公开(公告)号：CN1921311A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610007383.0

申请日：2006-02-13

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 根本大 ,  樱井健司 ,  内海智之 ,  长谷川裕之

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/14

Abstract: 本发明的目的是提供让电源电压降低保护电路具有过热保护功能的半导体装置。本发明的半导体装置的保护电路，用电阻和具有正的齐纳电压温度依存性的齐纳二极管的串联体分割电源电压后，连接到比较器的一个输入端，在比较器的另一个输入端，施加用电阻分割的电源电压，比较齐纳电压和电阻分割电压来检测无过热时的电源电压有无变动，用齐纳电压的变动来检测无电源电压变动时的半导体装置有无过热。

公开(公告)号：CN1921311B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610007383.0

申请日：2006-02-13

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 根本大 ,  樱井健司 ,  内海智之 ,  长谷川裕之

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/14

Abstract: 本发明的目的是提供让电源电压降低保护电路具有过热保护功能的半导体装置。本发明的半导体装置的保护电路，用电阻和具有正的齐纳电压温度依存性的齐纳二极管的串联体分割电源电压后，连接到比较器的一个输入端，在比较器的另一个输入端，施加用电阻分割的电源电压，比较齐纳电压和电阻分割电压来检测无过热时的电源电压有无变动，用齐纳电压的变动来检测无电源电压变动时的半导体装置有无过热。