公开(公告)号：CN1420560A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02149594.7

申请日：2002-11-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 齋藤達之 ,  大桥直史 ,  今井俊则 ,  野口纯司 ,  田丸刚

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/84 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：制作在半导体衬底上并具有布线沟槽的第一层间绝缘膜；布线部分，它具有制作在所述布线沟槽侧壁和底部表面上的第一阻挡金属层、制作在所述第一阻挡金属层上用以掩埋所述布线沟槽的第一导体层、以及制作在所述第一导体层表面上的帽层阻挡金属膜；制作在所述第一层间绝缘膜上并具有连接孔的第二层间绝缘膜；以及连接部分，它具有制作在所述连接孔的侧壁和底部表面上的第二阻挡金属层，以及制作在所述第二阻挡金属层上用以掩埋所述连接孔的第二导体层；其中，在所述连接部分与所述布线部分之间的连接处，至少清除所述连接孔底部表面上的所述第二阻挡金属层或所述帽层阻挡金属膜中的任何一个。根据本发明，能够减小第一层互连与栓塞之间的接触电阻，并能够改善电迁移阻力。

公开(公告)号：CN100470787C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN02149594.7

申请日：2002-11-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 齋藤達之 ,  大桥直史 ,  今井俊则 ,  野口纯司 ,  田丸刚

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/84 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：制作在半导体衬底上并具有布线沟槽的第一层间绝缘膜；布线部分，它具有制作在所述布线沟槽侧壁和底部表面上的第一阻挡金属层、制作在所述第一阻挡金属层上用以掩埋所述布线沟槽的第一导体层、以及制作在所述第一导体层表面上的帽层阻挡金属膜；制作在所述第一层间绝缘膜上并具有连接孔的第二层间绝缘膜；以及连接部分，它具有制作在所述连接孔的侧壁和底部表面上的第二阻挡金属层，以及制作在所述第二阻挡金属层上用以掩埋所述连接孔的第二导体层；其中，在所述连接部分与所述布线部分之间的连接处，至少清除所述连接孔底部表面上的所述第二阻挡金属层或所述帽层阻挡金属膜中的任何一个。根据本发明，能够减小第一层互连与栓塞之间的接触电阻，并能够改善电迁移阻力。

公开(公告)号：CN1722433A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510088422.X

申请日：1999-07-08

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立东京电子株式会社

Inventor： 藤原刚 ,  一濑胜彦 ,  大桥直史 ,  牛山雅弘 ,  齐藤哲夫

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/52

Abstract: 本发明的目的是提供一种高性能和高可靠性的半导体器件。用于自对准的氮化硅膜17，形成此膜以覆盖MISFET的栅极，以下述方式形成：利用含有单硅烷和氮气的原料气、通过等离子CVD、在400摄氏度或更高的衬底温度下形成。构成钝化膜的氮化硅膜44是利用含有单硅烷、氨气和氮气的原料气、通过等离子CVD、在约350摄氏度的衬底温度下形成的。包含在氮化硅膜17中的氢气含量小于在氮化硅膜44中的含量，可以抑制从氮化硅膜17释放氢气。

公开(公告)号：CN1220257C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN99816381.3

申请日：1999-07-08

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立东京电子株式会社

Inventor： 藤原刚 ,  一濑胜彦 ,  大桥直史 ,  牛山雅弘 ,  齐藤哲夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L24/11 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/24 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种高性能和高可靠性的半导体器件及其制造方法。用于自对准的氮化硅膜17，形成此膜以覆盖MISFET的栅极，以下述方式形成：利用含有单硅烷和氮气的原料气、通过等离子CVD、在400摄氏度或更高的衬底温度下形成。构成钝化膜的氮化硅膜44是利用含有单硅烷、氨气和氮气的原料气、通过等离子CVD、在约350摄氏度的衬底温度下形成的。包含在氮化硅膜17中的氢气含量小于在氮化硅膜44中的含量，可以抑制从氮化硅膜17释放氢气。

公开(公告)号：CN1338114A

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：CN99816381.3

申请日：1999-07-08

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立东京电子株式会社

Inventor： 藤原刚 ,  一濑胜彦 ,  大桥直史 ,  牛山雅弘 ,  齐藤哲夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L24/11 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/24 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的目的是提供一种高性能和高可靠性的半导体器件。用于自对准的氮化硅膜17,形成此膜以覆盖MISFET的栅极,以下述方式形成:利用含有单硅烷和氮气的原料气、通过等离子CVD、在400摄氏度或更高的衬底温度下形成。构成钝化膜的氮化硅膜44是利用含有单硅烷、氨气和氮气的原料气、通过等离子CVD、在约350摄氏度的衬底温度下形成的。包含在氮化硅膜17中的氢气含量小于在氮化硅膜44中的含量,可以抑制从氮化硅膜17释放氢气。