公开(公告)号：CN109804450A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201680089774.3

申请日：2016-10-13

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 糟谷圭吾 ,  荒井纪明 ,  楠敏明 ,  大岛卓 ,  桥诘富博 ,  酒井佑辅

IPC: H01J37/073 ,  H01J1/30 ,  H01J9/02

Abstract: 即使在对CFE电子源使用CeB6并进行低加速观察的情况下，也能够提供一种稳定地获得高空间分辨率的电子束装置。在具备CFE电子源(929)的电子束装置中，CFE电子源的电子束(931)的发射部是Ce的六硼化物或者比Ce重的镧系元素金属的六硼化物，六硼化物从{310}面发射电子束，{310}面的镧系元素金属的原子数比由{310}面的六个硼构成的硼分子数多。

公开(公告)号：CN109804450B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201680089774.3

申请日：2016-10-13

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 糟谷圭吾 ,  荒井纪明 ,  楠敏明 ,  大岛卓 ,  桥诘富博 ,  酒井佑辅

IPC: H01J37/073 ,  H01J1/30 ,  H01J9/02

Abstract: 即使在对CFE电子源使用CeB6并进行低加速观察的情况下，也能够提供一种稳定地获得高空间分辨率的电子束装置。在具备CFE电子源(929)的电子束装置中，CFE电子源的电子束(931)的发射部是Ce的六硼化物或者比Ce重的镧系元素金属的六硼化物，六硼化物从{310}面发射电子束，{310}面的镧系元素金属的原子数比由{310}面的六个硼构成的硼分子数多。

公开(公告)号：CN108701571A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680082576.4

申请日：2016-11-24

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 楠敏明 ,  桥诘富博 ,  糟谷圭吾 ,  大嶋卓 ,  酒井佑辅 ,  小瀬洋一 ,  荒井纪明

IPC: H01J1/304 ,  H01J37/06 ,  H01J37/073 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明提供可稳定地加热闪蒸的六硼化物单结晶场致发射电子源，因此，本场致发射电子源具包括：金属丝(107)、与其接合的金属管(108)、发射电子的六硼化物电极头(104)、独立于金属管和六硼化物电极头的石墨片(109)，六硼化物电极头配置成因石墨片而在结构上不与金属管接触，且具有六硼化物电极头、石墨片和金属管机械接触且电接触的结构。

公开(公告)号：CN108701571B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201680082576.4

申请日：2016-11-24

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 楠敏明 ,  桥诘富博 ,  糟谷圭吾 ,  大嶋卓 ,  酒井佑辅 ,  小瀬洋一 ,  荒井纪明

IPC: H01J1/304 ,  H01J37/06 ,  H01J37/073 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明提供可稳定地加热闪蒸的六硼化物单结晶场致发射电子源，因此，本场致发射电子源具包括：金属丝(107)、与其接合的金属管(108)、发射电子的六硼化物电极头(104)、独立于金属管和六硼化物电极头的石墨片(109)，六硼化物电极头配置成因石墨片而在结构上不与金属管接触，且具有六硼化物电极头、石墨片和金属管机械接触且电接触的结构。