公开(公告)号：CN1624208A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410096554.2

申请日：2004-11-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丰田启 ,  松井嘉孝 ,  八寻和之 ,  山边纯成 ,  三岛志朗 ,  永松贵人

IPC: C25D7/12 ,  C25D5/18 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/002 ,  C25D17/10 ,  C25D21/00 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877

Abstract: 根据本发明的一个实施例，提供一种电镀装置，包括：贮存电镀溶液的电镀溶液槽；在电镀溶液槽中固定其上形成籽晶层的衬底的固定器；放在电镀溶液槽中的第一阳极，该第一阳极由氧化－还原电位比构成籽晶层的金属的氧化－还原电位更高的阳极金属构成，并且电连接到由固定器固定的衬底的籽晶层上；以及放在所述电镀溶液槽中的第二阳极，该第二阳极能够在由固定器固定的衬底的籽晶层之间施加电压。

公开(公告)号：CN1819140A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610003051.5

申请日：2006-01-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本多亮 ,  艾原香里 ,  村上和博 ,  沼野正训 ,  永松贵人 ,  原川秀明 ,  松山日出人 ,  江泽弘和 ,  金子尚史

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76814

Abstract: 通过对形成于导电层上的绝缘膜进行干蚀刻，在上述绝缘膜上形成使上述导电层露出的连接孔。通过对露出的上述导电层上提供等离子体，对形成于上述连接孔内的损伤层进行干洗涤。通过湿处理除去由于干洗涤而在上述连接孔内生成的生成物。通过使用包含NF3、HF的任一种气体的干处理，对由于上述湿处理而在上述连接孔内形成的氧化膜进行蚀刻。通过热处理除去由蚀刻而生成的生成物。

公开(公告)号：CN100414684C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200610003051.5

申请日：2006-01-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本多亮 ,  艾原香里 ,  村上和博 ,  沼野正训 ,  永松贵人 ,  原川秀明 ,  松山日出人 ,  江泽弘和 ,  金子尚史

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76814

Abstract: 通过对形成于导电层上的绝缘膜进行干蚀刻，在上述绝缘膜上形成使上述导电层露出的连接孔。通过对露出的上述导电层上提供等离子体，对形成于上述连接孔内的损伤层进行干洗涤。通过湿处理除去由于干洗涤而在上述连接孔内生成的生成物。通过使用包含NF3、HF的任一种气体的干处理，对由于上述湿处理而在上述连接孔内形成的氧化膜进行蚀刻。通过热处理除去由蚀刻而生成的生成物。

公开(公告)号：CN100342062C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200410096554.2

申请日：2004-11-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丰田启 ,  松井嘉孝 ,  八寻和之 ,  山边纯成 ,  三岛志朗 ,  永松贵人

IPC: C25D7/12 ,  C25D5/18 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/002 ,  C25D17/10 ,  C25D21/00 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877

Abstract: 根据本发明的一个实施例，提供一种电镀装置，包括：贮存电镀溶液的电镀溶液槽；在电镀溶液槽中固定其上形成籽晶层的衬底的固定器；放在电镀溶液槽中的第一阳极，该第一阳极由氧化-还原电位比构成籽晶层的金属的氧化-还原电位更高的阳极金属构成，并且电连接到由固定器固定的衬底的籽晶层上；以及放在所述电镀溶液槽中的第二阳极，该第二阳极能够在由固定器固定的衬底的籽晶层之间施加电压。