公开(公告)号：CN104067377A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380006396.4

申请日：2013-01-22

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 程炜涛 ,  天野伸治 ,  冈部好文 ,  志贺智英

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L21/263 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/32 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：施加步骤，向半导体衬底(11)的表面(11a)施加粒子射线和辐射射线的至少之一，在半导体衬底上邻近于所述表面(11a)处形成包括栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)的晶体管；以及退火处理步骤，在施加步骤之后，加热所述半导体衬底(11)从而恢复包含在所述栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)中的晶体缺陷。此外，制造方法包括预退火处理步骤，用于在施加步骤前将包含在栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)中的氢分子和水分子的含量减小到预定浓度。在由这个方法制造的半导体器件中，将存在于栅极绝缘膜(21)中的热稳定缺陷的浓度减小到预定浓度。

公开(公告)号：CN101499473B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200910009837.1

申请日：2009-01-24

Applicant: 株式会社电装 ,  富士电机株式会社

Inventor： 小山雅纪 ,  冈部好文 ,  浅井诚 ,  藤井岳志 ,  吉川功

IPC: H01L27/082 ,  H01L23/535 ,  H01L29/72 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有IGBT的半导体器件包括：衬底(1)；衬底上的漂移层(2)和基极层(3)；穿透基极层以将基极层分成基极部分(3a-3d)的沟槽(4)；一个基极部分中的发射极区(5)；沟槽中的栅极元件(7a-7c)；发射极电极(15)；以及集电极电极(16)。所述一个基极部分提供沟道层(3a)，另一基极部分提供没有发射极区的浮置层(3b-3d)。栅极元件包括与沟道层相邻的栅电极(7a)和与浮置层相邻的虚设栅电极(7b-7c)。浮置层包括与沟道层相邻的第一浮置层(3b)以及远离沟道层的第二浮置层(3c)。虚设栅电极和第一浮置层与基极层上的第一浮置布线(12)电耦合。虚设栅电极与第二浮置层隔离开。

公开(公告)号：CN101499473A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910009837.1

申请日：2009-01-24

Applicant: 株式会社电装 ,  富士电机电子技术株式会社

Inventor： 小山雅纪 ,  冈部好文 ,  浅井诚 ,  藤井岳志 ,  吉川功

IPC: H01L27/082 ,  H01L23/535 ,  H01L29/72 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有绝缘栅半导体元件的半导体器件和绝缘栅双极晶体管。一种具有IGBT的半导体器件包括：衬底(1)；衬底上的漂移层(2)和基极层(3)；穿透基极层以将基极层分成基极部分(3a－3d)的沟槽(4)；一个基极部分中的发射极区(5)；沟槽中的栅极元件(7a－7c)；发射极电极(15)；以及集电极电极(16)。所述一个基极部分提供沟道层(3a)，另一基极部分提供没有发射极区的浮置层(3b－3d)。栅极元件包括与沟道层相邻的栅电极(7a)和与浮置层相邻的虚设栅电极(7b－7c)。浮置层包括与沟道层相邻的第一浮置层(3b)以及远离沟道层的第二浮置层(3c)。虚设栅电极和第一浮置层与基极层上的第一浮置布线(12)电耦合。虚设栅电极与第二浮置层隔离开。