公开(公告)号：CN102194934A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010275570.3

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 櫛部光弘 ,  大埸康夫 ,  金子桂 ,  勝野弘 ,  山田真嗣

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件、晶片、用于制造半导体发光器件的方法和用于制造晶片的方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括第一层、第二层以及发光部。第一层包含n型GaN和n型AlGaN中的至少一种。第二层包含p型AlGaN。发光部具有单量子阱结构。单量子阱结构包括第一势垒层、第二势垒层以及阱层。第一势垒层被设置在第一层与第二层之间并包含Alx1Ga1-x1-y1Iny1N(0＜x1，0≤y1，x1+y1＜1)。第二势垒层被设置在第一势垒层与第二层之间并包含Alx2Ga1-x2-y2Iny2N(0＜x2，0≤y2，x2+y2＜1)。阱层被设置在第一势垒层与第二势垒层之间，包含Alx0Ga1-x0-y0Iny0N(0≤x0，0＜y0，x0+y0＜1，y1＜y0，y2＜y0)并被配置为发射近紫外光。

公开(公告)号：CN1449061A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03108388.9

申请日：2003-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 櫛部光弘 ,  大場康夫 ,  橋本玲 ,  高岡圭児

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/06

Abstract: 利用GaAs衬底，提供一种低成本和高性能的长波长光学半导体元件。该光学半导体元件包括：有相对的第一表面和第二表面的GaAs衬底；衬底第一表面上形成的InjGa1－jAs1－kNk缓冲层(0≤j≤1，0.002≤k≤0.05)；缓冲层上形成的第一导电型包层；形成在第一导电型包层上并包含InzGa1－zAs(0≤z≤1)阱层的激活层，阱层的带隙小于第一导电型包层的带隙，激活层的厚度大于该衬底基于平衡理论的临界厚度；和激活层上形成的第二导电型包层，其带隙大于阱层的带隙。

公开(公告)号：CN115732535A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210123253.2

申请日：2022-02-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 櫛部光弘 ,  西尾让司 ,  饭岛良介 ,  清水达雄 ,  太田千春 ,  须山章子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: 提供能够提高特性的晶圆、半导体装置及其制造方法。根据实施方式，晶圆包括基板以及结晶层。所述基板包括包含SiC的多个SiC区域和设置于所述多个SiC区域之间且包含Si的SiC间区域。所述结晶层包括包含SiC的第一层和在第一方向上设置于所述基板与所述第一层之间且包含SiC的第一中间层。所述第一层以第一层浓度包含氮。所述第一中间层中的氮的第一中间层浓度比所述第一浓度高。

公开(公告)号：CN102194934B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201010275570.3

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 櫛部光弘 ,  大埸康夫 ,  金子桂 ,  勝野弘 ,  山田真嗣

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件、晶片、用于制造半导体发光器件的方法和用于制造晶片的方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括第一层、第二层以及发光部。第一层包含n型GaN和n型AlGaN中的至少一种。第二层包含p型AlGaN。发光部具有单量子阱结构。单量子阱结构包括第一势垒层、第二势垒层以及阱层。第一势垒层被设置在第一层与第二层之间并包含Alx1Ga1-x1-y1Iny1N(0＜x1，0≤y1，x1+y1＜1)。第二势垒层被设置在第一势垒层与第二层之间并包含Alx2Ga1-x2-y2Iny2N(0＜x2，0≤y2，x2+y2＜1)。阱层被设置在第一势垒层与第二势垒层之间，包含Alx0Ga1-x0-y0Iny0N(0≤x0，0＜y0，x0+y0＜1，y1＜y0，y2＜y0)并被配置为发射近紫外光。

公开(公告)号：CN1319182C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN03108388.9

申请日：2003-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 櫛部光弘 ,  大場康夫 ,  橋本玲 ,  高岡圭児

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/06

Abstract: 利用GaAs衬底，提供一种低成本和高性能的长波长光学半导体元件。该光学半导体元件包括：有相对的第一表面和第二表面的GaAs衬底；衬底第一表面上形成的InjGa1-jAs1-kNk缓冲层(0≤j≤1，0.002≤k≤0.05)；缓冲层上形成的第一导电型包层；形成在第一导电型包层上并包含InzGa1-zAs(0≤z≤1)阱层的激活层，阱层的带隙小于第一导电型包层的带隙，激活层的厚度大于该衬底基于平衡理论的临界厚度；和激活层上形成的第二导电型包层，其带隙大于阱层的带隙。