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公开(公告)号：CN109552722B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810919845.9
申请日：2018-08-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 本发明的实施方式涉及由长纤维强化碳化硅材料形成的容器中的开口部的闭塞技术。本发明的容器(1)具备容器主体(2)和盖(3)，上述容器主体(2)由将碳化硅的长纤维与碳化硅的基体复合化而得到的长纤维强化碳化硅材料形成、将内外隔开的壁部分(5)的壁厚B为特定尺寸，上述盖(3)由至少包含碳化硅的材料形成、将内外隔开的壁部分(6)的壁厚为特定尺寸的1倍以上且3倍以下、且将容器主体(2)的开口部闭塞。
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公开(公告)号：CN115732535A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210123253.2
申请日：2022-02-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 提供能够提高特性的晶圆、半导体装置及其制造方法。根据实施方式，晶圆包括基板以及结晶层。所述基板包括包含SiC的多个SiC区域和设置于所述多个SiC区域之间且包含Si的SiC间区域。所述结晶层包括包含SiC的第一层和在第一方向上设置于所述基板与所述第一层之间且包含SiC的第一中间层。所述第一层以第一层浓度包含氮。所述第一中间层中的氮的第一中间层浓度比所述第一浓度高。
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公开(公告)号：CN109552722A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810919845.9
申请日：2018-08-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 本发明的实施方式涉及由长纤维强化碳化硅材料形成的容器中的开口部的闭塞技术。本发明的容器(1)具备容器主体(2)和盖(3)，上述容器主体(2)由将碳化硅的长纤维与碳化硅的基体复合化而得到的长纤维强化碳化硅材料形成、将内外隔开的壁部分(5)的壁厚B为特定尺寸，上述盖(3)由至少包含碳化硅的材料形成、将内外隔开的壁部分(6)的壁厚为特定尺寸的1倍以上且3倍以下、且将容器主体(2)的开口部闭塞。
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公开(公告)号：CN113002915B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202110193502.0
申请日：2018-08-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 本发明的实施方式涉及由长纤维强化碳化硅材料形成的容器中的开口部的闭塞技术。本发明的容器(1)具备容器主体(2)和盖(3)，上述容器主体(2)由将碳化硅的长纤维与碳化硅的基体复合化而得到的长纤维强化碳化硅材料形成、将内外隔开的壁部分(5)的壁厚B为特定尺寸，上述盖(3)由至少包含碳化硅的材料形成、将内外隔开的壁部分(6)的壁厚为特定尺寸的1倍以上且3倍以下、且将容器主体(2)的开口部闭塞。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113002915A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110193502.0
申请日：2018-08-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 本发明的实施方式涉及由长纤维强化碳化硅材料形成的容器中的开口部的闭塞技术。本发明的容器(1)具备容器主体(2)和盖(3)，上述容器主体(2)由将碳化硅的长纤维与碳化硅的基体复合化而得到的长纤维强化碳化硅材料形成、将内外隔开的壁部分(5)的壁厚B为特定尺寸，上述盖(3)由至少包含碳化硅的材料形成、将内外隔开的壁部分(6)的壁厚为特定尺寸的1倍以上且3倍以下、且将容器主体(2)的开口部闭塞。
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公开(公告)号：CN100543175C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200610103049.5
申请日：2006-07-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/3414 , G11B7/252 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 一种溅射靶，包含Si和C作为其主要成分，并包括其中Si相以网状连续地存在于SiC晶粒间的间隙中的结构。Si相的平均直径被控制到1000nm或更小。在含氧气体中溅射所述溅射靶，从而淀积包含作为其主要成分的硅(Si)和氧(O)，以及除主要成分以外的第三元素的光学薄膜，所述第三元素的总量在10至2000ppm的范围内。
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公开(公告)号：CN108863418B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201810148840.0
申请日：2018-02-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , G21D1/00 , C04B35/64 , C04B35/52 , C04B35/628
Abstract: 本发明实施方式的长纤维增强碳化硅构件为筒形状，其具有第1复合材料层和第2复合材料层。第1复合材料层是在碳化硅的基体中使碳化硅的长纤维复合化而成的。第2复合材料层是在碳化硅的基体中使碳的长纤维复合化而成的。而且，将第1复合材料层与第2复合材料层进行层叠。
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公开(公告)号：CN108863418A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810148840.0
申请日：2018-02-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , G21D1/00 , C04B35/64 , C04B35/52 , C04B35/628
CPC classification number: C04B35/83 , B32B18/00 , C04B35/565 , C04B35/62873 , C04B35/806 , C04B37/005 , C04B41/00 , C04B2235/5244 , C04B2235/5248 , C04B2235/5264 , C04B2235/614 , C04B2235/94 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/086 , C04B2237/365 , C04B2237/38 , C04B2237/55 , C04B2237/70 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/765 , C04B2237/84 , C23C16/325
Abstract: 本发明实施方式的长纤维增强碳化硅构件为筒形状，其具有第1复合材料层和第2复合材料层。第1复合材料层是在碳化硅的基体中使碳化硅的长纤维复合化而成的。第2复合材料层是在碳化硅的基体中使碳的长纤维复合化而成的。而且，将第1复合材料层与第2复合材料层进行层叠。
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公开(公告)号：CN1891853A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610103049.5
申请日：2006-07-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/3414 , G11B7/252 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 一种溅射靶，包含Si和C作为其主要成分，并包括其中Si相以网状连续地存在于SiC晶粒间的间隙中的结构。Si相的平均直径被控制到1000nm或更小。在含氧气体中溅射所述溅射靶，从而淀积包含作为其主要成分的硅(Si)和氧(O)，以及除主要成分以外的第三元素的光学薄膜，所述第三元素的总量在10至2000ppm的范围内。
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