧设有测量室的测量膜片的半导体式差压测量装置，包括第一室与第一室连通的第一连通孔、凹形部分、第二连通孔、应变检出元件，还包括设置在硅基片上的第二室及一个支承基片。该装置在允许的测量检限内检出差压，但当施加过压时，测量膜片直接由测量室的壁支持以防止膜片被过压所损坏。因此，该装置不需要抗过压的附加保护机构。

公开(公告)号：CN1149931A

公开(公告)日：1997-05-14

申请号：CN96190266.3

申请日：1996-03-28

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 渡边哲也 ,  工藤贵裕 ,  池田恭一

IPC: H01L29/84 ,  G01L9/04

CPC classification number: G01L9/0042 ,  G01L9/0054

Abstract: 一种半导体压力传感器，其特征在于具备有：单晶硅衬底；设置在该单晶硅衬底上用以形成由外延生长法制备的测量薄膜，并作为该薄膜在承受过大压力时的背面支撑的具有确定狭小间隙的密闭空腔；以及在由前述单晶硅构成的测量薄膜上制作的应变检测元件。

公开(公告)号：CN1100198A

公开(公告)日：1995-03-15

申请号：CN93117514.3

申请日：1993-09-10

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 池田恭一 ,  渡边哲也 ,  本秀郎 ,  工藤贵裕 ,  长井浩二 ,  福原聪

IPC: G01L13/02

Abstract: 一种半导体式差压测量装置，它含有一个周边固定的测量膜片和两个各有预定间隔的沿所述的测量膜片两表面的测量室。该装置在允许的测量极限内检出差压，但当施加过压时，测量膜片直接由测量室的壁支持以防止膜片被过压所损坏。因此，该装置不需要抗过压的附加保护机构。