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公开(公告)号：CN102737707B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201210099394.1
申请日：2012-03-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 王丸拓郎
IPC: G11C11/4063 , G11C11/4074 , G11C16/06 , G11C16/26
CPC classification number: G11C14/0018 , G11C11/24 , G11C11/404 , G11C16/0416 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/1052 , H01L27/10873 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L27/115 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其驱动方法。根据本发明，提供了一种不需要复杂的制造工序且可以抑制耗电量的存储装置。该存储装置包括易失性第一存储电路和具有其沟道形成在氧化物半导体层中的晶体管的非易失性第二存储电路，其中在进行高频率驱动时，在有电源电压供应的期间中，对第一存储电路写入数据信号并输出该数据信号，并且在停止供应电源电压之前且有电源电压供应的期间的一部分中，对第二存储电路写入数据信号；在进行低频率驱动时，在有电源电压供应的期间中，对第二存储电路写入数据信号，将写入到第二存储电路的数据信号写入到第一存储电路，并且输出写入到第一存储电路的数据信号。
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公开(公告)号：CN107040731B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201610822120.9
申请日：2016-09-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/359 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H04N5/225 , H01L27/146
Abstract: 提供一种可以在多个像素中共用晶体管的结构且以全局快门方式摄像的摄像装置。其中，在多个像素中共用使电荷检测部的电位复位的晶体管、进行对应于电荷检测部的电位的信号的输出的晶体管以及选择像素的晶体管，并且设置有节点AN(第一电荷保持部)、节点FD(第二电荷保持部)及节点FDX(电荷检测部)，并且在节点AN中取得的摄像数据被转送到节点FD，并且该摄像数据从节点FD依次被转送到节点FDX并被读出。
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公开(公告)号：CN107040731A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610822120.9
申请日：2016-09-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/359 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H04N5/225 , H01L27/146
Abstract: 提供一种可以在多个像素中共用晶体管的结构且以全局快门方式摄像的摄像装置。其中，在多个像素中共用使电荷检测部的电位复位的晶体管、进行对应于电荷检测部的电位的信号的输出的晶体管以及选择像素的晶体管，并且设置有节点AN(第一电荷保持部)、节点FD(第二电荷保持部)及节点FDX(电荷检测部)，并且在节点AN中取得的摄像数据被转送到节点FD，并且该摄像数据从节点FD依次被转送到节点FDX并被读出。
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公开(公告)号：CN102165533B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN200980139398.4
申请日：2009-09-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C29/04
CPC classification number: G11C29/44 , G11C16/3459 , G11C16/349 , G11C29/4401 , G11C29/808 , G11C2029/0409 , G11C2029/0411 , G11C2029/4402
Abstract: 实现带缺陷校正的方便和快速的存储器访问。在半导体存储器件的备用存储器中，设置存储校正缺陷次数的冗余存储器单元阵列。当从外部接收信号时，将该信号切换至冗余存储器单元阵列，并判断校正缺陷的数目。然后，基于判断结果，确定继续带缺陷存储单元的判断或结束判断以将数据写至主存储器单元。通过提供存储校正缺陷次数的冗余存储器单元阵列，能以这种方式快速地观察校正缺陷的状态。
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公开(公告)号：CN108140657A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680056776.2
申请日：2016-09-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H01L29/786 , H01L29/24 , H04N5/378
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14636 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H04N5/378 , H04N5/379
Abstract: 提供一种适用于高速工作的小型半导体装置。该半导体装置包括第一电路、写入用全局位线对、读出用全局位线对以及局部位线对。第一电路具有第二至第五电路。第二至第五电路通过局部位线对彼此电连接。第二电路被用作写入/读出选择开关。第三电路被用作暂时储存1位的互补数据的工作存储器。第四电路具有对局部位线对进行预充电的功能。第五电路具有n个(n为2以上的整数)的第六电路，该第六电路都具有储存从第三电路写入的1位的互补数据的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102165533A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980139398.4
申请日：2009-09-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C29/04
CPC classification number: G11C29/44 , G11C16/3459 , G11C16/349 , G11C29/4401 , G11C29/808 , G11C2029/0409 , G11C2029/0411 , G11C2029/4402
Abstract: 实现带缺陷校正的方便和快速的存储器访问。在半导体存储器件的备用存储器中，设置存储校正缺陷次数的冗余存储器单元阵列。当从外部接收信号时，将该信号切换至冗余存储器单元阵列，并判断校正缺陷的数目。然后，基于判断结果，确定继续带缺陷存储单元的判断或结束判断以将数据写至主存储器单元。通过提供存储校正缺陷次数的冗余存储器单元阵列，能以这种方式快速地观察校正缺陷的状态。
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公开(公告)号：CN112887638A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110044614.X
申请日：2016-09-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/359 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H04N5/225 , H01L27/146
Abstract: 提供一种光电转换装置。所述光电转换装置包括：光电转换元件；第一晶体管；电容器，所述电容器保持由所述光电转换元件产生并通过所述第一晶体管输入的电荷；以及第二晶体管，其中，在第(n+1)个曝光期间，通过所述第二晶体管从所述电容器传送所述光电转换元件在第n个曝光期间产生的所述电荷。
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公开(公告)号：CN102737707A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210099394.1
申请日：2012-03-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 王丸拓郎
IPC: G11C11/4063 , G11C11/4074 , G11C16/06 , G11C16/26
CPC classification number: G11C14/0018 , G11C11/24 , G11C11/404 , G11C16/0416 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/1052 , H01L27/10873 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L27/115 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其驱动方法。根据本发明，提供了一种不需要复杂的制造工序且可以抑制耗电量的存储装置。该存储装置包括易失性第一存储电路和具有其沟道形成在氧化物半导体层中的晶体管的非易失性第二存储电路，其中在进行高频率驱动时，在有电源电压供应的期间中，对第一存储电路写入数据信号并输出该数据信号，并且在停止供应电源电压之前且有电源电压供应的期间的一部分中，对第二存储电路写入数据信号；在进行低频率驱动时，在有电源电压供应的期间中，对第二存储电路写入数据信号，将写入到第二存储电路的数据信号写入到第一存储电路，并且输出写入到第一存储电路的数据信号。
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公开(公告)号：CN101097963B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710112263.1
申请日：2007-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/11293 , H01L21/76816 , H01L27/105 , H01L27/112 , H01L27/11226 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/41733
Abstract: 本发明的目的在于对能够利用无线通信进行信息交换的半导体装置容易附加个体标识符，还在于制造高可靠性半导体装置。本发明的技术要点如下：一种半导体装置，包括：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括具有沟道形成区域、源区或漏区的岛状半导体膜、栅绝缘膜、以及栅电极；层间绝缘膜；形成在层间绝缘膜中并包括到达源区及漏区之一方的多个接触孔的第一接触孔；以及到达源区及漏区之另一方的第二接触孔，其中第二接触孔的径大于包括在第一接触孔中的多个接触孔的每一个的径，并且第一接触孔的底面积的合计与第二接触孔的底面积相同。
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公开(公告)号：CN101097963A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710112263.1
申请日：2007-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/11293 , H01L21/76816 , H01L27/105 , H01L27/112 , H01L27/11226 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/41733
Abstract: 本发明的目的在于对能够利用无线通信进行信息交换的半导体装置容易附加个体标识符，还在于制造高可靠性半导体装置。本发明的技术要点如下：一种半导体装置，包括：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括具有沟道形成区域、源区或漏区的岛状半导体膜、栅绝缘膜、以及栅电极；层间绝缘膜；形成在层间绝缘膜中并包括到达源区及漏区之一方的多个接触孔的第一接触孔；以及到达源区及漏区之另一方的第二接触孔，其中第二接触孔的径大于包括在第一接触孔中的多个接触孔的每一个的径，并且第一接触孔的底面积的合计与第二接触孔的底面积相同。
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