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公开(公告)号：CN1276503C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN02141355.X
申请日：2002-06-12
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02574 , C30B23/02 , C30B29/16 , Y10S117/902
Abstract: 提供结晶性优良、没有裂缝的(1，1，，0)ZnO外延生长膜在(0，1，，2)R面蓝宝石上外延生长的ZnO/蓝宝石基片。该ZnO/蓝宝石基片通过使氧化锌膜在(0，1，，2)结晶面与基片表面平行的R面蓝宝石上外延生长、使氧化锌(ZnO)的(1，1，，0)结晶面与该(0，1，，2)结晶面平行而得到，其特征在于，使上述ZnO的(1，1，，0)面的面间隔d为1.623≤d≤1.627。
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公开(公告)号：CN1043104C
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：CN94109181.3
申请日：1994-07-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/6436 , H03H9/1455 , H03H9/6426 , H03H2250/00
Abstract: SAW滤波器(21)由多个IDT(23到29)沿表面波传播方向排列在一个压电基片(22)上而形成，至少有一个单独的两端SAW谐振器(30)在SAW滤波器的输出一侧与其并联，而且SAW谐振器(30)的谐振频率(fo)设置在低于SAW滤波器的通频带的频率范围上。
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公开(公告)号：CN1048636A
公开(公告)日：1991-01-16
申请号：CN90103485.1
申请日：1990-07-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H3/08 , H03H9/02582 , H03H9/14538
Abstract: 一种使用基板4的弹性表面波装置，该基板备有单晶介质2及外延生长在其表面上的压电薄膜3，沿介质2和压电薄膜3的界面形成构成叉指式电极的铝电极5。此铝电极5由在结晶方位方面是在一定方向上取向的铝膜组成，因此可抑制铝电极5的应力迁移，且压电薄膜3在其整个面上都能外延生长。
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公开(公告)号：CN1106709C
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN94115979.5
申请日：1994-07-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/6436 , H03H9/1455 , H03H9/6426 , H03H2250/00
Abstract: 在沿表面波传播方向置于压电基底(22)上的许多IDT(23至29)形成的SAW滤波器(21)中，至少有一个单一通口SAW共振器(30)与SAW滤波器的输出侧相串联，同时SAW共振器(30)的共振频率(fo)取在高于SAW滤波器的通频带的水平上。
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公开(公告)号：CN1084550C
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN95104447.8
申请日：1995-05-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/6436
Abstract: 串联臂谐振器与SAW谐振滤波器的外IDT串联连接，从而使串联臂谐振器的谐振频率在串联臂谐振器的通带内。并联臂谐振器与SAW谐振滤波器的中心IDT并联连接，从而使并联臂谐振器的并联谐振频率处在串联臂谐振器的通带内。这样就减小了通带中的VSWR，增加了阻带中的衰减量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1105166A
公开(公告)日：1995-07-12
申请号：CN94115979.5
申请日：1994-07-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/6436 , H03H9/1455 , H03H9/6426 , H03H2250/00
Abstract: 在沿表面波传播方向置于压电基底(22)上的许多IDF(23至29)形成的SAW滤波器(21)中，至少有一个单一通口SAW共振器(30)与SAW滤波器的输出侧相串联，同时SAW共振器(30)的共振频率(fo)取在高于SAW滤波器的通频带的水平上。
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公开(公告)号：CN1103513A
公开(公告)日：1995-06-07
申请号：CN94109460.X
申请日：1994-08-05
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02574 , H01L41/316 , H03H3/08 , Y10S428/91
Abstract: 一种氧化锌压电晶体膜，由溅射法外延生长于R-平面蓝宝石衬底上时，使用含相对于Zn和Cu的总量为不大于4.5％(重量)的Cu的靶极，就可使该氧化锌压电晶体膜含铜。这样，就可获得一种具有优异取向的氧化锌压电晶体膜。
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公开(公告)号：CN1223083C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN02140613.8
申请日：2002-07-05
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/059 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/16225 , H03H9/02944 , H03H9/02992 , H03H9/14538
Abstract: 提供一种声表面波器件，可借助减小电极电阻谋求降低欧姆损耗，能在高频段工作，并且采用廉价的芯片倒装法。该器件用该倒装法将声表面波元件与壳体结构。声表面波元件14中，在压电基片2上形成IDT电极3、母线电极4和5、反射器电极6和7、引导电极8和9以及电极焊盘10和11，在电极焊盘10和11上形成导电膜Xb、Xc作为第1金属膜，并且母线电极和引导电极的至少一个上也形成导电膜Xb、Xc作为第2金属膜。
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公开(公告)号：CN1399332A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN02141355.X
申请日：2002-06-12
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02574 , C30B23/02 , C30B29/16 , Y10S117/902
Abstract: 提供结晶性优良、没有裂缝的(1，1，，0)ZnO附晶定向生长膜在(0，1，，2)R面蓝宝石上附晶定向生长的ZnO/蓝宝石基片。该ZnO/蓝宝石基片通过使氧化锌膜在(0，1，，2)结晶面与基片表面平行的R面蓝宝石上附晶定向生长、使氧化锌(ZnO)的(1，1，，0)结晶面与该(0，1，，2)结晶面平行而得到，其特征在于，使上述ZnO的(1，1，，0)面的面间隔d为1.623≤d≤1.627。
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公开(公告)号：CN1050246C
公开(公告)日：2000-03-08
申请号：CN94109460.X
申请日：1994-08-05
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/02574 , H01L41/316 , H03H3/08 , Y10S428/91
Abstract: 一种氧化锌压电晶体膜，由溅射法外延生长于R－平面蓝宝石衬底上时，使用含相对于Zn和Cu的总量为不大于4.5%(重量)的Cu的靶极，就可使该氧化锌压电晶体膜含铜。这样，就可获得一种具有优异取向的氧化锌压电晶体膜。
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