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公开(公告)号：CN103178036B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210313842.3
申请日：2012-08-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L25/16
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/06562 , H01L2924/10253 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件（50）具备：形成有外部连接端子（12）的基板；载置在基板（2）的第一面（2a）上的控制器（4）；配置在控制器（4）的一侧的树脂制的第一间隔件（6a）；隔着控制器（4）而载置在第一间隔件的相反侧的树脂制的第二间隔件（6b）；跨第一间隔件和第二间隔件而载置在第一间隔件和第二间隔件之上的存储芯片（8）；对由存储芯片、第一间隔件、第二间隔件和基板包围的空间（18）以及存储芯片的周围进行密封的树脂模制部（10）。由此，能实现连接控制器和外部连接端子的布线和/或连接控制器和存储芯片的布线的等长化和/或缩短化，并且能抑制产品翘曲。
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公开(公告)号：CN103178036A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210313842.3
申请日：2012-08-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L25/16
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/06562 , H01L2924/10253 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件（50）具备：形成有外部连接端子（12）的基板；载置在基板（2）的第一面（2a）上的控制器（4）；配置在控制器（4）的一侧的树脂制的第一间隔件（6a）；隔着控制器（4）而载置在第一间隔件的相反侧的树脂制的第二间隔件（6b）；跨第一间隔件和第二间隔件而载置在第一间隔件和第二间隔件之上的存储芯片（8）；对由存储芯片、第一间隔件、第二间隔件和基板包围的空间（18）以及存储芯片的周围进行密封的树脂模制部（10）。由此，能实现连接控制器和外部连接端子的布线和/或连接控制器和存储芯片的布线的等长化和/或缩短化，并且能抑制产品翘曲。
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公开(公告)号：CN103681640B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310058066.1
申请日：2013-02-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/065 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC classification number: H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/2741 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32013 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2224/83986 , H01L2224/92165 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/27 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及叠层型半导体装置。提供可以消除当在半导体芯片的粘接剂层内埋入比其小型的半导体芯片时产生的缺点的叠层型半导体装置。实施方式的叠层型半导体装置（1）具备配置于电路基板（2）上的第1半导体芯片（6）、使第1半导体芯片（6）粘合于电路基板（2）的粘接层（7）和具有比第1半导体芯片（6）小的外形的第2半导体芯片（10）。第2半导体芯片（10）至少一部分埋入于粘接层（7）内。粘接层（7）具有95μm以上且150μm以下的范围的厚度，并且包括当埋入第2半导体芯片（10）时的热时粘度为500Pa·s以上且5000Pa·s以下的范围的热固化性树脂。
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公开(公告)号：CN103681640A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310058066.1
申请日：2013-02-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/065 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC classification number: H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/2741 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32013 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2224/83986 , H01L2224/92165 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/27 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及叠层型半导体装置。提供可以消除当在半导体芯片的粘接剂层内埋入比其小型的半导体芯片时产生的缺点的叠层型半导体装置。实施方式的叠层型半导体装置（1）具备配置于电路基板（2）上的第1半导体芯片（6）、使第1半导体芯片（6）粘合于电路基板（2）的粘接层（7）和具有比第1半导体芯片（6）小的外形的第2半导体芯片（10）。第2半导体芯片（10）至少一部分埋入于粘接层（7）内。粘接层（7）具有95μm以上且150μm以下的范围的厚度，并且包括当埋入第2半导体芯片（10）时的热时粘度为500Pa·s以上且5000Pa·s以下的范围的热固化性树脂。
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