公开(公告)号：CN101345189A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810210380.6

申请日：2008-07-11

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  栗田工业株式会社

Inventor： 广田祐作 ,  菅野至 ,  森田博志 ,  井田纯一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/67086 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明涉及基板的清洗方法和清洗装置。本发明提供一种不损伤基板上的微细图形、效率高的基板的清洗方法。该方法是一种通过批量式浸渍处理方式进行的基板(6)的清洗方法，具备：将单片或多片基板(6)作为一批，将一批基板(6)浸渍在湿刻蚀液中的工序；超声波清洗工序；和干燥工序，其中超声波清洗工序中，使用在大气压下溶解气体的饱和度为60％～100％的清洗水，超声波的频率为500kHz以上，超声波的输出功率为0.02W/cm2～0.5W/cm2。

公开(公告)号：CN101533829A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910007501.1

申请日：2009-02-11

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 加藤隆彦 ,  中野广 ,  赤星晴夫 ,  高田裕二 ,  须藤敬己 ,  藤原彻男 ,  菅野至 ,  庄野友陵 ,  广濑幸范

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体制造检查装置和检查装置，该半导体装置具有Cu布线，该Cu布线具有不受布线宽度的变化影响的、能够把表面缺陷降低到比能实用的级别还低的基本晶体结构。在该半导体装置中，通过确定阻挡膜和籽膜，且使晶界∑值27以下的对应(CSL)晶界占该Cu布线的全部晶界的比例(频度)为60％以上，能够把表面缺陷降低到能实用的现状级别的1/10以下。或者，在该半导体装置中，通过确定该阻挡膜和籽膜，且使晶界∑值3的对应(CSL)晶界占该Cu布线的全部晶界的比例(频度)为40％以上，能够得到同样的降低表面缺陷的效果。

公开(公告)号：CN1495534A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03146494.7

申请日：2003-07-11

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社 ,  EKC科技株式会社

Inventor： 菅野至 ,  浅冈保宏 ,  东雅彦 ,  日高义晴 ,  岸尾悦郎 ,  青山哲男 ,  铃木智子 ,  平贺敏隆 ,  永井俊彦

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/263 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明的用于除去抗蚀剂的洗净液，含有氢氟酸和不含金属的碱的盐(A成分)、水溶性有机溶剂(B1成分)、由有机酸及无机酸构成群中选择出的1种以上的酸(C成分)及水(D成分)，而且氢离子浓度pH是4～8。在上述成分中还可以添加铵盐。由此，在铜布线工艺等的半导体器件的制造方法中，除去腐蚀后或者灰化后的抗蚀剂残余物(6)及其他的腐蚀残余物(8)时，提高了抗蚀剂残余物等的除去性、铜及绝缘膜的耐腐蚀性。

公开(公告)号：CN100370361C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN03146494.7

申请日：2003-07-11

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社 ,  EKC科技株式会社

Inventor： 菅野至 ,  浅冈保宏 ,  东雅彦 ,  日高义晴 ,  岸尾悦郎 ,  青山哲男 ,  铃木智子 ,  平贺敏隆 ,  永井俊彦

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/263 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明的用于除去抗蚀剂的洗净液，含有氢氟酸和不含金属的碱的盐(A成分)、水溶性有机溶剂(B1成分)、由有机酸及无机酸构成群中选择出的1种以上的酸(C成分)及水(D成分)，而且氢离子浓度pH是4～8。在上述成分中还可以添加铵盐。由此，在铜布线工艺等的半导体器件的制造方法中，除去腐蚀后或者灰化后的抗蚀剂残余物(6)及其他的腐蚀残余物(8)时，提高了抗蚀剂残余物等的除去性、铜及绝缘膜的耐腐蚀性。

公开(公告)号：CN101442024A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810178643.X

申请日：2008-11-21

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 广田祐作 ,  菅野至

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及包含能够抑制含铜布线的腐蚀的清洗工序的“半导体装置的制造方法”，其中包括如下工序：在半导体衬底(1)上形成含铜布线(5w)((A)工序)；在布线(5w)上形成蚀刻阻挡膜(6es)((B)工序)；在蚀刻阻挡膜(6es)上形成绝缘层(6)((C)工序)；在绝缘层(6)上形成达到蚀刻阻挡膜(6es)的通路孔((D)工序)；用有机溶剂(C)清洗通路孔(6v)和绝缘层(6)的表面((E)工序)；除去蚀刻阻挡膜，使布线(5w)露出((F)工序)；以及再形成电连接至露出的布线(5w)的布线(6w)((G)工序)。

公开(公告)号：CN1956152A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610143658.3

申请日：2006-10-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 东雅彦 ,  久米聪 ,  由上二郎 ,  山成真市 ,  丸山隆弘 ,  菅野至

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/32134 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/4958

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，即使将金属膜加工，也可抑制在该金属膜下面形成的绝缘膜的减膜。在本发明的半导体装置的制造方法中，在栅极绝缘膜(3)上形成构成栅电极的金属膜(4)。然后，在加工该金属膜(4)时，通过使用预定药水的湿蚀刻处理来除去该金属膜(4)的一部分。