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公开(公告)号：CN101479402B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200780024242.2
申请日：2007-06-13
申请人： 株式会社富士金
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C16/52 , G05D16/2013 , Y10T137/7737
摘要： 实现基于MOCVD法的用于半导体制造的原料气化供给装置的构造的简易化和小型化，并且高精度地控制原料向加工室的供给量，从而实现半导体的品质的稳定化和品质的提升。本发明的原料气体供给装置，具有：原料容器，贮留原料；流量控制装置，将来自载流气体供给源的一定流量的载流气体(G1)一边调整流量一边向上述原料容器的原料中供给；1次配管路，导出积存在原料容器的上部空间中的原料的蒸气(G4)与载流气体(G1)的混合气体(G0)；自动压力调节装置，基于上述1次配管路的混合气体(G0)的压力以及温度的检测值来调节夹设在1次配管路的末端上的控制阀的开度，调节混合气体(G0)所流通的通路截面积，从而保持原料容器内的混合气体(G0)的压力为恒定值；恒温加热部，将上述原料容器以及自动压力调节装置的除了运算控制部的部分加热至设定温度，一边控制原料容器内的内压为期望的压力一边向加工室供给混合气体(G0)。
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公开(公告)号：CN101360941B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200680051269.6
申请日：2006-11-13
申请人： 株式会社富士金
CPC分类号： F16K24/04 , F16K7/14 , F16K31/004 , F16K31/007 , F16K51/02
摘要： 在高温环境下也能进行高精度的稳定流量控制，并可无需拆卸控制阀自身来调整加在压电元件上的压力。具体由下列构件构成：形成有阀室7a′和阀座7c的阀体7；设置在阀室7a′内，可落入或离开阀座7c的金属隔膜8；固定在阀体7侧的致动器壳体10；设置在致动器壳体10内，因电压的施加而向下方伸长，通过金属隔膜压塞12加压于金属隔膜8的压电元件13；在金属隔膜8向阀座7c坐落时吸收压电元件13的伸长，并可向阀座7c等施加预定压力的碟形弹簧机构14；在压电元件13上常时施加向上的压力，并可从外部调整加在压电元件13上的压力的预压机构21。
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公开(公告)号：CN101983418B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200980111910.4
申请日：2009-02-17
申请人： 株式会社富士金
IPC分类号： H01L21/31 , B01J4/00 , H01L21/205
CPC分类号： B01J4/02 , B01B1/005 , B01J2219/00162 , B01J2219/00164 , B01J2219/00191 , B01J2219/00198 , B01J2219/00213 , B01J2219/00231 , C23C16/4481 , C23C16/4485 , C23C16/45561 , F02D19/023 , F02D19/027 , F02M21/0239 , F02M21/06 , Y02T10/32 , Y10T137/6416 , Y10T137/6606
摘要： 本发明提供具备气化器的气体供给装置，该气体供给装置由下列部件构成：液体收纳罐；使液体气化的气化器；对气化气体的流量进行调节的高温型压力式流量控制装置；以及加热装置，该加热装置对气化器、高温型压力式流量控制装置以及与气化器和高温型压力式流量控制装置连接的配管路径的期望部分进行加热，由此实现节能和小型化，并且不需要严格的气化器侧的温度控制，就能够稳定且简单地进行高精度的气体流量控制。
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公开(公告)号：CN101360941A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200680051269.6
申请日：2006-11-13
申请人： 株式会社富士金
CPC分类号： F16K24/04 , F16K7/14 , F16K31/004 , F16K31/007 , F16K51/02
摘要： 在高温环境下也能进行高精度的稳定流量控制，并可无需拆卸控制阀自身来调整加在压电元件上的压力。具体由下列构件构成：形成有阀室7a′和阀座7c的阀体7；设置在阀室7a′内，可落入或离开阀座7c的金属隔膜8；固定在阀体7侧的致动器壳体10；设置在致动器壳体10内，因电压的施加而向下方伸长，通过金属隔膜压塞12加压于金属隔膜8的压电元件13；在金属隔膜8向阀座7c坐落时吸收压电元件13的伸长，并可向阀座7c等施加预定压力的碟形弹簧机构14；在压电元件13上常时施加向上的压力，并可从外部调整加在压电元件13上的压力的预压机构21。
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公开(公告)号：CN101258456B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200680031548.6
申请日：2006-08-28
申请人： 株式会社富士金
CPC分类号： G01F1/42 , F16K37/0091 , G05D7/0635
摘要： 能够不将阀从流体供给系统的配管路径拆下而利用具有压力传感器的流量控制装置的功能简单且迅速、正确地检查组装在使用流量控制装置的流体供给系统中的多个阀的动作不良及座泄漏等异常。具体而言，在装备有包括流量设定机构、流量及压力的显示机构及或流量自诊断机构的具有压力传感器的流量控制装置的流体供给系统中，利用上述流量控制装置的上述压力的显示值及或流量自诊断机构的诊断值检测上述流量控制装置及设在其上游侧及或下游侧的控制阀的异常。
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公开(公告)号：CN100487620C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200480029178.3
申请日：2004-09-14
IPC分类号： G05D7/06
CPC分类号： G05D16/208 , Y10T137/7761 , Y10T137/8741 , Y10T137/87507
摘要： 本发明提供一种腔室内压控制装置，通过防止流量的控制精度在小流量范围大幅下降，并在整个流量控制范围可以进行高精度的流量控制，来调节向腔室供给的气体流量并在较大压力范围高精度控制腔室内压。具体来说，向腔室供给气体的装置，由并列状连接的多台压力式流量控制装置，和控制多台压力式流量控制装置的动作的控制装置形成，一边控制流量一边向由真空泵排气的腔室供给所希望的气体，其中，把一台压力式流量控制装置作为控制向腔室供给的最大流量的至多10%的气体流量范围的装置，把其余的压力式流量控制装置作为控制其余的气体流量范围的装置，进而在腔室上设置压力检测器并且向控制装置输入该压力检测器的检测值，调节向压力式流量控制装置的控制信号来控制向腔室的气体供给量，由此来控制腔室内压。
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公开(公告)号：CN101258456A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680031548.6
申请日：2006-08-28
申请人： 株式会社富士金
CPC分类号： G01F1/42 , F16K37/0091 , G05D7/0635
摘要： 能够不将阀从流体供给系统的配管路径拆下而利用具有压力传感器的流量控制装置的功能简单且迅速、正确地检查组装在使用流量控制装置的流体供给系统中的多个阀的动作不良及座泄漏等异常。具体而言，在装备有包括流量设定机构、流量及压力的显示机构及或流量自诊断机构的具有压力传感器的流量控制装置的流体供给系统中，利用上述流量控制装置的上述压力的显示值及或流量自诊断机构的诊断值检测上述流量控制装置及设在其上游侧及或下游侧的控制阀的异常。
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公开(公告)号：CN1279416C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN02805589.6
申请日：2002-11-22
申请人： 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G05D7/06
CPC分类号： G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
摘要： 本发明的解决手段在于提供一种改良型压力式流量控制装置，其以Qc＝KP2m(P1-P2)n表示非临界领域(非音速域)中压缩性流体的实验流量式，以此Qc＝KP2m(P1-P2)n(K为比例常数，m及n为常数)计算通过孔口4的流体流量，可正确且高速地将流量控制于指定流量。又提供一种改良型压力式流量控制装置，其经常将上游侧压力P1及下游侧压力P2所得压力比P2/P1＝r可与临界值rc比较，在临界条件(r≤rc)下以Qc＝KP1，在非临界条件(r＞rc)下以Qc＝KP2m(P1-P2)n运算流量，可一面对应流体的所有条件，一面正确且高速地将流量控制于指定流量。
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公开(公告)号：CN101484859A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780025188.3
申请日：2007-06-13
申请人： 株式会社富士金
CPC分类号： G05D7/0635 , G01F1/36 , G01F15/005 , G01F15/022
摘要： 在以往的压力式流量控制装置中，因其机构上流量输出信号的存在而不能判断节流机构下游侧阀的开动作，所以是不良状况。因此，在能够根据压力式流量控制装置的动作时的流量输出信号的变动状态简单地判断节流机构下游侧阀的开放的压力式流量控制装置中，将其节流机构下游侧阀开放并使向压力式流量控制装置输入的流量设定值Qe变动，检测该流量设定值Qe的变动中的来自压力式流量控制装置的流量输出信号Qo的变动的大小ΔV，在该流量输出信号Qo的变动的大小ΔV为规定值以上的情况下，判断节流机构下游侧阀的开放动作是正常的，此外，在上述变动的大小ΔV为规定值以下的情况下，判断开放动作是异常的。
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公开(公告)号：CN101479402A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200780024242.2
申请日：2007-06-13
申请人： 株式会社富士金
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C16/52 , G05D16/2013 , Y10T137/7737
摘要： 实现基于MOCVD法的用于半导体制造的原料气化供给装置的构造的简易化和小型化，并且高精度地控制原料向加工室的供给量，从而实现半导体的品质的稳定化和品质的提升。本发明的原料气体供给装置，具有：原料容器，贮留原料；流量控制装置，将来自载流气体供给源的一定流量的载流气体(G1)一边调整流量一边向上述原料容器的原料中供给；1次配管路，导出积存在原料容器的上部空间中的原料的蒸气(G4)与载流气体(G1)的混合气体(G0)；自动压力调节装置，基于上述1次配管路的混合气体(G0)的压力以及温度的检测值来调节夹设在1次配管路的末端上的控制阀的开度，调节混合气体(G0)所流通的通路截面积，从而保持原料容器内的混合气体(G0)的压力为恒定值；恒温加热部，将上述原料容器以及自动压力调节装置的除了运算控制部的部分加热至设定温度，一边控制原料容器内的内压为期望的压力一边向加工室供给混合气体(G0)。
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