公开(公告)号：CN104067377A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380006396.4

申请日：2013-01-22

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 程炜涛 ,  天野伸治 ,  冈部好文 ,  志贺智英

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L21/263 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/32 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：施加步骤，向半导体衬底(11)的表面(11a)施加粒子射线和辐射射线的至少之一，在半导体衬底上邻近于所述表面(11a)处形成包括栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)的晶体管；以及退火处理步骤，在施加步骤之后，加热所述半导体衬底(11)从而恢复包含在所述栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)中的晶体缺陷。此外，制造方法包括预退火处理步骤，用于在施加步骤前将包含在栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)中的氢分子和水分子的含量减小到预定浓度。在由这个方法制造的半导体器件中，将存在于栅极绝缘膜(21)中的热稳定缺陷的浓度减小到预定浓度。