公开(公告)号：CN1199283C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN00101998.8

申请日：2000-02-04

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立原町电子工业株式会社

Inventor： 内海智之 ,  大关正一 ,  须田晃一

IPC: H01L29/70 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4232 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7816

Abstract: 绝缘门控晶体管包括第一半导体区、包括多个部分的第二半导体区、第三半导体区、第四半导体区、第一主电极和第二主电极，其中在第一主表面平面上经由绝缘层设置金属布线层，通过上述的主电极设置与第一主电极绝缘的多个区域，以及金属布线层通过绝缘层经由与主电极绝缘的区域与控制电极电连接。

公开(公告)号：CN1263360A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：CN00101998.8

申请日：2000-02-04

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立原町电子工业株式会社

Inventor： 内海智之 ,  大关正一 ,  须田晃一

IPC: H01L29/70 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4232 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7816

Abstract: 绝缘门控晶体管包括第一半导体区、包括多个部分的第二半导体区、第三半导体区、第四半导体区、第一主电极和第二主电极,其中在第一主表面平面上经由绝缘层设置金属布线层,通过上述的主电极设置与第一主电极绝缘的多个区域,以及金属布线层通过绝缘层经由与主电极绝缘的区域与控制电极电连接。

公开(公告)号：CN100456480C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200610115938.3

申请日：2006-08-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 内海智之 ,  涩谷隆浩 ,  大关正一 ,  长谷川裕之

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/739 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种防止自锁性能优良的横向绝缘栅双极型晶体管。本发明的横向绝缘栅双极型晶体管与半导体基片相互绝缘隔离地横跨相互邻接的多个单晶硅区域形成，形成于上述多个单晶硅区域的各主表面上的条纹状的集电极夹住与该集电极相对配置的条纹状的发射极，配置于单晶硅区域的端部的集电极数是4个或其以上。

公开(公告)号：CN1937230A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610115938.3

申请日：2006-08-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 内海智之 ,  涩谷隆浩 ,  大关正一 ,  长谷川裕之

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/739 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种防止自锁性能优良的横向绝缘栅双极型晶体管。本发明的横向绝缘栅双极型晶体管与半导体基片相互绝缘隔离地横跨相互邻接的多个单晶硅区域形成，形成于上述多个单晶硅区域的各主表面上的条纹状的集电极夹住与该集电极相对配置的条纹状的发射极，配置于单晶硅区域的端部的集电极数是4个或其以上。