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公开(公告)号：CN104737452B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380054040.8
申请日：2013-10-02
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 武藤英树
CPC分类号： H03H7/0115 , H01L2224/48227 , H03F1/565 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F2200/165 , H03F2200/447 , H03H7/0161 , H03H7/1775 , H03H2001/0085 , H04B1/18 , H05K1/0206 , H05K1/0243 , H05K1/0298 , H05K1/162 , H05K1/165
摘要： 高频模块(1)包括层叠基板(11)、功率放大器(12)、热过孔(91、92)、和带通滤波器(13)。功率放大器(12)安装于层叠基板(11)上。热过孔(91、92)形成于功率放大器(12)正下方的层叠基板(11)内，用于功率放大器(12)的散热。带通滤波器(13)形成于层叠基板(11)内，与功率放大器(12)相连接。热过孔(92)被用作为构成带通滤波器(13)的电感器。带通滤波器(13)在从层叠基板(11)的层叠方向看时与功率放大器(12)相重叠。
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公开(公告)号：CN105474540A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480045986.2
申请日：2014-06-19
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 武藤英树
CPC分类号： H03H9/725 , H03H9/0057 , H03H9/542 , H03H9/64 , H03H9/706
摘要： 本发明提供一种具备通频带以外的衰减特性优异的小型滤波器电路的高频模块。从滤波器元件间的连接导体分配到的高频信号通过取出用电路部的传输，其相位及振幅发生变化。将第3外部连接端子的高频信号称为抑制信号，将通过滤波器电路的高频信号称为抑制目标信号，取出用电路部的传输距离设定成使得抑制信号的相位与抑制目标信号的相位大致反相，并且抑制信号的振幅与抑制目标信号的相位大致相同。抑制信号通过第3外部连接端子与第2外部连接端子的连接而与抑制目标信号合成。于是，通频带外的分量合成而相互抵消，从而提高滤波器电路的衰减特性。
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公开(公告)号：CN112470407B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201980049124.X
申请日：2019-08-30
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 本发明提供高频模块(1)，具备：模块基板(90)，具有主面(90a和90b)；半导体IC(10)，具有主面(10a和10b)，按照模块基板(90)、主面(10a)以及主面(10b)的顺序安装在主面(90b)上；多个柱状电极(150A)，在主面(90b)的垂直方向上延伸；以及多个柱状电极(150B)，剖面积比柱状电极(150A)小，在俯视时，半导体IC(10)包括相互平行的边(100a和100b)以及相互平行的边(100c和100d)，在边(190a)与边(100a)之间的区域(Aa)以及边(190b)与边(100b)之间的区域(Ab)分别配置有柱状电极(150A)，在边(190c)与边(100c)之间的区域(Ac)配置有柱状电极(150B)。
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公开(公告)号：CN111133683B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201880061995.9
申请日：2018-09-14
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 本发明所提供的开关IC(10)具备：基体(10a)；矩形状的第1开关部(11)，配置在基体(10a)上，具有多个开关(11a～11c)；以及放大部(16)，配置在基体(10a)上，具有供通过了第1开关部(11)的高频信号输入的多个放大电路(16a～16d)，在俯视基体(10a)时，放大部(16)由沿第1开关部(11)的四边中的第1边延伸的第1区域(A)、沿与第1边正交的第2边延伸的第2区域(B)、以及沿与第1边平行且与第2边正交的第3边延伸的第3区域(C)构成，在第1区域(A)、第2区域(B)以及第3区域(C)的各区域上，配置有多个放大电路(16a～16d)中的至少一个。
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公开(公告)号：CN112470407A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201980049124.X
申请日：2019-08-30
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 本发明提供高频模块(1)，具备：模块基板(90)，具有主面(90a和90b)；半导体IC(10)，具有主面(10a和10b)，按照模块基板(90)、主面(10a)以及主面(10b)的顺序安装在主面(90b)上；多个柱状电极(150A)，在主面(90b)的垂直方向上延伸；以及多个柱状电极(150B)，剖面积比柱状电极(150B)小，在俯视时，半导体IC(10)包括相互平行的边(100a和100b)以及相互平行的边(100c和100d)，在边(190a)与边(100a)之间的区域(Aa)以及边(190b)与边(100b)之间的区域(Ab)分别配置有柱状电极(150A)，在边(190c)与边(100c)之间的区域(Ac)配置有柱状电极(150B)。
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公开(公告)号：CN114731170B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202080078917.7
申请日：2020-07-20
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 武藤英树
IPC分类号： H04B1/40
摘要： 本发明涉及高频模块以及通信装置。提高第一路径与第二路径之间的隔离度。高频模块具备第一电感器(L1)、第二电感器(L2)、第三电感器(L3)以及开关(SW1、SW2)。第一电感器(L1)设置于第一通信信号通过的第一路径(T31)。第二电感器(L2)设置于第二通信信号通过且与第一路径(T31)同时被使用的第二路径(T32)。第三电感器(L3)设置于第三通信信号通过且不与第一路径(T31)同时被使用的第三路径(T33)。开关(SW1、SW2)设置在接地与第三路径(T33)上的节点(N1)之间，并与第三电感器(L3)连接。第三电感器(L3)配置在第一电感器(L1)与第二电感器(L2)之间。
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公开(公告)号：CN111133683A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880061995.9
申请日：2018-09-14
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 本发明所提供的开关IC(10)具备：基体(10a)；矩形状的第1开关部(11)，配置在基体(10a)上，具有多个开关(11a～11c)；以及放大部(16)，配置在基体(10a)上，具有供通过了第1开关部(11)的高频信号输入的多个放大电路(16a～16d)，在俯视基体(10a)时，放大部(16)由沿第1开关部(11)的四边中的第1边延伸的第1区域(A)、沿与第1边正交的第2边延伸的第2区域(B)、以及沿与第1边平行且与第2边正交的第3边延伸的第3区域(C)构成，在第1区域(A)、第2区域(B)以及第3区域(C)的各区域上，配置有多个放大电路(16a～16d)中的至少一个。
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公开(公告)号：CN111164899B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201880063212.0
申请日：2018-09-25
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 高频电路具备基板(20)、配置于基板的第一主面的第一端子(50a)、配置于第一主面的第二端子(50b)、配置于第一主面或者基板内的第一安装部件(30)、以及配置于与第一主面对置的基板的第二主面的第二安装部件(32)，输入至第一端子的高频信号被传输为经由配置于基板内的布线，在第一主面和配置于第二主面的第二安装部件中往复1周以上并从第二端子输出。
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公开(公告)号：CN109923788A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780069137.4
申请日：2017-11-08
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： RF模块(1)具备：开关IC(50A)，形成在模块基板(100)的表面；以及无源电路(30)，形成在模块基板(100)，开关IC(50A)具备：高频电路(20A)，形成在IC基板；以及数字控制电路(10)，在俯视IC基板的情况下，数字控制电路(10)被高频电路(20A)包围，高频电路(20A)具有多个模拟接地电极(62)，在上述俯视下，多个模拟接地电极(62)配置在高频电路(20A)内且配置在与数字控制电路(10)的边界部，使得包围数字控制电路(10)。
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公开(公告)号：CN107689778A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710655233.9
申请日：2017-08-03
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 武藤英树
CPC分类号： H03H7/46 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F2200/111 , H03F2200/165 , H03F2200/222 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F1/26 , H03F2200/372
摘要： 本发明提供一种能够抑制噪声系数的恶化并且提高增益的小型并且多频带对应的高频模块。高频模块(1)具备：多个滤波器(10A)～(10C)、共用连接多个路径(10a)～(10c)的开关(20)以及对从多个滤波器(10A)～(10C)经由开关(20)输入的高频信号进行放大的低噪声放大器(40)，多个路径(10a)～(10c)中的分别设置有第一以及第二滤波器的路径不连接阻抗元件地对各滤波器和开关(20)进行连接，第一以及第二滤波器分别具有在史密斯圆图上在自身的通带中位于低噪声放大器的NF成为最小的NF匹配阻抗与低噪声放大器的增益成为最大的增益匹配阻抗之间亦即匹配区域的输出阻抗。
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