公开(公告)号：CN103325733A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310063932.6

申请日：2013-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水纪子 ,  田久真也

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/67092 ,  B29C65/02 ,  B29C65/48 ,  B29C66/004 ,  B32B7/06 ,  B32B37/26 ,  B32B38/0004 ,  B32B38/10 ,  B32B38/185 ,  B32B43/006 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T156/1111 ,  Y10T156/1189 ,  Y10T156/1994

Abstract: 提供一种能够不损伤各基板并在短时间内将经由粘接剂贴合的2张基板分离的方法以及装置。实施方式的基板分离方法，是将在表面的除了周缘部的区域形成有剥离层（16）的第1基板（10）与经由粘接剂层（12）贴合于第1基板（10）的表面的至少包含剥离层（16）的区域的第2基板（14）分离的方法。该方法包括：除去工序，该工序以至少第2基板（14）周缘部正下的粘接剂层（12）表面露出并且在第1基板（10）的周缘部与第2基板（14）之间残存有粘接剂层（12）而保持第1以及第2基板（10、14）之间的粘接的方式，将该第2基板（14）周缘部物理性除去；和溶解工序，该工序在所述除去工序后，将粘接剂层（12）溶解。

公开(公告)号：CN1667798A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510053418.X

申请日：2005-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水纪子 ,  田久真也 ,  黑泽哲也

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78 ,  B28D5/00

CPC classification number: B28D5/0011 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  Y10T83/041 ,  Y10T225/30

Abstract: 在沿着晶片的劈开面的晶片分割线或切片线上边，形成由沟和贯通孔中的至少一方构成的劈开起点；向上述劈开的起点内注入液状物质；和加上物理性地变化的外部因素使上述液状物质变化，利用该变化劈开上述晶片以分割成一个一个的半导体芯片。

公开(公告)号：CN103325733B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201310063932.6

申请日：2013-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水纪子 ,  田久真也

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/67092 ,  B29C65/02 ,  B29C65/48 ,  B29C66/004 ,  B32B7/06 ,  B32B37/26 ,  B32B38/0004 ,  B32B38/10 ,  B32B38/185 ,  B32B43/006 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T156/1111 ,  Y10T156/1189 ,  Y10T156/1994

Abstract: 提供一种能够不损伤各基板并在短时间内将经由粘接剂贴合的2张基板分离的方法以及装置。实施方式的基板分离方法，是将在表面的除了周缘部的区域形成有剥离层（16）的第1基板（10）与经由粘接剂层（12）贴合于第1基板（10）的表面的至少包含剥离层（16）的区域的第2基板（14）分离的方法。该方法包括：除去工序，该工序以至少第2基板（14）周缘部正下的粘接剂层（12）表面露出并且在第1基板（10）的周缘部与第2基板（14）之间残存有粘接剂层（12）而保持第1以及第2基板（10、14）之间的粘接的方式，将该第2基板（14）周缘部物理性除去；和溶解工序，该工序在所述除去工序后，将粘接剂层（12）溶解。

公开(公告)号：CN102848303B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201210069407.0

申请日：2012-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田久真也 ,  清水纪子 ,  藤田努

IPC: B24B37/10 ,  B24B9/06 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/304 ,  B24B7/228 ,  H01L21/3043

Abstract: 本发明提供半导体晶片的加工方法、加工装置以及半导体晶片。通过实施例公开半导体晶片加工方法。该方法包括以下工序：用第一砂轮或刀片对在表面形成有半导体元件的半导体晶片背面的外缘部进行研磨以形成环状的槽的工序；用第二砂轮对所述槽内侧的凸部进行研磨以在所述半导体晶片的背面与所述槽一体地形成凹部的工序；和用第三砂轮进一步对包含由所述第二砂轮研磨出的研磨面的所述凹部的底面进行研磨的工序。

公开(公告)号：CN102848303A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210069407.0

申请日：2012-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田久真也 ,  清水纪子 ,  藤田努

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/304 ,  B24B7/228 ,  H01L21/3043

Abstract: 本发明提供半导体晶片的加工方法、加工装置以及半导体晶片。通过实施例公开半导体晶片加工方法。该方法包括以下工序：用第一砂轮或刀片对在表面形成有半导体元件的半导体晶片背面的外缘部进行研磨以形成环状的槽的工序；用第二砂轮对所述槽内侧的凸部进行研磨以在所述半导体晶片的背面与所述槽一体地形成凹部的工序；和用第三砂轮进一步对包含由所述第二砂轮研磨出的研磨面的所述凹部的底面进行研磨的工序。

公开(公告)号：CN1667798B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200510053418.X

申请日：2005-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水纪子 ,  田久真也 ,  黑泽哲也

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78 ,  B28D5/00

CPC classification number: B28D5/0011 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  Y10T83/041 ,  Y10T225/30

Abstract: 在沿着晶片的劈开面的晶片分割线或切片线上边，形成由沟和贯通孔中的至少一方构成的劈开起点；向上述劈开的起点内注入液状物质；和加上物理性地变化的外部因素使上述液状物质变化，利用该变化劈开上述晶片以分割成一个一个的半导体芯片。