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公开(公告)号：CN101345189A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810210380.6
申请日：2008-07-11
CPC classification number: H01L21/67086 , H01L21/6708
Abstract: 本发明涉及基板的清洗方法和清洗装置。本发明提供一种不损伤基板上的微细图形、效率高的基板的清洗方法。该方法是一种通过批量式浸渍处理方式进行的基板(6)的清洗方法，具备：将单片或多片基板(6)作为一批，将一批基板(6)浸渍在湿刻蚀液中的工序；超声波清洗工序；和干燥工序，其中超声波清洗工序中，使用在大气压下溶解气体的饱和度为60％～100％的清洗水，超声波的频率为500kHz以上，超声波的输出功率为0.02W/cm2～0.5W/cm2。
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公开(公告)号：CN1938829A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010034.8
申请日：2005-03-18
Applicant: 栗田工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C02F1/02 , C02F1/32 , C02F1/34 , C02F1/36 , C02F1/70 , H01L21/027
CPC classification number: C02F1/78 , B08B3/08 , B08B2203/005 , C01B13/10 , C02F1/02 , C02F1/32 , C02F1/34 , C02F1/36 , C02F1/70 , C02F1/722 , C02F2201/782 , C02F2209/23 , C03C23/0075
Abstract: 一种臭氧水供给方法，其特征在于将具有臭氧分解抑制物质的臭氧水转送到使用点(7)，在使用点附近，通过浓度调整机构，将该水的浓度降低到规定的臭氧浓度。一种臭氧水供给装置，其特征在于该臭氧水供给装置包括臭氧溶解装置(4)，其将臭氧气体溶解于纯水中，调制臭氧水；将臭氧分解抑制物质供给到上述纯水或上述臭氧水中的机构；臭氧水转送配管(6)，该臭氧水转送配管将通过上述臭氧溶解装置调制的臭氧水转送到使用点；浓度调整机构(8)，该浓度调整机构设置于使用点附近，将通过臭氧水转送配管转送的臭氧水降低到规定的臭氧浓度。通过本装置，可在半导体、液晶等的电子材料的湿式清洗工序、表面处理工序等中，稳定地将规定的臭氧浓度的臭氧水供向使用点。
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公开(公告)号：CN1929930A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580008074.9
申请日：2005-03-14
Applicant: 栗田工业株式会社
IPC: B08B3/08 , B01F1/00 , C02F1/68 , H01L21/304
CPC classification number: B01F1/00 , B08B3/08 , B08B3/10 , C02F1/68 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种循环式气体溶解水供给装置和该装置的运转方法。该装置包括制造特定的气体溶解水的溶解装置(A)；贮存气体溶解水的水槽(B)；将溶解装置(A)和水槽(B)连接的连接配管(C)；送出水槽(B)的贮存水的泵(D)；将水从水槽(B)经过泵(D)和清洗机的分支点，返回到水槽(B)的循环配管(E)；将气体供给水槽(B)的顶部空间的气体配管(F)，上述配管(C)和配管(E)的底端淹没于水槽(B)内的水面之下。通过本发明，可将清洗机未使用的气体溶解水返回到水槽，将溶解于气体溶解水中的特定的气体的浓度维持在一定值以上，将贮存气体溶解水的水槽的顶部空间的特定的气体的浓度保持在较低程度。
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公开(公告)号：CN1161825C
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN00100891.9
申请日：2000-02-14
Applicant: 栗田工业株式会社
IPC: H01L21/302 , B08B3/04 , C23F4/00
CPC classification number: H01L21/02052
Abstract: 为了提供一种能够去除电子元件表面上的金属、有机物和细小颗粒污物，尤其是硅基底上的污物，并且在清洗过程中抑制基底表面粗糙度以原子量级增大。一种清洗电子元件的方法，其是用氧化清洗液清洗，之后用还原清洗液清洗并施加超声振动。
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公开(公告)号：CN104871296B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201380065148.7
申请日：2013-10-09
Applicant: 栗田工业株式会社
IPC: H01L21/306 , B08B3/08 , H01L21/304
Abstract: 为了在对基板上具有氮化硅和氧化硅的基板进行清洗时用清洗液选择性地蚀刻氮化硅，将用于清洗在同一基板上具有氮化硅和氧化硅并且前述氮化硅以及前述氧化硅的一方或双方的至少一部分露出的基板的清洗液在较好地165℃以上且不到沸点的条件下与基板接触而选择性地蚀刻氮化硅，该清洗液包含磷酸、含有由电解而生成的优选浓度为1.0g/L～8.0g/L的过硫酸的电解硫酸以及水，由此在抑制氧化硅的蚀刻的同时有效地蚀刻氮化硅，良好地清洗图案线宽在37nm以下的高集成度的半导体基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103687820B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201280033875.0
申请日：2012-07-05
Applicant: 栗田工业株式会社
IPC: C02F1/78
CPC classification number: C02F1/78
Abstract: 本发明提供一种能够不产生使臭氧浓度降低的情况地将臭氧水供给至使用位置的臭氧水供给装置以及臭氧水供给方法。臭氧水供给装置（10），其具备：生成臭氧水的臭氧水生成装置（1）、形成有使来自臭氧水生成装置（1）的臭氧水分流的分支点（12、13、14）的主管（11）、联络分支点和使用位置的分支管（15、16、17）、以及防止在主管和分支管中流动的臭氧水的流速的降低的流速维持装置。主管（11）的流路剖面积，与分支点（12、13、14）的上游侧相比，在下游侧减少。主管（11）的流路剖面积的减少量，对应于在分支点被分流至分支管的臭氧水的流量。
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公开(公告)号：CN1309417A
公开(公告)日：2001-08-22
申请号：CN00100891.9
申请日：2000-02-14
Applicant: 栗田工业株式会社
IPC: H01L21/302 , B08B3/04 , C23F4/00
CPC classification number: H01L21/02052
Abstract: 为了提供一种能够去除电子元件表面上的金属、有机物和细小颗粒污物,尤其是硅基底上的污物,并且在清洗过程中抑制基底表面粗糙度以原子量级增大。一种清洗电子元件的方法,其是用氧化清洗液清洗,之后用还原清洗液清洗并施加超声振动。
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公开(公告)号：CN119054051A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202280091166.1
申请日：2022-03-30
Applicant: 雅马哈智能机器控股株式会社 , 栗田工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B23K20/24 , H01L21/02 , H01L21/52
Abstract: 一种电子零件清洗方法，对晶片的表面进行清洗，所述电子零件清洗方法包括：湿式清洗工序(S102～S104)，利用氢水与纯水对晶片的表面进行湿式清洗；干式清洗工序(S109)，在湿式清洗后，利用大气压等离子体对电子零件的表面进行干式清洗；以及氢水处理工序(S113)，在干式清洗工序之后，使用将氢气溶解于水中而成的氢水对晶片的表面进行清洗。
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公开(公告)号：CN1642627A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806191.0
申请日：2003-03-18
Applicant: 栗田工业株式会社
CPC classification number: B01F15/0412 , B01F3/0446 , B01F3/04985 , B01F15/00123 , B01F15/00136 , B01F15/00344 , B01F15/0479 , B01F2201/01 , B01F2215/0036 , B01F2215/0096 , C02F2103/346
Abstract: 一种用于连续溶解的装置包括用于将气体溶解到主液流中的溶解部分，该部分包括：流量计，该流量计测量主液流的流量，并输出通过测量获得的数值的信号；以及用于控制流量的机构，该机构根据从流量计输入的信号来控制气体的供给量。一种用于将气体连续溶解到主液流中的方法，其中，气体量根据主液流流量来进行控制。因为即使在主液流的流量变化时也可以稳定地获得具有恒定浓度的溶液，因此可以无损失地供给用于电子材料的清洗水或表面处理水，该电子材料特别需要精确的清洗表面。
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公开(公告)号：CN104871296A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380065148.7
申请日：2013-10-09
Applicant: 栗田工业株式会社
IPC: H01L21/306 , B08B3/08 , H01L21/304
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/08 , H01L21/31111
Abstract: 为了在对基板上具有氮化硅和氧化硅的基板进行清洗时用清洗液选择性地蚀刻氮化硅，将用于清洗在同一基板上具有氮化硅和氧化硅并且前述氮化硅以及前述氧化硅的一方或双方的至少一部分露出的基板的清洗液在较好地165℃以上且不到沸点的条件下与基板接触而选择性地蚀刻氮化硅，该清洗液包含磷酸、含有由电解而生成的优选浓度为1.0g/L～8.0g/L的过硫酸的电解硫酸以及水，由此在抑制氧化硅的蚀刻的同时有效地蚀刻氮化硅，良好地清洗图案线宽在37nm以下的高集成度的半导体基板。
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