公开(公告)号：CN103430299B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280014856.3

申请日：2012-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林英智 ,  前桥幸男

IPC: H01L21/822 ,  G06F15/78 ,  G11C14/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786 ,  H03K3/356

CPC classification number: G11C11/4074 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/407 ,  G11C2207/2227

Abstract: 提供一种包含具有新颖结构的非易失性存储电路的信号处理电路，该信号处理电路包括算术部、存储器以及用于控制算术部及存储器的控制部。控制部包含易失性存储电路及用以存储易失性存储电路中保持的数据的第一非易失性存储电路的组，存储器包含多个第二非易失性存储电路，并且第一非易失性存储电路及第二非易失性存储电路各包含其沟道形成在氧化物半导体层中的晶体管及电容器，该电容器的一对电极之一电连接到当晶体管关闭时处于浮动状态的节点。

公开(公告)号：CN108140657A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680056776.2

申请日：2016-09-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 王丸拓郎 ,  前桥幸男

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H04N5/378

CPC classification number: H01L27/14616 ,  H01L27/14636 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H04N5/378 ,  H04N5/379

Abstract: 提供一种适用于高速工作的小型半导体装置。该半导体装置包括第一电路、写入用全局位线对、读出用全局位线对以及局部位线对。第一电路具有第二至第五电路。第二至第五电路通过局部位线对彼此电连接。第二电路被用作写入/读出选择开关。第三电路被用作暂时储存1位的互补数据的工作存储器。第四电路具有对局部位线对进行预充电的功能。第五电路具有n个(n为2以上的整数)的第六电路，该第六电路都具有储存从第三电路写入的1位的互补数据的功能。

公开(公告)号：CN103430299A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280014856.3

申请日：2012-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林英智 ,  前桥幸男

IPC: H01L21/822 ,  G06F15/78 ,  G11C14/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786 ,  H03K3/356

CPC classification number: G11C11/4074 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/407 ,  G11C2207/2227

Abstract: 提供一种包含具有新颖结构的非易失性存储电路的信号处理电路，该信号处理电路包括算术部、存储器以及用于控制算术部及存储器的控制部。控制部包含易失性存储电路及用以存储易失性存储电路中保持的数据的第一非易失性存储电路的组，存储器包含多个第二非易失性存储电路，并且第一非易失性存储电路及第二非易失性存储电路各包含其沟道形成在氧化物半导体层中的晶体管及电容器，该电容器的一对电极之一电连接到当晶体管关闭时处于浮动状态的节点。