-
公开(公告)号:CN114787959A
公开(公告)日:2022-07-22
申请号:CN202080085111.0
申请日:2020-11-19
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J49/02 , C09K11/00 , C09K11/62 , H01J37/244
Abstract: 提供使发光强度提升的闪烁器等。闪烁器(S)具备:蓝宝石基板(6);GaN层(4),其相对于蓝宝石基板(6)设于入射侧,包含GaN;量子阱构造(3),其相对于GaN层(4)设于入射侧;导电层(2),其相对于量子阱构造(3)设于入射侧,在量子阱构造(3)中,将包含InGaN的多个发光层(21)和包含GaN的多个阻挡层(22)交替层叠,在量子阱构造(3)与导电层(2)之间设有包含氧的含氧层(23)。