公开(公告)号：CN1139840A

公开(公告)日：1997-01-08

申请号：CN94113087.8

申请日：1994-12-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 樱井敦

IPC: H03H9/25

Abstract: 一种表面声波器件的电极形成方法，它适合于以规定的离子能量进行离子辅助时在结晶取向为恒定方向的压电基片上形成电极材料膜，在膜形成工艺中应用诸如蒸发、溅射、IBS(离子束溅射)、CVD(化学汽相沉积)、等离子体CVD、MEE(分子束外延)、ICB(电离聚束)或激光烧蚀等膜形成方法。

公开(公告)号：CN1048636A

公开(公告)日：1991-01-16

申请号：CN90103485.1

申请日：1990-07-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 家木英治 ,  樱井敦 ,  木村幸司

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H3/08 ,  H03H9/02582 ,  H03H9/14538

Abstract: 一种使用基板4的弹性表面波装置，该基板备有单晶介质2及外延生长在其表面上的压电薄膜3，沿介质2和压电薄膜3的界面形成构成叉指式电极的铝电极5。此铝电极5由在结晶方位方面是在一定方向上取向的铝膜组成，因此可抑制铝电极5的应力迁移，且压电薄膜3在其整个面上都能外延生长。

公开(公告)号：CN118542079A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202380016615.0

申请日：2023-02-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 樱井敦

IPC: H05K3/42 ,  H05K3/24 ,  H05K3/46

Abstract: 电子部件(100)具备基板(10)、第一电极层(20)、绝缘层(30)、第二电极层(40)以及通孔导体(50)。第一电极层(20)设置在基板(10)上。第一电极层(20)具有导电性填料(21)、和含有导电性填料(21)的粘合剂(22)。绝缘层(30)设置在第一电极层(20)上。在绝缘层(30)形成有导通孔(31)。导通孔(31)在基板(10)、第一电极层(20)、以及绝缘层(30)的层叠方向上贯通绝缘层(30)。第二电极层(40)设置在绝缘层(30)上。通孔导体(50)设置在导通孔(31)内。通孔导体(50)将第一电极层(20)与第二电极层(40)电连接。第一电极层(20)中在俯视时与导通孔(31)重叠的部分包含连接层(231)。连接层(231)的粘合剂(22)的含量比第一电极层(20)中位于导通孔(31)的外侧的部分的粘合剂(22)的含量小。

公开(公告)号：CN1048126C

公开(公告)日：2000-01-05

申请号：CN94113087.8

申请日：1994-12-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 樱井敦

IPC: H03H9/25

Abstract: 一种表面声波器件的电极形成方法，它适合于以规定的离子能量进行离子辅助时在结晶取向为恒定方向的压电基片上形成电极材料膜，在膜形成工艺中应用诸如蒸发、溅射、IBS(离子束溅射)、CVD(化学汽相沉积)、等离子体CVD、MEE(分子束外延)、ICB(电离聚束)或激光烧蚀等膜形成方法。

公开(公告)号：CN1016032B

公开(公告)日：1992-03-25

申请号：CN90102098.2

申请日：1990-04-14

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 家木英治 ,  樱井敦 ,  木村辛司

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03H9/02929

Abstract: 在压电基板2上用铝膜形成叉指换能器3，4及反射器5，6。铝膜在结晶方位方面取向在一定方向上。并因此而可以抑制铝膜的应力迁移。

公开(公告)号：CN1015041B

公开(公告)日：1991-12-04

申请号：CN90103485.1

申请日：1990-07-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 家木英治 ,  樱井敦 ,  木村幸司

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H3/08 ,  H03H9/02582 ,  H03H9/14538

Abstract: 一种使用基板4的弹性表面波装置，该基板备有单晶介质2及外延生长在其表面上的压电薄膜3，沿介质2和压电薄膜3的界面形成构成叉指式电极的铝电极5。此铝电极5由在结晶方位方面是在一定方向上取向的铝膜组成，因此可抑制铝电极5的应力迁移，且压电薄膜3在其整个面上都能外延生长。

公开(公告)号：CN1046420A

公开(公告)日：1990-10-24

申请号：CN90102098.2

申请日：1990-04-14

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 家木英治 ,  樱井敦 ,  木村辛司

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

CPC classification number: H03H9/02929

Abstract: 在压电基板2上用铝膜形成叉指换能器3，4及反射器5，6。铝膜在结晶方位方面取向在一定方向上，并因此而可以抑制铝膜的应力迁移。

公开(公告)号：CN120052063A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202380076309.6

申请日：2023-06-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐佐木秀彦 ,  樱井敦

IPC: H05K3/46

Abstract: 一种电子部件内置基板（100），具备：绝缘体（10），具有第1面（11）以及与第1面（11）相反侧的第2面（12）；以及多个电子部件（20），内置于绝缘体（10），各个电子部件（20）在朝向绝缘体（10）的第1面11侧的第1方向上具有第1电极（21），并且在与第1方向相反的第2方向上具有第2电极（22），各个电子部件（20）的从第1面（11）侧的俯视形状为矩形，在从第1面（11）侧的俯视下，多个电子部件（20）的第1面（11）侧的矩形的方向配置为不规则。