-
公开(公告)号：CN102047459B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200980118988.9
申请日：2009-02-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/09 , H01L41/047 , H01L41/193 , H04R17/00
CPC classification number: H01L41/0926 , H01L41/0471 , H01L41/0478 , H01L41/193 , H04R17/005 , H04R2499/11 , Y10S310/80
Abstract: 本发明针对具有由透明有机高分子构成的压电片材、和分别形成在压电片材的相对置的各个主面上的电极的片材型压电振动体，提供一种可实现其无色化的有效的电极材料。用以氧化锌为主成分的氧化锌类电极层构成在压电片材(2、3)的一方的主面上形成的第1电极(4、6)，用由在分子构造中含有噻吩的导电性聚合物构成的聚噻吩类电极层构成在另一方主面上形成的第2电极(5、7)。氧化锌类电极层虽然透明，但略带黄色，而聚噻吩类电极层虽然透明，但略带蓝色。通过了该双方的电极层的光的分光特性在可见光区域接近平坦，由此抑制了透射光的带色，实现了无色透明化。
-
公开(公告)号：CN107210229B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201680007501.X
申请日：2016-03-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/363 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/08 , C23C14/28 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及薄膜结构体，其具备在母相2中分散有形成为柱状或大致柱状的分离相1而成的相分离纳米结构的薄膜3。薄膜3具有在热平衡状态下进行相分离的p型半导体材料和n型半导体材料。母相2由p型半导体材料和n型半导体材料中的任一方的半导体材料形成，并且分离相1由另一方的半导体材料形成。例如，母相2由NiO(p型半导体材料)形成，分离相1由ZnO(n型半导体材料)形成。薄膜3是以分离相1和上述母相具有三维接合面的形态形成于SrTiO3单晶等的基板4上。三维接合面通过利用自组织化的外延生长而形成。由此，实现高性能·高品质且具有高可靠性的薄膜结构体及其制造方法、使用薄膜结构体的太阳能电池等各种半导体设备。
-
公开(公告)号：CN100384086C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410032823.9
申请日：2004-04-12
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H3/08 , Y10T29/42 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/4908
Abstract: 一种压电基材配备有包括第一电极层，第二电极层和主要由铝制成的第三电极层的叉指式换能器电极。压电基材在压电基材的表面上具有阶梯式结构，该阶梯式结构包括各自的宽度为约50nm或更小的阶面和各自的宽度为单分子层(例如，约14)的阶梯。
-
公开(公告)号：CN107210229A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007501.X
申请日：2016-03-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/363 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/08 , C23C14/28 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及薄膜结构体，其具备在母相2中分散有形成为柱状或大致柱状的分离相1而成的相分离纳米结构的薄膜3。薄膜3具有在热平衡状态下进行相分离的p型半导体材料和n型半导体材料。母相2由p型半导体材料和n型半导体材料中的任一方的半导体材料形成，并且分离相1由另一方的半导体材料形成。例如，母相2由NiO(p型半导体材料)形成，分离相1由ZnO(n型半导体材料)形成。薄膜3是以分离相1和上述母相具有三维接合面的形态形成于SrTiO3单晶等的基板4上。三维接合面通过利用自组织化的外延生长而形成。由此，实现高性能·高品质且具有高可靠性的薄膜结构体及其制造方法、使用薄膜结构体的太阳能电池等各种半导体设备。
-
公开(公告)号：CN103180963B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180048331.7
申请日：2011-07-05
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L31/0248
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及光检测元件和该光检测元件的制造方法。该光检测元件中，由ZnO构成主成分的感应层1形成在基板3的表面，而且在该感应层1的表面隔着规定间隔t（例如，5～10μm）相对状地配置一对电极2a、2b，形成所谓平面型结构。另外，在感应层1露出表面的规定间隔部分5和电极2a、2b的端部形成由ZnO构成主成分的非感应层4，在该非感应层4的表面形成由SiO2等构成的绝缘保护膜6。由此，实现能够抑制暗电流、具有良好的过渡特性和下降特性，并且分光特性也优异的高性能的紫外线传感器等的光检测元件。在基板的表面形成电极和感应层，在感应层的表面依次形成非感应层和绝缘保护膜时也能够得到同样的效果。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103180963A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180048331.7
申请日：2011-07-05
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L31/0248
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及光检测元件和该光检测元件的制造方法。该光检测元件中，由ZnO构成主成分的感应层1形成在基板3的表面，而且在该感应层1的表面隔着规定间隔t（例如，5～10μm）相对状地配置一对电极2a、2b，形成所谓平面型结构。另外，在感应层1露出表面的规定间隔部分5和电极2a、2b的端部形成由ZnO构成主成分的非感应层4，在该非感应层4的表面形成由SiO2等构成的绝缘保护膜6。由此，实现能够抑制暗电流、具有良好的过渡特性和下降特性，并且分光特性也优异的高性能的紫外线传感器等的光检测元件。在基板的表面形成电极和感应层，在感应层的表面依次形成非感应层和绝缘保护膜时也能够得到同样的效果。
-
公开(公告)号：CN102047459A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980118988.9
申请日：2009-02-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/09 , H01L41/08 , H01L41/193 , H01L41/22 , H04R17/00
CPC classification number: H01L41/0926 , H01L41/0471 , H01L41/0478 , H01L41/193 , H04R17/005 , H04R2499/11 , Y10S310/80
Abstract: 本发明针对具有由透明有机高分子构成的压电片材、和分别形成在压电片材的相对置的各个主面上的电极的片材型压电振动体，提供一种可实现其无色化的有效的电极材料。用以氧化锌为主成分的氧化锌类电极层构成在压电片材(2、3)的一方的主面上形成的第1电极(4、6)，用由在分子构造中含有噻吩的导电性聚合物构成的聚噻吩类电极层构成在另一方主面上形成的第2电极(5、7)。氧化锌类电极层虽然透明，但略带黄色，而聚噻吩类电极层虽然透明，但略带蓝色。通过了该双方的电极层的光的分光特性在可见光区域接近平坦，由此抑制了透射光的带色，实现了无色透明化。
-
公开(公告)号：CN101180687A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200680018062.9
申请日：2006-12-13
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/34 , Y10T428/31507
Abstract: 本发明提供具备可实用的耐湿性和作为透明导电膜所必需的特性，且成本低的ZnO类透明导电膜及其制造方法。在氧化锌(ZnO)中掺杂III族元素并使其在基体上生长而得的透明导电膜中，使其具备具有c轴朝向相互不同的多个方向的结晶结构的区域。在氧化锌(ZnO)中掺杂III族元素并使其在基体上生长而得的透明导电膜中，使ZnO(002)摇摆曲线半宽度在13.5°以上。以III族元素氧化物的掺杂量满足透明导电膜中的III族元素氧化物的比例在7～40重量％的范围内的条件，在ZnO中掺杂III族元素氧化物。介以SiNλ薄膜在基体上形成透明导电膜。对基体施加偏压的同时，以薄膜形成方法在基体上形成透明导电膜。
-
公开(公告)号：CN101180687B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200680018062.9
申请日：2006-12-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C23C14/08
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/34 , Y10T428/31507
Abstract: 本发明提供具备可实用的耐湿性和作为透明导电膜所必需的特性，且成本低的ZnO类透明导电膜及其制造方法。在氧化锌(ZnO)中掺杂III族元素并使其在基体上生长而得的透明导电膜中，使其具备具有c轴朝向相互不同的多个方向的结晶结构的区域。在氧化锌(ZnO)中掺杂III族元素并使其在基体上生长而得的透明导电膜中，使ZnO(002)摇摆曲线半宽度在13.5°以上。以III族元素氧化物的掺杂量满足透明导电膜中的III族元素氧化物的比例在7～40重量％的范围内的条件，在ZnO中掺杂III族元素氧化物。介以SiNλ薄膜在基体上形成透明导电膜。对基体施加偏压的同时，以薄膜形成方法在基体上形成透明导电膜。
-
公开(公告)号：CN1246959C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN02160503.3
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02929 , Y10T29/42 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49135 , Y10T29/49155
Abstract: 提供改善电极的抗应力迁移性，从而耐电性优良的声表面波元件。例如为了在θ旋转Y切割(θ＝36°～42°)的LiTaO3压电基片(2)上形成电极(3)，形成将Ti或Cr作为主成分的基底电极层(5)后，在其上形成将Al作为主成分的Al电极层(4)。Al电极层(4)是外延生长的取向膜，而且成为具有双晶结构的多晶膜，该结构在X射线衍射极点图中观察的衍射图案具有多个对称中心。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.037 seconds)
