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公开(公告)号：CN103022115A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210441210.5
申请日：2009-01-28
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0658 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7815 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。
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公开(公告)号：CN101933141B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200980103495.8
申请日：2009-01-28
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0658 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7815 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。
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公开(公告)号：CN101499473B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200910009837.1
申请日：2009-01-24
IPC: H01L27/082 , H01L23/535 , H01L29/72 , H01L29/40
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有IGBT的半导体器件包括：衬底(1)；衬底上的漂移层(2)和基极层(3)；穿透基极层以将基极层分成基极部分(3a-3d)的沟槽(4)；一个基极部分中的发射极区(5)；沟槽中的栅极元件(7a-7c)；发射极电极(15)；以及集电极电极(16)。所述一个基极部分提供沟道层(3a)，另一基极部分提供没有发射极区的浮置层(3b-3d)。栅极元件包括与沟道层相邻的栅电极(7a)和与浮置层相邻的虚设栅电极(7b-7c)。浮置层包括与沟道层相邻的第一浮置层(3b)以及远离沟道层的第二浮置层(3c)。虚设栅电极和第一浮置层与基极层上的第一浮置布线(12)电耦合。虚设栅电极与第二浮置层隔离开。
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公开(公告)号：CN102522427A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110414104.3
申请日：2009-01-28
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0658 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7815 , H01L29/7827
Abstract: 一种半导体装置，在第1导电型基板的第1主面上形成：主电流流过的主活性区域以及第1主电极；和对流过上述主活性区域的上述主电流的变动进行检测的电流检测结构区域以及与上述第1主电极分离的第2主电极。在上述基板的第2主面上形成第3主电极，上述主活性区域具有第1沟槽栅极结构部，在上述第1沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第1虚拟沟槽结构部，上述电流检测结构区域具有第2沟槽栅极结构部，在上述第2沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第2虚拟沟槽结构部。上述主活性区域，在上述第1沟槽栅极结构部和上述第1虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第1虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第1主电极电绝缘的第1个第2导电型的层，且上述第1沟槽栅极结构部相互连接。上述电流检测结构区域，在上述第2沟槽栅极结构部和上述第2虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第2虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第2主电极电连接的第2个第2导电型的层，且上述第2沟槽栅极结构部和上述第1沟槽栅极结构部相互连接。
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公开(公告)号：CN103022115B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210441210.5
申请日：2009-01-28
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0658 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7815 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102522427B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110414104.3
申请日：2009-01-28
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0658 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7815 , H01L29/7827
Abstract: 一种半导体装置，在第1导电型基板的第1主面上形成：主电流流过的主活性区域以及第1主电极；和对流过上述主活性区域的上述主电流的变动进行检测的电流检测结构区域以及与上述第1主电极分离的第2主电极。在上述基板的第2主面上形成第3主电极，上述主活性区域具有第1沟槽栅极结构部，在上述第1沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第1虚拟沟槽结构部，上述电流检测结构区域具有第2沟槽栅极结构部，在上述第2沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第2虚拟沟槽结构部。上述主活性区域，在上述第1沟槽栅极结构部和上述第1虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第1虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第1主电极电绝缘的第1个第2导电型的层，且上述第1沟槽栅极结构部相互连接。上述电流检测结构区域，在上述第2沟槽栅极结构部和上述第2虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第2虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第2主电极电连接的第2个第2导电型的层，且上述第2沟槽栅极结构部和上述第1沟槽栅极结构部相互连接。
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公开(公告)号：CN102263124B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201110150675.0
申请日：2011-05-26
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L29/0619 , H01L29/404
Abstract: 本发明的目的在于提供具有减小的尺寸并展现卓越的阻断电压能力的半导体器件。本发明的半导体器件包括有源区10和隔离区30之间的边缘端接结构20，该边缘端接结构20包括正向偏压部40的边缘端接结构和反向偏压部50的边缘端接结构。多个场限制环(FLR)41、51以及多个场板(FP)44、54设置在正向偏压部40的边缘端接结构和反向偏压部的边缘端接结构中。多个FP 44的最靠近反向偏压部50的边缘端接结构的第一正向FP 45形成为朝隔离区30侧延伸。多个FP 54的最靠近正向偏压部40的边缘端接结构的第一反向FP 55形成为朝隔离区10侧延伸。第一反向FP 55在施加正向电压时终止耗尽层从有源区10扩展。第一正向FP 45在施加反向电压时终止耗尽层从隔离区30扩展。
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公开(公告)号：CN105914140B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610105791.3
申请日：2016-02-25
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种杂质导入方法，其以超过热力学平衡浓度的高浓度向杂质元素的扩散系数极小的固体材料导入杂质元素。杂质导入方法包括：以考虑到光脉冲的每1次的照射时间(τ)和光脉冲的能量密度F而确定的膜厚(tf)，在由固体材料构成的对象物(半导体基板)的表面上堆积含有杂质元素的杂质源膜的步骤(S1～S4)；和以照射时间(τ)和能量密度(F)向杂质源膜照射光脉冲，以超过热力学平衡浓度的浓度向对象物导入杂质元素的步骤(S5)。
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公开(公告)号：CN105914140A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610105791.3
申请日：2016-02-25
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L21/0455 , H01L21/0217 , H01L21/0485 , H01L21/0495 , H01L21/2254 , H01L21/268 , H01L21/2686 , H01L21/324 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/34 , H01L29/401 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/872 , H01L29/66068 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种杂质导入方法，其以超过热力学平衡浓度的高浓度向杂质元素的扩散系数极小的固体材料导入杂质元素。杂质导入方法包括：以考虑到光脉冲的每1次的照射时间(τ)和光脉冲的能量密度F而确定的膜厚(tf)，在由固体材料构成的对象物(半导体基板)的表面上堆积含有杂质元素的杂质源膜的步骤(S1～S4)；和以照射时间(τ)和能量密度(F)向杂质源膜照射光脉冲，以超过热力学平衡浓度的浓度向对象物导入杂质元素的步骤(S5)。
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