公开(公告)号：CN103681640B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310058066.1

申请日：2013-02-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 谷本亮 ,  井本孝志 ,  安藤善康 ,  野田真史 ,  岩政直树 ,  宫下浩一 ,  川户雅敏 ,  岩本正次 ,  田中润 ,  堂前佑辅

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/92165 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及叠层型半导体装置。提供可以消除当在半导体芯片的粘接剂层内埋入比其小型的半导体芯片时产生的缺点的叠层型半导体装置。实施方式的叠层型半导体装置（1）具备配置于电路基板（2）上的第1半导体芯片（6）、使第1半导体芯片（6）粘合于电路基板（2）的粘接层（7）和具有比第1半导体芯片（6）小的外形的第2半导体芯片（10）。第2半导体芯片（10）至少一部分埋入于粘接层（7）内。粘接层（7）具有95μm以上且150μm以下的范围的厚度，并且包括当埋入第2半导体芯片（10）时的热时粘度为500Pa·s以上且5000Pa·s以下的范围的热固化性树脂。

公开(公告)号：CN103681640A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310058066.1

申请日：2013-02-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 谷本亮 ,  井本孝志 ,  安藤善康 ,  野田真史 ,  岩政直树 ,  宫下浩一 ,  川户雅敏 ,  岩本正次 ,  田中润 ,  堂前佑辅

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/92165 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及叠层型半导体装置。提供可以消除当在半导体芯片的粘接剂层内埋入比其小型的半导体芯片时产生的缺点的叠层型半导体装置。实施方式的叠层型半导体装置（1）具备配置于电路基板（2）上的第1半导体芯片（6）、使第1半导体芯片（6）粘合于电路基板（2）的粘接层（7）和具有比第1半导体芯片（6）小的外形的第2半导体芯片（10）。第2半导体芯片（10）至少一部分埋入于粘接层（7）内。粘接层（7）具有95μm以上且150μm以下的范围的厚度，并且包括当埋入第2半导体芯片（10）时的热时粘度为500Pa·s以上且5000Pa·s以下的范围的热固化性树脂。