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公开(公告)号：CN1921311A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610007383.0
申请日：2006-02-13
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明的目的是提供让电源电压降低保护电路具有过热保护功能的半导体装置。本发明的半导体装置的保护电路，用电阻和具有正的齐纳电压温度依存性的齐纳二极管的串联体分割电源电压后，连接到比较器的一个输入端，在比较器的另一个输入端，施加用电阻分割的电源电压，比较齐纳电压和电阻分割电压来检测无过热时的电源电压有无变动，用齐纳电压的变动来检测无电源电压变动时的半导体装置有无过热。
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公开(公告)号：CN1983793A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610109999.9
申请日：2006-11-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02P6/085 , H02M7/53875 , H02M2001/0009 , H02P6/10
Abstract: 一种马达驱动用半导体装置，是将一个或多个半导体芯片以一体封装的形式进行树脂密封而成，该半导体芯片具备：六个开关元件，对三相马达进行驱动；三个输出端子，分别向三相马达的线圈的三个端子施加输出电压；六个开关元件的驱动电路；和分别对六个开关元件进行接通/断开控制的六个控制信号输入端子，该马达驱动用半导体装置具备：检测三相马达的相电流的电流极性并输出电流极性信号的电流极性检测电路的一部分或整体；和用于从马达驱动用半导体装置向外部输出电流极性信号的电流极性信号输出端子。由此，能够同时实现基于正弦波驱动方式的马达的转矩波动的降低、及基于电流相位控制的马达的高效运转。
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公开(公告)号：CN1199283C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN00101998.8
申请日：2000-02-04
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立原町电子工业株式会社
CPC classification number: H01L29/4232 , H01L29/42312 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/7393 , H01L29/7395 , H01L29/7801 , H01L29/7809 , H01L29/7816
Abstract: 绝缘门控晶体管包括第一半导体区、包括多个部分的第二半导体区、第三半导体区、第四半导体区、第一主电极和第二主电极，其中在第一主表面平面上经由绝缘层设置金属布线层，通过上述的主电极设置与第一主电极绝缘的多个区域，以及金属布线层通过绝缘层经由与主电极绝缘的区域与控制电极电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1921311B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610007383.0
申请日：2006-02-13
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明的目的是提供让电源电压降低保护电路具有过热保护功能的半导体装置。本发明的半导体装置的保护电路，用电阻和具有正的齐纳电压温度依存性的齐纳二极管的串联体分割电源电压后，连接到比较器的一个输入端，在比较器的另一个输入端，施加用电阻分割的电源电压，比较齐纳电压和电阻分割电压来检测无过热时的电源电压有无变动，用齐纳电压的变动来检测无电源电压变动时的半导体装置有无过热。
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公开(公告)号：CN100574083C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610109999.9
申请日：2006-11-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02P6/085 , H02M7/53875 , H02M2001/0009 , H02P6/10
Abstract: 一种马达驱动用半导体装置，是将一个或多个半导体芯片以一体封装的形式进行树脂密封而成，该半导体芯片具备：六个开关元件，对三相马达进行驱动；三个输出端子，分别向三相马达的线圈的三个端子施加输出电压；六个开关元件的驱动电路；和分别对六个开关元件进行接通/断开控制的六个控制信号输入端子，该马达驱动用半导体装置具备：检测三相马达的相电流的电流极性并输出电流极性信号的电流极性检测电路的一部分或整体；和用于从马达驱动用半导体装置向外部输出电流极性信号的电流极性信号输出端子。由此，能够同时实现基于正弦波驱动方式的马达的转矩波动的降低、及基于电流相位控制的马达的高效运转。
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公开(公告)号：CN100456480C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200610115938.3
申请日：2006-08-18
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L29/739 , H01L29/417 , H01L29/06
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种防止自锁性能优良的横向绝缘栅双极型晶体管。本发明的横向绝缘栅双极型晶体管与半导体基片相互绝缘隔离地横跨相互邻接的多个单晶硅区域形成，形成于上述多个单晶硅区域的各主表面上的条纹状的集电极夹住与该集电极相对配置的条纹状的发射极，配置于单晶硅区域的端部的集电极数是4个或其以上。
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公开(公告)号：CN1937230A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610115938.3
申请日：2006-08-18
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L29/739 , H01L29/417 , H01L29/06
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种防止自锁性能优良的横向绝缘栅双极型晶体管。本发明的横向绝缘栅双极型晶体管与半导体基片相互绝缘隔离地横跨相互邻接的多个单晶硅区域形成，形成于上述多个单晶硅区域的各主表面上的条纹状的集电极夹住与该集电极相对配置的条纹状的发射极，配置于单晶硅区域的端部的集电极数是4个或其以上。
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公开(公告)号：CN1263360A
公开(公告)日：2000-08-16
申请号：CN00101998.8
申请日：2000-02-04
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立原町电子工业株式会社
CPC classification number: H01L29/4232 , H01L29/42312 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/7393 , H01L29/7395 , H01L29/7801 , H01L29/7809 , H01L29/7816
Abstract: 绝缘门控晶体管包括第一半导体区、包括多个部分的第二半导体区、第三半导体区、第四半导体区、第一主电极和第二主电极,其中在第一主表面平面上经由绝缘层设置金属布线层,通过上述的主电极设置与第一主电极绝缘的多个区域,以及金属布线层通过绝缘层经由与主电极绝缘的区域与控制电极电连接。
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