-
公开(公告)号：CN103938162A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410018357.2
申请日：2014-01-16
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提供蒸镀装置和该蒸镀装置所用的蒸发源，该蒸镀装置能够长时间进行稳定的蒸镀，该蒸发源能够稳定且大量地收入作为蒸镀材料的Al。本发明的蒸镀装置具备蒸镀基板的蒸发源（30）和收纳蒸发源（30）且基板被搬送的工艺腔室。蒸发源（30）具备坩埚（10），坩埚（10）具有固体的Al材料（2）被供给的材料收入部（11）、与材料收入部（11）相邻，加热从材料收入部（11）供给的Al材料（2）使其熔融并形成为熔液（1）的熔融部（12）、和与熔融部（12）相邻，加热从熔融部（12）供给的熔液（1）而产生蒸气的蒸发部（13）。
-
公开(公告)号：CN103031520A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210304156.X
申请日：2012-08-24
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: C23C14/24 , C23C14/12 , H01L21/203
Abstract: 本发明提供一种蒸发源及成膜装置。该成膜装置具有防止铝的爬升且难以产生破损的稳定的蒸发源。而且该成膜装置适合于使基板竖直并自横向进行蒸镀的纵向式蒸镀。所述蒸发源至少由坩埚和加热部构成，坩埚由相对于蒸镀材料的浸润性不同的材质制成的具有两种结构的坩埚，至少开口部由浸润性小的材料制成，被供给蒸镀材料的部分由浸润性大的材料制成。成膜装置具有如上所述的蒸发源。
-
公开(公告)号：CN102732837A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210023615.7
申请日：2012-02-03
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明以低成本提供一种具有防止Al的向上蠕动或Al蒸气浸入而难以引起破损的蒸发源的蒸镀装置。该蒸镀装置在真空腔室内具有蒸镀源单元(26)，其中，上述蒸镀源单元(26)具有：收容蒸发材料(5)的坩埚(1)、安装于上述坩埚(1)的开口部的喷嘴(2)、包围上述坩埚(1)并收容加热器(3)的加热室(10)、和固定件(7)，在上述坩埚(1)的内壁和上述加热室(10)之间具有切口(12)，该切口(12)阻止在上述坩埚(1)中熔融了的上述蒸发材料(5)或上述蒸发材料(5)的蒸气侵入到上述加热室(10)。
-
公开(公告)号：CN102061445A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010539611.5
申请日：2010-11-09
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提供一种在大型基板上高速地形成膜厚均匀且杂质少的薄膜并可长时间连续运转的真空蒸镀装置及成膜装置。将形成了有机EL层的基板(1)垂直地设置于蒸镀室(5)内，在基板(1)上配置用于选择地蒸镀有机EL层的纯金属掩膜(4)。成为有机EL层的材料的蒸发源(8)配置于蒸镀室外。喷嘴线状地配置的蒸发头部(3)与蒸发源(8)由柔软的配管(7)连接。通过使蒸发头部(3)在与喷嘴的配置方向垂直的方向移动，在基板(1)上蒸镀有机EL层。通过以柔软的配管(7)连接蒸发头部(3)与蒸发源(9)，可只使蒸发头部(3)移动，能够使装置的结构简单化，另外，能够防止由可动机构产生的杂质引起的有机EL层的污染。
-
公开(公告)号：CN102061445B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010539611.5
申请日：2010-11-09
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提供一种在大型基板上高速地形成膜厚均匀且杂质少的薄膜并可长时间连续运转的真空蒸镀装置及成膜装置。将形成了有机EL层的基板(1)垂直地设置于蒸镀室(5)内，在基板(1)上配置用于选择地蒸镀有机EL层的纯金属掩膜(4)。成为有机EL层的材料的蒸发源(8)配置于蒸镀室外。喷嘴线状地配置的蒸发头部(3)与蒸发源(8)由柔软的配管(7)连接。通过使蒸发头部(3)在与喷嘴的配置方向垂直的方向移动，在基板(1)上蒸镀有机EL层。通过以柔软的配管(7)连接蒸发头部(3)与蒸发源(9)，可只使蒸发头部(3)移动，能够使装置的结构简单化，另外，能够防止由可动机构产生的杂质引起的有机EL层的污染。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102312207A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110177715.0
申请日：2011-06-29
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。在薄膜有机EL材料之上进行低损坏且高速的溅射成膜而不会使成膜装置大型化。将磁控管等离子体(20)封闭在可动式屏蔽电极(13)内，所述可动式屏蔽电极(13)在靶材料11侧为开口、在基板侧具有在关闭面内使溅射粒子通过的缝隙，使可动式屏蔽电极(13)和磁控管(17)同时扫描，以进行针对下层膜的损坏较少的成膜，之后，仅仅磁控管(17)扫描以进行利用磁控管等离子体的高速成膜。据此，就能够进行对下层膜损坏较少、且高速的成膜。
-
公开(公告)号：CN103710667A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310339461.7
申请日：2013-08-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明是提供一种蒸发源、真空蒸镀装置以及有机EL显示装置制造方法，使用能够降低热辐射、能够节电化的蒸发源，能够与大型基板对应，高速形成以铝材料为主的金属薄膜，连续成膜。作为解决本发明课题的方法涉及在使用陶瓷制的坩锅的蒸发源中，通过使夹着凸缘部那样设置热反射构件，有效地阻断沿凸缘部流出的热。其结果是能够用少的电力有效地加热坩锅，另外能够防止凸缘部的温度上升，防止攀缘。
-
公开(公告)号：CN103374700A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310124641.3
申请日：2013-04-11
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提供一种真空蒸镀装置。将多个线状蒸发源相对于成膜方向配置成多级，能够在去路和回路中不改变成膜顺序地进行共蒸镀。在基板上成膜蒸镀材料的真空蒸镀装置中，具有以相对于成膜方向为对称的方式配置有多个线状蒸发源的蒸发源组，上述蒸发源组相对于上述基板向第一方向移动并对上述基板成膜后，相对于上述基板向与上述第一方向相反的方向即第二方向移动并对上述基板成膜。
-
公开(公告)号：CN103361610A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310053508.3
申请日：2013-02-19
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: C23C14/26
Abstract: 本发明提供一种即使蒸镀材料进入蒸发源内部，也防止膜质的劣化，不会对连续运转、维护产生障碍的蒸发源以及真空蒸镀装置。蒸发源以及真空蒸镀装置由具有用于将加热被封入的蒸镀材料而蒸发出的蒸镀材料排放的喷嘴的坩埚、用于加热该坩埚的加热构件、配置在上述坩埚和上述加热构件的周边的隔热构件构成，在上述隔热构件和坩埚或者加热构件之间设置由该加热构件保持为低温的浮游蒸镀物回收构件，且在该浮游蒸镀物回收构件和上述坩埚以及上述加热构件之间设置隔热构件。
-
公开(公告)号：CN102312207B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201110177715.0
申请日：2011-06-29
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。在薄膜有机EL材料之上进行低损坏且高速的溅射成膜而不会使成膜装置大型化。将磁控管等离子体(20)封闭在可动式屏蔽电极(13)内，所述可动式屏蔽电极(13)在靶材料11侧为开口、在基板侧具有在关闭面内使溅射粒子通过的缝隙，使可动式屏蔽电极(13)和磁控管(17)同时扫描，以进行针对下层膜的损坏较少的成膜，之后，仅仅磁控管(17)扫描以进行利用磁控管等离子体的高速成膜。据此，就能够进行对下层膜损坏较少、且高速的成膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.028 seconds)
