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公开(公告)号：CN118241169A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211667228.7
申请日：2022-12-23
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明涉及低温等离子体技术和薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种等离子体射流触发脉冲阴极弧源，包括：水冷阴极靶、磁流体、齿轮减速器、冷却水进出嘴、阴极靶电机、运动模组电机、磁场线圈、屏蔽壳、运动机械模组和等离子体电弧射流炬；本发明可以在高沉积速率条件下制备大面积高致密涂层，本发明装置利用脉冲等离子体产生炬产生的脉冲射流为阴极电弧靶点火，并结合阴极弧靶上脉冲电压和功率调节，控制阴极弧能量，来抑制电弧等离子体中含有的大颗粒缺陷，同时利用阴极弧靶和脉冲等离子体炬移动或转动，来实现阴极靶的均匀烧蚀和高均匀性膜层镀制。
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公开(公告)号：CN114360990A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111442845.2
申请日：2021-11-30
申请人： 核工业西南物理研究院 , 中核同创(成都)科技有限公司
摘要： 本发明属于离子束控制技术领域，具体涉及一种多栅极射频感应耦合离子源。本发明中，等离子体放电室位于射频耦合天线下面，为由电介质耦合窗、放电室侧壁和矩形栅极引出系统的引出栅构成的立方形腔体，等离子体放电室的外部设有离子源屏蔽水冷外壳和安装背板，等离子体放电室的上部和安装背板之间安装有对称放置的天线卡座，两个天线卡座之间设有电介质耦合窗；射频耦合天线安装在天线卡座上，等离子体放电室侧壁与离子源屏蔽水冷外壳之间设有弹性引线系统，等离子体放电室的底部设有矩形栅极引出系统，安装背板的上部安装有引线卡环。本发明能在较大尺寸范围内产生高均匀性准直离子束流，相比二栅和三栅结构，均匀性有极显著的提高。
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公开(公告)号：CN103903931A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210575282.9
申请日：2012-12-26
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明属于一种辉光放电电极，具体公开一种嵌入式辉光放电电极，该电极包括真空法兰、真空电引线、设置在真空电引线真空侧一端的电极头和屏蔽罩，电极头位于屏蔽罩内；屏蔽罩的一侧套在真空电引线的真空侧，屏蔽罩的另一侧敞口。本发明的嵌入辉光放电电极可避免氘氚等离子体直接辐照，具有较低的漏水风险，满足热核聚变实验堆的安全性和可靠性。
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公开(公告)号：CN113913763A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110997201.3
申请日：2021-08-27
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明属于薄膜材料技术领域，具体公开了一种身管抗烧蚀磨损涂层的制备方法，该方法包括步骤(1)、身管超声清洗；步骤(2)、身管自辉光溅射清洗；步骤(3)、采用高功率脉冲磁控溅射或阴极弧沉积(Ta/TaN)n梯度涂层，其中n＝1，2，……，30。本发明方法制备的(Ta/TaN)n身管涂层具有膜层薄、硬度高、附着力好、抗烧蚀磨损性能好等优点。
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公开(公告)号：CN102254775A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110076856.3
申请日：2011-03-29
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/14 , H01J37/02 , H01J37/248
摘要： 本发明属于离子束技术领域，具体地说是一种适用于离子束清洗，离子束刻蚀和离子束辅助沉积的磁场增强型线性离子源。包括阴极顶板、阴极外框、中央磁钢、外围磁钢、气路、水冷阳极和绝缘支柱。离子束引出口由构成阴极顶板的阴极顶板外环和阴极顶板内环之间开设的环状槽构成；中央磁钢和外围磁钢分别设在阴极外框内部的中间和外围，阴极顶板、阴极外框、中央磁钢和外围磁钢形成一个封闭的环形放电槽，阳极通过绝缘支柱支撑在环形放电槽中，位于环状离子束引出口下方，阳极上表面与离子引出口距离在5mm以上。本发明提高了离子源引出束流密度，可稳定工作于高电压小电流和低电压大电流两种工作模式、使用寿命长，并在恶劣的镀膜环境下能长时间正常工作。
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公开(公告)号：CN117727613A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311770348.4
申请日：2023-12-20
申请人： 核工业西南物理研究院 , 中核同创(成都)科技有限公司 , 四川轻化工大学
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种用于宽幅薄膜的连续离子刻蚀装置，包括真空室、辊组及若干气体离子源，真空室内开有刻蚀口，刻蚀口的长度稍大于宽幅薄膜的宽度，真空室内靠近刻蚀口转动设置有冷毂，冷毂的轴线与刻蚀口的长度方向平行，冷毂的毂面为圆柱面，用于撑展宽幅薄膜，真空室开有进膜口和出膜口；辊组用于使宽幅薄膜沿长度方向、从进膜口进入真空室，并从出膜口移出；气体离子源和真空室可拆卸连接，气体离子源的输出端从刻蚀口的同侧指向刻蚀口。其能够解决现有的等离子表面处理装置无法有效处理宽幅薄膜的问题。
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公开(公告)号：CN103903931B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201210575282.9
申请日：2012-12-26
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明属于一种辉光放电电极，具体公开一种嵌入式辉光放电电极，该电极包括真空法兰、真空电引线、设置在真空电引线真空侧一端的电极头和屏蔽罩，电极头位于屏蔽罩内；屏蔽罩的一侧套在真空电引线的真空侧，屏蔽罩的另一侧敞口。本发明的嵌入辉光放电电极可避免氘氚等离子体直接辐照，具有较低的漏水风险，满足热核聚变实验堆的安全性和可靠性。
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公开(公告)号：CN103903930A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210574543.5
申请日：2012-12-26
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： H01J1/02
摘要： 本发明一种辉光放电电极，具体公开一种具有缝隙电绝缘结构的辉光放电电极，该电极包括真空引线、设置在真空引线一端的电极、套在真空引线和电极外的和屏蔽罩其中，所述的屏蔽罩与真空引线之间设有绝缘子，电极、真空引线与屏蔽罩之间均形成缝隙；所述的缝隙的间距为5～20mm，绝缘子远离电极的头部，绝缘子为纯度大于等于的Al2O3陶瓷材料。本发明的电极结构简单；具有良好的电绝缘性能和耐中子辐照性能；同时能够避免对周围系统产生寄生放电和射频干扰；无需定期维修，或延长定期维修间隔时间，满足聚变实验堆对回光放电电极的安全性和可靠性要求；该电极既适用于聚变实验堆，也适用于有特殊要求的超高真空装置的辉光放电电极。
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公开(公告)号：CN102254775B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110076856.3
申请日：2011-03-29
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/14 , H01J37/02 , H01J37/248
摘要： 本发明属于离子束技术领域，具体地说是一种适用于离子束清洗，离子束刻蚀和离子束辅助沉积的磁场增强型线性离子源。包括阴极顶板、阴极外框、中央磁钢、外围磁钢、气路、水冷阳极和绝缘支柱。离子束引出口由构成阴极顶板的阴极顶板外环和阴极顶板内环之间开设的环状槽构成；中央磁钢和外围磁钢分别设在阴极外框内部的中间和外围，阴极顶板、阴极外框、中央磁钢和外围磁钢形成一个封闭的环形放电槽，阳极通过绝缘支柱支撑在环形放电槽中，位于环状离子束引出口下方，阳极上表面与离子引出口距离在5mm以上。本发明提高了离子源引出束流密度，可稳定工作于高电压小电流和低电压大电流两种工作模式、使用寿命长，并在恶劣的镀膜环境下能长时间正常工作。
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公开(公告)号：CN103903930B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210574543.5
申请日：2012-12-26
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： H01J1/02
摘要： 本发明一种辉光放电电极，具体公开一种具有缝隙电绝缘结构的辉光放电电极，该电极包括真空引线、设置在真空引线一端的电极、套在真空引线和电极外的屏蔽罩，所述的屏蔽罩与真空引线之间设有绝缘子，电极、真空引线与屏蔽罩之间均形成缝隙；所述的缝隙的间距为5～20mm，绝缘子远离电极的头部，绝缘子为纯度大于等于的Al2O3陶瓷材料。本发明的电极结构简单；具有良好的电绝缘性能和耐中子辐照性能；同时能够避免对周围系统产生寄生放电和射频干扰；无需定期维修，或延长定期维修间隔时间，满足聚变实验堆对回光放电电极的安全性和可靠性要求。该电极既适用于聚变实验堆，也适用于某些有特殊要求的超高真空装置的辉光放电电极。
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