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公开(公告)号：CN103562790B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280012981.0
申请日：2012-03-02
申请人： 柏林工业大学 , IHP有限责任公司/莱布尼茨创新微电子研究所
CPC分类号： G02F1/2257 , G02F1/015 , G02F1/025 , G02F1/218 , G02F2001/0152 , G02F2001/0155 , G02F2001/213
摘要： 本发明涉及一种用于调制预定波长的光学辐射的电光调制器(10)，其中，电光调制器(10)具有至少一个光学谐振器(20)，在该光学谐振器(20)中能够以预定波长形成驻波光波。根据本发明，提供了：在该谐振器中布置至少两个掺杂半导体部分(33，34)-如在谐振器的纵向方向上观察的-它们彼此隔开，并且该至少两个掺杂半导体部分分别局域地位于驻波光波的强度最小值中。
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公开(公告)号：CN103562790A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280012981.0
申请日：2012-03-02
申请人： 柏林工业大学 , IHP有限责任公司/莱布尼茨创新微电子研究所
CPC分类号： G02F1/2257 , G02F1/015 , G02F1/025 , G02F1/218 , G02F2001/0152 , G02F2001/0155 , G02F2001/213
摘要： 本发明涉及一种用于调制预定波长的光学辐射的电光调制器(10)，其中，电光调制器(10)具有至少一个光学谐振器(20)，在该光学谐振器(20)中能够以预定波长形成驻波光波。根据本发明，提供了：在该谐振器中布置至少两个掺杂半导体部分(33，34)-如在谐振器的纵向方向上观察的-它们彼此隔开，并且该至少两个掺杂半导体部分分别局域地位于驻波光波的强度最小值中。
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公开(公告)号：CN106796326A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580049618.X
申请日：2015-09-25
IPC分类号： G02B6/124
CPC分类号： G02B6/124 , G02B6/136 , G02B6/42 , G02B6/4206 , G02B2006/12097 , G02B2006/12107
摘要： 本发明涉及光电集成芯片(2)，芯片具有基板(20)、布置在基板上侧(21)的多个材料层、集成在芯片的一个或多个波导材料层中的光波导和光栅耦合器(60)，光栅耦合器形成在光波导中并在波导材料层的出层平面方向上引起波导中引导的辐射的光束偏转或在波导材料层的入层平面方向上使辐射的光束偏转以耦合到波导中。对于芯片，本发明设置光学衍射和折射结构(100、100a)，光学衍射和折射结构集成在光栅耦合器(60)上方或下方的芯片(2)的材料层中，或者集成在光栅耦合器(60)上方或下方的多个材料层中，或者集成在基板(20)的后侧，衍射和折射结构在辐射被耦合入波导中之前或辐射被耦合出波导外之后执行辐射的光束整形。
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公开(公告)号：CN106716239B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201580049944.0
申请日：2015-09-21
IPC分类号： G02F1/225 , G02F1/025 , H04B10/54 , H01S5/026 , H04B10/548
CPC分类号： G02F1/2257 , G02F1/025 , G02F2001/0152 , G02F2001/212 , G02F2201/063 , G02F2201/124 , G02F2202/105 , H04B10/54 , H04B10/548
摘要： 本发明尤其涉及一种用于调制光辐射(P)的注入调制器(10)，所述注入调制器包括光波导(20)和二极管结构(30)，所述二极管结构具有至少两个p掺杂半导体部分(110)、至少两个n掺杂半导体部分(210)以及在所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110，210)之间的至少一个轻掺杂或未掺杂中间部分(300)。所述p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的纵向方向(L)上观察时——相对于所述n掺杂半导体部分(210)而偏移，并且所述二极管结构(30)被安排在所述波导(20)的无谐振部分中，其中——不考虑波导衰减——在所述波导(20)中引导的所述辐射(P)的辐射强度恒定。根据本发明，所述p掺杂半导体部分(110)位于所述波导(20)的一侧上——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上并且相对于波导中心而观察时，所述n掺杂半导体部分(210)位于所述波导(20)的另一侧上，并且所述中间部分(300)位于所述波导中心的区域中，每个半导体部分(110，210)在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于所述波导纵向方向(L)横向地延伸，并且p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上观察时——不与任何n掺杂半导体部分(210)重叠。
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公开(公告)号：CN106716239A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580049944.0
申请日：2015-09-21
IPC分类号： G02F1/225 , G02F1/025 , H04B10/54 , H01S5/026 , H04B10/548
CPC分类号： G02F1/2257 , G02F1/025 , G02F2001/0152 , G02F2001/212 , G02F2201/063 , G02F2201/124 , G02F2202/105 , H04B10/54 , H04B10/548
摘要： 本发明尤其涉及一种用于调制光辐射(P)的注入调制器(10)，所述注入调制器包括光波导(20)和二极管结构(30)，所述二极管结构具有至少两个p掺杂半导体部分(110)、至少两个n掺杂半导体部分(210)以及在所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110，210)之间的至少一个轻掺杂或未掺杂中间部分(300)。所述p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的纵向方向(L)上观察时——相对于所述n掺杂半导体部分(210)而偏移，并且所述二极管结构(30)被安排在所述波导(20)的无谐振部分中，其中——除了波导衰减以外——在所述波导(20)中引导的所述辐射(P)的辐射强度恒定。根据本发明，所述p掺杂半导体部分(110)位于所述波导(20)的一侧上——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上并且相对于波导中心而观察时，所述n掺杂半导体部分(210)位于所述波导(20)的另一侧上，并且所述中间部分(300)位于所述波导中心的区域中，每个半导体部分(110，210)在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于所述波导纵向方向(L)横向地延伸，并且p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上观察时——不与任何n掺杂半导体部分(210)重叠。
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