-
公开(公告)号：CN109804450A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201680089774.3
申请日：2016-10-13
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/073 , H01J1/30 , H01J9/02
Abstract: 即使在对CFE电子源使用CeB6并进行低加速观察的情况下，也能够提供一种稳定地获得高空间分辨率的电子束装置。在具备CFE电子源(929)的电子束装置中，CFE电子源的电子束(931)的发射部是Ce的六硼化物或者比Ce重的镧系元素金属的六硼化物，六硼化物从{310}面发射电子束，{310}面的镧系元素金属的原子数比由{310}面的六个硼构成的硼分子数多。
-
公开(公告)号：CN109804450B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201680089774.3
申请日：2016-10-13
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/073 , H01J1/30 , H01J9/02
Abstract: 即使在对CFE电子源使用CeB6并进行低加速观察的情况下，也能够提供一种稳定地获得高空间分辨率的电子束装置。在具备CFE电子源(929)的电子束装置中，CFE电子源的电子束(931)的发射部是Ce的六硼化物或者比Ce重的镧系元素金属的六硼化物，六硼化物从{310}面发射电子束，{310}面的镧系元素金属的原子数比由{310}面的六个硼构成的硼分子数多。
-
公开(公告)号：CN110235217A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201780085216.4
申请日：2017-12-08
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提供一种即使在使用六硼化物的情况下，也能够长时间稳定地使用的电子源和使用它的电子束装置。电子源包括：金属制的灯丝(103)；金属管(112)，其被固定在灯丝(103)上，在外周具有以包围中心轴的方式配置在至少2轴方向上的多个凹部(117)；和柱状的六硼化物的针头(104)，其发射电子，从金属管(112)的内部向灯丝(103)的相反一侧突出地配置，且与金属管(112)的多个凹部(117)各自的底部接触。
-
公开(公告)号：CN102312207A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110177715.0
申请日：2011-06-29
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。在薄膜有机EL材料之上进行低损坏且高速的溅射成膜而不会使成膜装置大型化。将磁控管等离子体(20)封闭在可动式屏蔽电极(13)内，所述可动式屏蔽电极(13)在靶材料11侧为开口、在基板侧具有在关闭面内使溅射粒子通过的缝隙，使可动式屏蔽电极(13)和磁控管(17)同时扫描，以进行针对下层膜的损坏较少的成膜，之后，仅仅磁控管(17)扫描以进行利用磁控管等离子体的高速成膜。据此，就能够进行对下层膜损坏较少、且高速的成膜。
-
公开(公告)号：CN114787959A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080085111.0
申请日：2020-11-19
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J49/02 , C09K11/00 , C09K11/62 , H01J37/244
Abstract: 提供使发光强度提升的闪烁器等。闪烁器(S)具备：蓝宝石基板(6)；GaN层(4)，其相对于蓝宝石基板(6)设于入射侧，包含GaN；量子阱构造(3)，其相对于GaN层(4)设于入射侧；导电层(2)，其相对于量子阱构造(3)设于入射侧，在量子阱构造(3)中，将包含InGaN的多个发光层(21)和包含GaN的多个阻挡层(22)交替层叠，在量子阱构造(3)与导电层(2)之间设有包含氧的含氧层(23)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110235217B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201780085216.4
申请日：2017-12-08
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提供一种即使在使用六硼化物的情况下，也能够长时间稳定地使用的电子源和使用它的电子束装置。电子源包括：金属制的灯丝(103)；金属管(112)，其被固定在灯丝(103)上，在外周具有以包围中心轴的方式配置在至少2轴方向上的多个凹部(117)；和柱状的六硼化物的针头(104)，其发射电子，从金属管(112)的内部向灯丝(103)的相反一侧突出地配置，且与金属管(112)的多个凹部(117)各自的底部接触。
-
公开(公告)号：CN103938162A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410018357.2
申请日：2014-01-16
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提供蒸镀装置和该蒸镀装置所用的蒸发源，该蒸镀装置能够长时间进行稳定的蒸镀，该蒸发源能够稳定且大量地收入作为蒸镀材料的Al。本发明的蒸镀装置具备蒸镀基板的蒸发源（30）和收纳蒸发源（30）且基板被搬送的工艺腔室。蒸发源（30）具备坩埚（10），坩埚（10）具有固体的Al材料（2）被供给的材料收入部（11）、与材料收入部（11）相邻，加热从材料收入部（11）供给的Al材料（2）使其熔融并形成为熔液（1）的熔融部（12）、和与熔融部（12）相邻，加热从熔融部（12）供给的熔液（1）而产生蒸气的蒸发部（13）。
-
公开(公告)号：CN103031520A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210304156.X
申请日：2012-08-24
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: C23C14/24 , C23C14/12 , H01L21/203
Abstract: 本发明提供一种蒸发源及成膜装置。该成膜装置具有防止铝的爬升且难以产生破损的稳定的蒸发源。而且该成膜装置适合于使基板竖直并自横向进行蒸镀的纵向式蒸镀。所述蒸发源至少由坩埚和加热部构成，坩埚由相对于蒸镀材料的浸润性不同的材质制成的具有两种结构的坩埚，至少开口部由浸润性小的材料制成，被供给蒸镀材料的部分由浸润性大的材料制成。成膜装置具有如上所述的蒸发源。
-
公开(公告)号：CN102732837A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210023615.7
申请日：2012-02-03
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明以低成本提供一种具有防止Al的向上蠕动或Al蒸气浸入而难以引起破损的蒸发源的蒸镀装置。该蒸镀装置在真空腔室内具有蒸镀源单元(26)，其中，上述蒸镀源单元(26)具有：收容蒸发材料(5)的坩埚(1)、安装于上述坩埚(1)的开口部的喷嘴(2)、包围上述坩埚(1)并收容加热器(3)的加热室(10)、和固定件(7)，在上述坩埚(1)的内壁和上述加热室(10)之间具有切口(12)，该切口(12)阻止在上述坩埚(1)中熔融了的上述蒸发材料(5)或上述蒸发材料(5)的蒸气侵入到上述加热室(10)。
-
公开(公告)号：CN108701571B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201680082576.4
申请日：2016-11-24
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J1/304 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J9/02
Abstract: 本发明提供可稳定地加热闪蒸的六硼化物单结晶场致发射电子源，因此，本场致发射电子源具包括：金属丝(107)、与其接合的金属管(108)、发射电子的六硼化物电极头(104)、独立于金属管和六硼化物电极头的石墨片(109)，六硼化物电极头配置成因石墨片而在结构上不与金属管接触，且具有六硼化物电极头、石墨片和金属管机械接触且电接触的结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.026 seconds)
