公开(公告)号：CN100456480C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200610115938.3

申请日：2006-08-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 内海智之 ,  涩谷隆浩 ,  大关正一 ,  长谷川裕之

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/739 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种防止自锁性能优良的横向绝缘栅双极型晶体管。本发明的横向绝缘栅双极型晶体管与半导体基片相互绝缘隔离地横跨相互邻接的多个单晶硅区域形成，形成于上述多个单晶硅区域的各主表面上的条纹状的集电极夹住与该集电极相对配置的条纹状的发射极，配置于单晶硅区域的端部的集电极数是4个或其以上。

公开(公告)号：CN1937230A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610115938.3

申请日：2006-08-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 内海智之 ,  涩谷隆浩 ,  大关正一 ,  长谷川裕之

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/739 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种防止自锁性能优良的横向绝缘栅双极型晶体管。本发明的横向绝缘栅双极型晶体管与半导体基片相互绝缘隔离地横跨相互邻接的多个单晶硅区域形成，形成于上述多个单晶硅区域的各主表面上的条纹状的集电极夹住与该集电极相对配置的条纹状的发射极，配置于单晶硅区域的端部的集电极数是4个或其以上。