公开(公告)号：CN101180687A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200680018062.9

申请日：2006-12-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中川原修 ,  瀨戸弘之 ,  岸本諭卓

IPC: H01B5/14 ,  C01G9/02 ,  C23C14/08 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  Y10T428/31507

Abstract: 本发明提供具备可实用的耐湿性和作为透明导电膜所必需的特性，且成本低的ZnO类透明导电膜及其制造方法。在氧化锌(ZnO)中掺杂III族元素并使其在基体上生长而得的透明导电膜中，使其具备具有c轴朝向相互不同的多个方向的结晶结构的区域。在氧化锌(ZnO)中掺杂III族元素并使其在基体上生长而得的透明导电膜中，使ZnO(002)摇摆曲线半宽度在13.5°以上。以III族元素氧化物的掺杂量满足透明导电膜中的III族元素氧化物的比例在7～40重量％的范围内的条件，在ZnO中掺杂III族元素氧化物。介以SiNλ薄膜在基体上形成透明导电膜。对基体施加偏压的同时，以薄膜形成方法在基体上形成透明导电膜。

公开(公告)号：CN101180687B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200680018062.9

申请日：2006-12-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中川原修 ,  瀨戸弘之 ,  岸本諭卓

IPC: C23C14/08

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  Y10T428/31507

Abstract: 本发明提供具备可实用的耐湿性和作为透明导电膜所必需的特性，且成本低的ZnO类透明导电膜及其制造方法。在氧化锌(ZnO)中掺杂III族元素并使其在基体上生长而得的透明导电膜中，使其具备具有c轴朝向相互不同的多个方向的结晶结构的区域。在氧化锌(ZnO)中掺杂III族元素并使其在基体上生长而得的透明导电膜中，使ZnO(002)摇摆曲线半宽度在13.5°以上。以III族元素氧化物的掺杂量满足透明导电膜中的III族元素氧化物的比例在7～40重量％的范围内的条件，在ZnO中掺杂III族元素氧化物。介以SiNλ薄膜在基体上形成透明导电膜。对基体施加偏压的同时，以薄膜形成方法在基体上形成透明导电膜。