发明公开
- 专利标题: 嵌入式辉光放电电极
- 专利标题(英): Embedded glow discharge electrode
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申请号: CN201210575282.9申请日: 2012-12-26
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公开(公告)号: CN103903931A公开(公告)日: 2014-07-02
- 发明人: 王明旭 , 王英翘 , 潘宇东 , 任晓坜 , 但敏 , 王丁 , 李波 , 李伟 , 江涛 , 沈丽如 , 舒筱丹 , 甘明杨 , 张智勇
- 申请人: 核工业西南物理研究院
- 申请人地址: 四川省成都市二环路南三段三号
- 专利权人: 核工业西南物理研究院
- 当前专利权人: 核工业西南物理研究院
- 当前专利权人地址: 四川省成都市二环路南三段三号
- 代理机构: 核工业专利中心
- 代理商 高尚梅
- 主分类号: H01J1/52
- IPC分类号: H01J1/52 ; H01J1/88 ; G21B1/25
摘要:
本发明属于一种辉光放电电极,具体公开一种嵌入式辉光放电电极,该电极包括真空法兰、真空电引线、设置在真空电引线真空侧一端的电极头和屏蔽罩,电极头位于屏蔽罩内;屏蔽罩的一侧套在真空电引线的真空侧,屏蔽罩的另一侧敞口。本发明的嵌入辉光放电电极可避免氘氚等离子体直接辐照,具有较低的漏水风险,满足热核聚变实验堆的安全性和可靠性。
公开/授权文献
- CN103903931B 嵌入式辉光放电电极 公开/授权日:2016-12-07