公开(公告)号：CN107210229B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201680007501.X

申请日：2016-03-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 田中秀和 ,  中川原修

IPC: H01L21/363 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明涉及薄膜结构体，其具备在母相2中分散有形成为柱状或大致柱状的分离相1而成的相分离纳米结构的薄膜3。薄膜3具有在热平衡状态下进行相分离的p型半导体材料和n型半导体材料。母相2由p型半导体材料和n型半导体材料中的任一方的半导体材料形成，并且分离相1由另一方的半导体材料形成。例如，母相2由NiO(p型半导体材料)形成，分离相1由ZnO(n型半导体材料)形成。薄膜3是以分离相1和上述母相具有三维接合面的形态形成于SrTiO3单晶等的基板4上。三维接合面通过利用自组织化的外延生长而形成。由此，实现高性能·高品质且具有高可靠性的薄膜结构体及其制造方法、使用薄膜结构体的太阳能电池等各种半导体设备。

公开(公告)号：CN107210229A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680007501.X

申请日：2016-03-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 田中秀和 ,  中川原修

IPC: H01L21/363 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明涉及薄膜结构体，其具备在母相2中分散有形成为柱状或大致柱状的分离相1而成的相分离纳米结构的薄膜3。薄膜3具有在热平衡状态下进行相分离的p型半导体材料和n型半导体材料。母相2由p型半导体材料和n型半导体材料中的任一方的半导体材料形成，并且分离相1由另一方的半导体材料形成。例如，母相2由NiO(p型半导体材料)形成，分离相1由ZnO(n型半导体材料)形成。薄膜3是以分离相1和上述母相具有三维接合面的形态形成于SrTiO3单晶等的基板4上。三维接合面通过利用自组织化的外延生长而形成。由此，实现高性能·高品质且具有高可靠性的薄膜结构体及其制造方法、使用薄膜结构体的太阳能电池等各种半导体设备。