公开(公告)号：CN104051418A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310328880.0

申请日：2013-07-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石井齐

IPC: H01L23/528

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供在持续小型化、高密度化的半导体装置中能将内引线间连接的半导体装置。本发明的实施方式涉及的半导体装置具备：多条引线，其具有内引线和外引线；半导体芯片，其设置于多条引线之上；间隔件，其介于半导体芯片与多条引线之间，在半导体芯片的背面与多条引线之间形成间隙；和导线，其设置于间隙中，在半导体芯片的背面下方将内引线间电连接。

公开(公告)号：CN106531709A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610239696.2

申请日：2016-04-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石井齐

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/48 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/50 ,  H01L24/42 ,  H01L24/43 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/491 ,  H01L2224/4912

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够抑制多个信号用引线间的信号的干扰的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法具备：对引线架实施去除配线部的加工而将第二电源用引线的一部分、第一信号用引线的一部分及第二信号用引线的一部分分离的步骤；将半导体芯片搭载在引线架上的步骤；形成横跨第二信号用引线而将第一电源用引线与第二电源用引线之间电连接的接合线的步骤；形成密封树脂层的步骤；以及将支撑部与第一电源用引线的一部分以及第一及第二信号用引线的另一部分之间的连接部的各者切断的步骤。

公开(公告)号：CN102201414A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110052405.6

申请日：2011-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石井齐 ,  奥村尚久

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/495 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49531 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 根据本实施方式，提供一种半导体存储装置，其具备：设置有外部连接端子的有机基板；和半导体存储芯片。半导体存储装置还具备引线框架，该引线框架具有粘接部及载置部。另外，还具备树脂模铸部，其封装半导体存储芯片。在引线框架，以从载置部以及粘接部的至少一方朝向树脂模铸部的至少大于等于2条的边延伸的方式形成有多个延伸部。

公开(公告)号：CN102315225B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201110178148.0

申请日：2011-06-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石井齐 ,  奥村尚久 ,  西山拓

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/495 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/50 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体存储装置及其制造方法。根据实施方式，半导体存储装置(10)具备有机基板(11)、半导体存储器芯片(15)、引线框架(13)和树脂模制部(18)。引线框架(13)具有粘接部(22)。有机基板单片化为，俯视有机基板与载置部不重叠的部分这一方比重叠的部分大的形状。引线框架在粘接部中，进一步具有第1延伸部(13b)，该第1延伸部延伸至树脂模制部的与插入方向侧的面不同的面。

公开(公告)号：CN104752413A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410453249.8

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石井齐

IPC: H01L25/065

CPC classification number: H01L2224/32145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种小型化、高密度化推进的半导体装置，其可以将内引线间连接。本发明的实施方式的半导体装置包含：多根引线，包括内引线及外引线；半导体芯片，设置在多根引线上；间隔片，介于半导体芯片与多根引线之间，在半导体芯片的背面与多根引线之间形成间隙；导线，设置在间隙，且在半导体芯片的背面下将内引线间电性连接；以及第1绝缘层，设置在所述半导体芯片与所述导线之间。

公开(公告)号：CN106531712A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610236159.2

申请日：2016-04-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石井齐

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/85

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能抑制引线发生多余变形的半导体装置的制造方法、半导体装置、及引线框架。实施方式的半导体装置的制造方法包括如下步骤：一面挤压第1内引线，一面使推压构件压抵于第2内引线的布线部的上表面而使布线部的至少一部分变形，且将第1内引线的延伸方向上的端部与布线部之间的连结部切断并且使布线部与端部相离；搭载半导体芯片；形成第1及第2接合线；形成密封树脂层；将支撑部与第1及第2外引线之间的连结部切断。

公开(公告)号：CN102201414B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201110052405.6

申请日：2011-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石井齐 ,  奥村尚久

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/495 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49531 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 根据本实施方式，提供一种半导体存储装置，其具备：设置有外部连接端子的有机基板；和半导体存储芯片。半导体存储装置还具备引线框架，该引线框架具有粘接部及载置部。另外，还具备树脂模铸部，其封装半导体存储芯片。在引线框架，以从载置部以及粘接部的至少一方朝向树脂模铸部的至少大于等于2条的边延伸的方式形成有多个延伸部。

公开(公告)号：CN102315225A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110178148.0

申请日：2011-06-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石井齐 ,  奥村尚久 ,  西山拓

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/495 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/50 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体存储装置及其制造方法。根据实施方式，半导体存储装置(10)具备有机基板(11)、半导体存储器芯片(15)、引线框架(13)和树脂模制部(18)。引线框架(13)具有粘接部(22)。有机基板单片化为，俯视有机基板与载置部不重叠的部分这一方比重叠的部分大的形状。引线框架在粘接部中，进一步具有第1延伸部(13b)，该第1延伸部延伸至树脂模制部的与插入方向侧的面不同的面。

公开(公告)号：CN202205748U

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201120056589.9

申请日：2011-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石井齐 ,  奥村尚久

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49531 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 根据本实施方式，提供一种半导体存储装置，其具备：设置有外部连接端子的有机基板；和半导体存储芯片。半导体存储装置还具备引线框架，该引线框架具有粘接部及载置部。另外，还具备树脂模铸部，其封装半导体存储芯片。在引线框架，以从载置部以及粘接部的至少一方朝向树脂模铸部的至少大于等于2条的边延伸的方式形成有多个延伸部。