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公开(公告)号：CN109791932B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201780058156.7
申请日：2017-08-30
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H10B43/27 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B43/35 , H10B43/10 , H10B41/27 , H10B41/35 , H10B41/10
Abstract: 本发明提供了在衬底上方形成的层堆叠体，所述层堆叠体包括绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体。在形成存储器堆叠结构之后，穿过所述层堆叠体形成背侧沟槽。所述牺牲材料层被导电层替换。在形成所述导电层之后，通过所述堆叠体的漏极选择级形成漏极选择级电介质隔离结构。所述漏极选择级电介质隔离结构横向分开导电层的部分，所述导电层的部分用作所述存储器堆叠结构的漏极选择级栅极电极。
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公开(公告)号：CN108124495B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201680036390.5
申请日：2016-06-06
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/792 , H01L21/28 , H01L27/02
Abstract: 在基板上形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体。可以可选地将分隔体绝缘体结构形成为穿过交替堆叠体。将存储器开口形成为穿过交替堆叠体，并且对绝缘层有选择性地移除牺牲材料层。通过至少一种导电材料的沉积，在横向凹陷中形成导电层。通过至少沉积半导体材料并诱发半导体材料与导电层和/或牺牲金属层材料的反应，将金属‑半导体合金区域添附于导电层。可以将存储器堆叠体结构形成在存储器开口中且直接在导电层的金属‑半导体合金区域上。
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公开(公告)号：CN109791932A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780058156.7
申请日：2017-08-30
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L27/1158 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/11524 , H01L27/11565 , H01L27/1157
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L29/7926
Abstract: 本发明提供了在衬底上方形成的层堆叠体，所述层堆叠体包括绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体。在形成存储器堆叠结构之后，穿过所述层堆叠体形成背侧沟槽。所述牺牲材料层被导电层替换。在形成所述导电层之后，通过所述堆叠体的漏极选择级形成漏极选择级电介质隔离结构。所述漏极选择级电介质隔离结构横向分开导电层的部分，所述导电层的部分用作所述存储器堆叠结构的漏极选择级栅极电极。
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公开(公告)号：CN108124495A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201680036390.5
申请日：2016-06-06
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/792 , H01L21/28 , H01L27/02
CPC classification number: H01L27/11578 , H01L21/28282 , H01L27/0207 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/4234 , H01L29/42344 , H01L29/66833 , H01L29/7926
Abstract: 在基板上形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体。可以可选地将分隔体绝缘体结构形成为穿过交替堆叠体。将存储器开口形成为穿过交替堆叠体，并且对绝缘层有选择性地移除牺牲材料层。通过至少一种导电材料的沉积，在横向凹陷中形成导电层。通过至少沉积半导体材料并诱发半导体材料与导电层和/或牺牲金属层材料的反应，将金属-半导体合金区域添附于导电层。可以将存储器堆叠体结构形成在存储器开口中且直接在导电层的金属-半导体合金区域上。
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