公开(公告)号：CN1319182C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN03108388.9

申请日：2003-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 櫛部光弘 ,  大場康夫 ,  橋本玲 ,  高岡圭児

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/06

Abstract: 利用GaAs衬底，提供一种低成本和高性能的长波长光学半导体元件。该光学半导体元件包括：有相对的第一表面和第二表面的GaAs衬底；衬底第一表面上形成的InjGa1-jAs1-kNk缓冲层(0≤j≤1，0.002≤k≤0.05)；缓冲层上形成的第一导电型包层；形成在第一导电型包层上并包含InzGa1-zAs(0≤z≤1)阱层的激活层，阱层的带隙小于第一导电型包层的带隙，激活层的厚度大于该衬底基于平衡理论的临界厚度；和激活层上形成的第二导电型包层，其带隙大于阱层的带隙。

公开(公告)号：CN1449061A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03108388.9

申请日：2003-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 櫛部光弘 ,  大場康夫 ,  橋本玲 ,  高岡圭児

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/06

Abstract: 利用GaAs衬底，提供一种低成本和高性能的长波长光学半导体元件。该光学半导体元件包括：有相对的第一表面和第二表面的GaAs衬底；衬底第一表面上形成的InjGa1－jAs1－kNk缓冲层(0≤j≤1，0.002≤k≤0.05)；缓冲层上形成的第一导电型包层；形成在第一导电型包层上并包含InzGa1－zAs(0≤z≤1)阱层的激活层，阱层的带隙小于第一导电型包层的带隙，激活层的厚度大于该衬底基于平衡理论的临界厚度；和激活层上形成的第二导电型包层，其带隙大于阱层的带隙。